公开(公告)号：CN105906660A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201610256473.7

申请日：2016-02-14

Applicant: 气体产品与化学公司

Inventor： D·P·斯潘斯 ,  雷新建 ,  R·M·佩尔斯泰恩 ,  萧满超 ,  李建恒

IPC: C07F7/18 ,  C23C16/30 ,  C23C16/40 ,  C23C16/36 ,  C23C16/34

CPC classification number: C07F7/10 ,  C01B21/0823 ,  C01B21/0828 ,  C01B32/90 ,  C01B33/181 ,  C07F7/1804 ,  C07F7/188 ,  C08J5/18 ,  C08L83/04 ,  C09D7/63 ,  C23C16/308 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/30 ,  C23C16/325 ,  C23C16/345 ,  C23C16/36 ,  C23C16/402

Abstract: 本文描述式I的双氨基烷氧基硅烷以及其使用方法：R1Si(NR2R3)(NR4R5)OR6 I其中R1选自氢、C1至C10直链烷基、C3至C10支链烷基、C3至C10环烷基、C3至C10烯基、C3至C10炔基、C4至C10芳族烃基；R2、R3、R4和R5各自独立地选自氢、C4至C10支链烷基、C3至C10环烷基、C3至C10烯基、C3至C10炔基和C4至C10芳族烃基；R6选自C1至C10直链烷基、C3至C10支链烷基、C3至C10环烷基、C3至C10烯基、C2至C10炔基和C4至C10芳族烃基。

公开(公告)号：CN105177524A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510335186.0

申请日：2015-06-16

Applicant: 气体产品与化学公司

Inventor： R·N·弗尔蒂斯 ,  R·G·里奇韦 ,  李建恒 ,  W·R·恩特莱 ,  J·L·A·阿赫蒂尔 ,  雷新建

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/455 ,  C07F7/18

Abstract: 提供了用于经由化学气相沉积生产多孔低k介电薄膜的方法和组合物。在一个方面，所述方法包括步骤：在反应室内提供衬底；将气体试剂引入所述反应室，其中所述气体试剂包含至少一种包含烷基-烷氧基硅杂环化合物的结构形成前体和致孔剂；向所述反应室中的所述气体试剂施加能量以诱导所述气体试剂的反应以在所述衬底上沉积初步薄膜，其中所述初步薄膜包含所述致孔剂；和沉积所述初步薄膜；和从所述初步薄膜去除至少一部分包含于其中的所述致孔剂以提供具有孔和介电常数为约2.7或更低的所述薄膜。在某些实施方式中，所述结构形成前体还包含硬化添加剂。

公开(公告)号：CN104271797A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201380024294.5

申请日：2013-03-08

Applicant: 气体产品与化学公司

Inventor： R·G·里奇韦 ,  A·D·约翰森 ,  A·麦利卡尔珠南 ,  R·N·弗尔蒂斯 ,  雷新建 ,  M·L·奥尼尔 ,  萧满超 ,  李建恒 ,  M·T·萨沃

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/40

CPC classification number: H01L29/78693 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02565 ,  H01L29/247 ,  H01L29/6675

Abstract: 本文中描述的是包含一个或多个含硅层和金属氧化物层的装置。本文中还描述了形成一个或多个含硅层以用作，例如，显示器装置中的钝化层的方法。在一个具体的方面，所述装置包含透明金属氧化物层、氧化硅层和氮化硅层。在这个或其他方面，所述装置在350℃或更低的温度下沉积。本文中描述的含硅层包括一种或多种以下性质：密度约1.9g/cm3或更高；氢含量约4x1022cm-3或更低，通过紫外-可见光分光光度计测量的在400-700nm下的透光度为约90％或更高。

公开(公告)号：CN103572251B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201310332542.4

申请日：2013-07-30

Applicant: 气体产品与化学公司

Inventor： H·R·鲍恩 ,  李建恒 ,  M·L·奥尼尔 ,  萧满超 ,  A·D·约翰逊 ,  雷新建

IPC: C23C16/30 ,  C07F7/08

CPC classification number: C23C16/30 ,  C23C16/325 ,  C23C16/36

Abstract: 本文公开了不含氧硅基薄膜以及形成该薄膜的方法。所述不含氧硅基薄膜包含大于50原子％的硅。一个方面，所述硅基薄膜具有组成SixCyNz，其中如通过XPS测量的，x为约51?100，y为0?49，以及z为0?50原子重量(wt)百分比(％)。在一个实施方式中，所述不含氧硅基薄膜采用具有至少两个SiH3基团，其中在硅原子之间具有至少一个C2?3键的至少一种有机硅前体例如1，4?二硅杂丁烷来沉积。

公开(公告)号：CN105401131A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201510702639.9

申请日：2015-08-14

Applicant: 气体产品与化学公司

Inventor： 李建恒 ,  R·N·弗尔蒂斯 ,  R·G·里奇韦 ,  雷新建 ,  M·L·奥尼尔 ,  江学忠

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/00

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  C23C16/44 ,  C23C16/00

Abstract: 本发明涉及通过在多孔、低介电常数(“低k”)层的至少一个表面上提供附加薄介电薄膜(本文中称孔隙密封层)用于密封所述多孔低k层的孔隙而防止底层的介电常数的进一步损失的方法及其组合物。在一个方面，该方法包括：将多孔低介电常数薄膜接触至少一种有机硅化合物以提供吸收的有机硅化合物和采用紫外线、等离子体或两者处理该吸收的有机硅化合物，并重复进行直至形成所需厚度的孔隙密封层。

公开(公告)号：CN103572251A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310332542.4

申请日：2013-07-30

Applicant: 气体产品与化学公司

Inventor： H·R·鲍恩 ,  李建恒 ,  M·L·奥尼尔 ,  萧满超 ,  A·D·约翰逊 ,  雷新建

IPC: C23C16/30 ,  C07F7/08

CPC classification number: C23C16/30 ,  C23C16/325 ,  C23C16/36

Abstract: 本文公开了不含氧硅基薄膜以及形成该薄膜的方法。所述不含氧硅基薄膜包含大于50原子％的硅。一个方面，所述硅基薄膜具有组成SixCyNz，其中如通过XPS测量的，x为约51-100，y为0-49，以及z为0-50原子重量(wt)百分比(％)。在一个实施方式中，所述不含氧硅基薄膜采用具有至少两个SiH3基团，其中在硅原子之间具有至少一个C2-3键的至少一种有机硅前体例如1，4-二硅杂丁烷来沉积。

公开(公告)号：CN105845549A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610061517.0

申请日：2016-01-28

Applicant: 气体产品与化学公司

Inventor： 李建恒 ,  R·G·里奇韦 ,  雷新建 ,  R·N·弗尔蒂斯 ,  韩冰 ,  M·B·拉奥

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/115

Abstract: 本文描述了包含多个含硅层的装置，其中该含硅层选自氧化硅和氮化硅层或薄膜。本文还描述了形成例如待用作3D垂直NAND闪存堆叠的装置的方法。在所述装置的一个具体的方面中，氧化硅层具有轻微压缩应力和良好的热稳定性。在所述装置的这一或其他方面中，氮化硅层具有轻微拉伸应力和在最高达约800℃的热处理后小于300MPa的应力变化。在所述装置的这一或其他方面中，氮化硅层在热H3PO4中的蚀刻比氧化硅层快得多，表明良好的蚀刻选择性。