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公开(公告)号：CN102308364A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201080006400.3
申请日：2010-02-02
IPC: H01L21/027 , G02B26/10 , G02B27/09 , G03F7/20
CPC classification number: G02B27/0927 , G02B19/0014 , G02B19/0052 , G02B27/0961 , G03F7/70083 , G03F7/70191 , G03F7/70583
Abstract: 本发明提供一种激光曝光装置，其具备：第一蝇眼透镜(2)，其扩大激光的截面形状；第一光程差调整构件(3)，其配置于第一蝇眼透镜(2)的激光的入射侧且使向第一蝇眼透镜(2)的各聚光透镜(2a)分别入射的激光产生相位差；会聚透镜(4)，其将从第一蝇眼透镜(3)射出的激光转变为平行光；第二蝇眼透镜(6)，其将激光带来的光掩模的照明区域内的光强度分布均匀化；第二光程差调整构件(7)，其配置于第二蝇眼透镜(6)的激光的入射侧，使向第二蝇眼透镜(6)的各聚光透镜(6a)分别入射的激光产生相位差。由此，将由蝇眼透镜产生的激光的干涉条纹平均化，同时降低激光的照度不均。
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公开(公告)号：CN107004604B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201580064351.1
申请日：2015-11-19
Applicant: 株式会社V技术
IPC: H01L21/336 , H01L21/20 , H01L29/786
Abstract: 本发明是在基板(5)上层叠地具备栅极电极(1)、源极电极(3)、漏极电极(4)以及半导体层(2)的薄膜晶体管，上述半导体层(2)是多晶硅薄膜(8)，为与上述源极电极(3)和上述漏极电极(4)分别对应的区域的上述多晶硅薄膜(8)的晶体粒径比被上述源极电极(3)和上述漏极电极(4)夹着的沟道区域(10)的上述多晶硅薄膜(8)的晶体粒径小的结构。
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公开(公告)号：CN103415810B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201280011253.8
申请日：2012-02-02
Applicant: 株式会社V技术
IPC: G03F7/20 , G02B13/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70191 , G02B3/0056 , G03F7/70275 , G03F7/70358
Abstract: 在曝光装置中，设置有射入透过了光源和掩模的曝光用光，并以具有规定的规则性配置的使正立等倍像在基板上成像的多个微透镜的微透镜阵列。进而，在基板到达了规定位置时，从光源脉冲地照射激光，将基板依次曝光，在基板的曝光对象区域的全域被曝光之后，将微透镜阵列与掩模的相对位置关系，仅以微透镜的行间距，在列方向依次切换，进行下一个顺序的曝光。由此，能以短曝光行程进行高精度且高分辨率的曝光。
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公开(公告)号：CN103140804B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201180048221.0
申请日：2011-09-12
Applicant: 株式会社V技术
IPC: G03F7/20 , G02B3/00 , H01L21/027
CPC classification number: G02B3/0037 , G02B3/0062 , G02B26/0875 , G03F7/70258 , G03F7/70275
Abstract: 扫描曝光装置通过多个微透镜阵列（2），将掩模（3）的曝光图案投影于衬底（1）上。此时，通过线性CCD相机检测衬底上的图像，将衬底上的第一层图案作为基准图案，检测掩模的曝光图案是否与该基准图案一致。不一致时，使微透镜阵列从平行于衬底的方向倾斜，调整由微透镜阵列形成的衬底上的曝光区域，使掩模的曝光图案与基准图案一致。由此，即使产生曝光图案与基准图案的偏移，也能在曝光中检测该偏移，防止曝光图案的错位，能够提高重叠曝光中的曝光图案的精度。
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公开(公告)号：CN103718066A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201280037832.X
申请日：2012-07-23
Applicant: 株式会社V技术
IPC: G02B3/00 , G02B7/00 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/7015 , G02B3/00 , G02B3/0056 , G02B3/0062 , G02B3/0075 , G02B7/00 , G02B27/0961 , G03F7/70275
Abstract: 微透镜阵列在玻璃板的上表面及下表面分别层叠有单位微透镜阵列，由上板及下板保持各单位微透镜阵列。在各单位微透镜阵列和玻璃板形成有对位用的标记，单位微透镜阵列和玻璃板利用这些标记来进行对位并互相层叠。由此，在使用多片微透镜阵列的扫描曝光中，能够防止曝光不匀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105209976B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201480027536.0
