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公开(公告)号：CN116081618B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202310030857.7
申请日：2023-01-10
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本申请公开了金刚石镓‑空位量子色心、应用及制备方法。本技术方案中，设计了一种金刚石镓‑空位量子色心，该量子色心可以在室温下保持基态三重态，激发态也可保持三重态，可进行量子相干调控；零声子线在637nm内，在可见光范围内，易于进行荧光识别；该量子色心可以保持较为稳定的电荷态；进一步的，基于量子调控技术，该镓‑空位量子色心可应用于量子传感、量子通讯、量子计算等领域。
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公开(公告)号：CN118905729A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411113510.X
申请日：2024-08-14
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供了一种半球形金刚石窗口磨抛装置及其磨抛方法。该装置包括：旋转夹持机构，用于固定并控制所述被打磨物体进行转动；研磨颗粒输送机构，通过移动机构驱动，用于向被打磨物体的待打磨表面输送带电的研磨颗粒；电场发生组件，至少包括一移动电极，通过移动机构在待打磨区域产生远离或者靠近被打磨物体的待打磨表面的电场，通过电场驱动研磨颗粒输送至被打磨物体的待打磨表面，在被打磨物体的旋转运动下实现研磨。
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公开(公告)号：CN118848789A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411075204.1
申请日：2024-08-07
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供了一种基于数字孪生的半球形结构陀螺仪CMP抛光修正装置。包括：抛光腔，其内设置有置物台；转动机构，设置在置物台上，用于控制固定在转动机构上的被抛光物体进行转动；抛光机构，包括磨石，磨石用于抛光被抛光物体，抛光机构上设置有进液口，进液口用于输送抛光液至磨石与被抛光物体的接触面处；监测组件，包括振动检测单元和粗糙度检测单元，振动检测单元用于检测被抛光物体的振动性，粗糙度检测单元用于检测被抛光物体的粗糙度；数字孪生平台，用于获取监测组件检测到的振动性和粗糙度，并基于振动性和粗糙度对抛光过程进行模拟，基于模拟结果生成控制指令，以调控进液口处抛光液的流速、转动机构的转速及磨石的位置。
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公开(公告)号：CN118848254A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411075200.3
申请日：2024-08-07
Applicant: 武汉大学
IPC: B23K26/352 , B23K26/70 , B23K26/064
Abstract: 本发明提供了一种基于数字孪生的半球形结构陀螺仪飞秒激光抛光修正装置。该装置包括：置物台；转动机构，设置在置物台上，用于固定并控制被抛光物体进行转动；飞秒激光发射单元，用于抛光所述被抛光物体；监测组件，包括粗糙度检测单元、振动性检测单元、损伤检测单元和温度检测单元，用于获取被抛光物体表面的粗糙度、振动性、表面损伤、温度；数字孪生平台，用于获取监测组件获取到的粗糙度、振动性、表面损伤和温度，并进行模拟分析，以生成控制指令，所述控制指令用于调控所述飞秒激光发射单元的激光能量、激光频率、激光的光斑大小、激光位置和转动机构的转速。
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公开(公告)号：CN118668293A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410712478.0
申请日：2024-06-04
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种集成原位测量的分子束外延薄膜生长系统，属于半导体薄膜测量技术领域，所述生长系统包括，真空反应腔室，设置有安装口且底端部分或全部由透光材料构成，用于提供反应环境，安装口用于安装炉源；样品台，设置于真空反应腔室内；第一驱动组件，设置于真空反应腔室外且通过连杆与样品台连接，用于驱动样品台和调节样品台的位置；宽光谱监测装置，设置于真空反应腔室的底部，包括第二驱动组件和监测组件；第二驱动组件带动的监测组件与第一驱动组件驱动的样品台上的样品保持同步运动，获取薄膜生长的信息。本发明可实现半导体薄膜厚度非接触式、原位在线监测，在不影响薄膜生长的情况下得到精确的薄膜厚度数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117928791A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410096099.3
申请日：2024-01-24
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明涉及压力传感器的技术领域，尤其涉及一种单晶金刚石压敏芯片及其制备方法和高温压力传感器，压敏芯片包括衬底、压敏电阻、压敏薄膜、第一保护镀层和欧姆接触电极，衬底为单晶金刚石，衬底一侧开设有背腔，背腔的面积小于衬底的面积；衬底远离背腔的一侧设置有压敏电阻、压敏薄膜和第一保护镀层，第一保护镀层覆盖衬底远离背腔的一侧，所述第一保护镀层与背腔中心平行对应的区域蚀刻形成压敏薄膜，压敏薄膜周向设置有多个端部，每个端部嵌设有一组压敏电阻；欧姆接触电极位于第一保护镀层远离衬底的一侧，且串联若干组压敏电阻。本发明以单晶金刚石材料制备压敏芯片和高温压力传感器，可提高高温压力传感器的耐高温性能和检测灵敏度，该传感器相较于传统的高温压力传感器能承受更高的工作温度，封装结构均为耐高温陶瓷材料，具备在高温、高辐照环境下的工作能力。
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公开(公告)号：CN117743784A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311657510.1
申请日：2023-12-04
Applicant: 武汉大学
IPC: G06F18/20 , G06F30/27 , G16C20/10 , G06F18/10 , G06F18/23213
Abstract: 本发明公开了一种基于数字孪生的石英玻璃通孔刻蚀预测方法及其装置，所述预测方法包括，获取石英玻璃通孔刻蚀过程的历史数据和实时数据；获取石英玻璃通孔刻蚀过程的历史数据和实时数据的虚拟可视化属性，根据所述虚拟可视化属性建立数字孪生模型；根据所述数字孪生模型进行训练得到预测模型；根据所述预测模型模拟并预测通孔刻蚀结果，并根据所述实时数据对所述预测模型进行迭代优化。本发明无需反复实验进行优化，能够基于当前刻蚀出的玻璃通孔的结果及映射到数字孪生模型上的数据，自动对当前实验参数进行优化，不仅节省了人力和财力资源，也提高了实验效率；同时可以实时监控和提供质量保障，确保了刻蚀过程的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN117690799A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311828721.7
申请日：2023-12-28
Applicant: 武汉大学
IPC: H01L21/338 , H01L29/16 , H01L29/812
Abstract: 本发明公开了一种N型沟道金刚石MESFET器件及其制备方法，首先准备P型掺杂金刚石层；然后在P型掺杂金刚石层上露出源极和漏极的相应位置，采用刻蚀工艺在源极和漏极的相应位置处分别刻蚀凹槽，得到含有源极凹槽、漏极凹槽的P型掺杂金刚石层；之后利用MPCVD工艺，采用硼‑氧共掺方法在源、漏凹槽内沉积N型单晶金刚石，分别得到源极区域和漏极区域；之后移除源极区域和漏极区域以外的N型单晶金刚石；在源极区域、漏极区域以及源极区域、漏极区域之间的P型掺杂金刚石层上分别制备源极、漏极和栅极，得到N型沟道金刚石MESFET器件。本发明工艺简单，N型的源极区域和漏极区域同时兼具高电子浓度和高电子迁移率，能满足高功率器件要求。
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公开(公告)号：CN116525568A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202211610930.X
申请日：2022-12-13
Applicant: 武汉大学
IPC: H01L23/373 , H01L21/02
Abstract: 本申请公开了β‑氧化镓/c‑砷化硼异质结构及制备方法。本技术方案中，通过分子束外延的方法(MBE)制备大尺寸、高质量的c‑BAs晶体，通过设计并引入不同结构和功能的缓冲层，实现β‑Ga2O3与c‑BAs界面的过渡连接，从而解决大尺寸、高质量c‑BAs晶体的制备以及β‑Ga2O3与c‑BAs界面的晶格失配及热膨胀系数不匹配的问题，最终实现高性能β‑Ga2O3/c‑BAs异质结构及其器件的制备，推动半导体器件领域的进一步发展。
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公开(公告)号：CN114000121B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202210003978.8
申请日：2022-01-05
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种基于MBE法的应变金刚石生长掺杂方法及外延结构。通过MBE法在衬底层上依次外延出渐变缓冲层、驰豫层，最后在弛豫层上外延出应变金刚石层，并通过MBE法进行掺杂。MBE应变金刚石在生长和掺杂过程中，能够较为精确的对渐变缓冲层和驰豫层中的材料进行组分控制，获得原子级平滑的表面，使得驰豫层材料晶格常数大于金刚石材料晶格常数，使得金刚石处于拉应变状态，进而提高金刚石的掺杂效率。
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