申请日：2014-06-16
Applicant: 株式会社V技术
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/7015 , G03F7/201 , G03F7/70275
Abstract: 本发明涉及通过利用微透镜阵列将掩模上的图案成像在基板上而曝光基板的曝光装置等，并使射出曝光光的照明单元小型化。微透镜阵列(30)具有包含朝向与移动方向(A)相交的方向的排列且以二维方式配置的多个微透镜(31)，照明单元具有：排列有多个激光二极管的LD阵列条；以及照明光学系统，其将从构成该LD阵列条的多个激光二极管射出的多个发出光转换成缝形状的曝光光束，并利用该曝光光束的曝光光(170)对排成一列的多个微透镜上进行照明，关于与移动方向相交的方向，该曝光光束以跨越在该方向上排列的多个微透镜的方式扩展，并且关于移动方向，该曝光光束被限制为不会波及排列于在该移动方向上相邻的列上的微透镜的宽度。
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公开(公告)号：CN107004604A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580064351.1
申请日：2015-11-19
Applicant: 株式会社V技术
IPC: H01L21/336 , H01L21/20 , H01L29/786
Abstract: 本发明是在基板(5)上层叠地具备栅极电极(1)、源极电极(3)、漏极电极(4)以及半导体层(2)的薄膜晶体管，上述半导体层(2)是多晶硅薄膜(8)，为与上述源极电极(3)和上述漏极电极(4)分别对应的区域的上述多晶硅薄膜(8)的晶体粒径比被上述源极电极(3)和上述漏极电极(4)夹着的沟道区域(10)的上述多晶硅薄膜(8)的晶体粒径小的结构。
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公开(公告)号：CN103189798B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201180052569.7
申请日：2011-09-12
Applicant: 株式会社V技术
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70258 , G03F7/70275
Abstract: 微透镜阵列(2)是4块单位微透镜阵列(2-1、2-2、2-3、2-4)的层叠体，可以使一部分的单位微透镜阵列的光轴从其他单位微透镜阵列的光轴偏移。在扫描曝光装置中，线阵CCD照相机检测基板上的图像，将基板上的第1层图案作为基准图案，在掩模的曝光图案与该基准图案不一致的情况下，使微透镜(2a)的光轴偏移，调整利用微透镜阵列导致的投影图案的倍率。由此，能够调整利用微透镜阵列导致的曝光位置，即使产生曝光图案与基准图案的偏离，也能在曝光中检测该偏离，并防止曝光图案的位置偏离，能够提高重叠曝光的曝光图案的精度。
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公开(公告)号：CN103189798A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201180052569.7
申请日：2011-09-12
Applicant: 株式会社V技术
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70258 , G03F7/70275
Abstract: 微透镜阵列(2)是4块单位微透镜阵列(2-1、2-2、2-3、2-4)的层叠体，可以使一部分的单位微透镜阵列的光轴从其他单位微透镜阵列的光轴偏移。在扫描曝光装置中，线阵CCD照相机检测基板上的图像，将基板上的第1层图案作为基准图案，在掩模的曝光图案与该基准图案不一致的情况下，使微透镜(2a)的光轴偏移，调整利用微透镜阵列导致的投影图案的倍率。由此，能够调整利用微透镜阵列导致的曝光位置，即使产生曝光图案与基准图案的偏离，也能在曝光中检测该偏离，并防止曝光图案的位置偏离，能够提高重叠曝光的曝光图案的精度。
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公开(公告)号：CN103140804A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201180048221.0
申请日：2011-09-12
Applicant: 株式会社V技术
IPC: G03F7/20 , G02B3/00 , H01L21/027
CPC classification number: G02B3/0037 , G02B3/0062 , G02B26/0875 , G03F7/70258 , G03F7/70275
Abstract: 扫描曝光装置通过多个微透镜阵列（2），将掩模（3）的曝光图案投影于衬底（1）上。此时，通过线性CCD相机检测衬底上的图像，将衬底上的第一层图案作为基准图案，检测掩模的曝光图案是否与该基准图案一致。不一致时，使微透镜阵列从平行于衬底的方向倾斜，调整由微透镜阵列形成的衬底上的曝光区域，使掩模的曝光图案与基准图案一致。由此，即使产生曝光图案与基准图案的偏移，也能在曝光中检测该偏移，防止曝光图案的错位，能够提高重叠曝光中的曝光图案的精度。
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