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公开(公告)号：CN102011098A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010279948.7
申请日：2010-09-08
Applicant: 气体产品与化学公司
IPC: C23C16/18
Abstract: 本发明涉及一种用于沉积含金属薄膜的含氨基醚的液体组合物。一种制剂，包含：a)至少一种金属配体络合物，其中一种或多种配体选自β-二酮根、β-酮亚胺基、β-酮酸酯、β-二亚胺基、烷基、羰基、烷基羰基、环戊二烯基、吡咯基、醇根、脒基配体、咪唑基及其混合物；而且金属选自元素周期表的2-16族元素；和b)至少一种选自以下及其混合物的氨基醚：R1R2NR3OR4NR5R6、R1OR4NR5R6、O(CH2CH2)2NR1、R1R2NR3N(CH2CH2)2O、R1R2NR3OR4N(CH2CH2)2O、O(CH2CH2)2NR1OR2N(CH2CH2)2O，其中，R1-R6独立地选自C1-10直链烷基、C1-10支链烷基、C3-10环烷基、C6-C10芳香基、C1-10烷基胺、C1-10烷基氨基烷基、C2-10醚、C4-C10环醚、C4-C10环氨基醚及其混合物。
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公开(公告)号：CN102011098B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201010279948.7
申请日：2010-09-08
Applicant: 气体产品与化学公司
IPC: C23C16/18
Abstract: 本发明涉及一种用于沉积含金属薄膜的含氨基醚的液体组合物。一种制剂，包含：a)至少一种金属配体络合物，其中一种或多种配体选自β-二酮根、β-酮亚胺基、β-酮酸酯、β-二亚胺基、烷基、羰基、烷基羰基、环戊二烯基、吡咯基、醇根、脒基配体、咪唑基及其混合物；而且金属选自元素周期表的2-16族元素；和b)至少一种选自以下及其混合物的氨基醚：R1R2NR3OR4NR5R6、R1OR4NR5R6、O(CH2CH2)2NR1、R1R2NR3N(CH2CH2)2O、R1R2NR3OR4N(CH2CH2)2O、O(CH2CH2)2NR1OR2N(CH2CH2)2O，其中，R1-R6独立地选自C1-10直链烷基、C1-10支链烷基、C3-10环烷基、C6-C10芳香基、C1-10烷基胺、C1-10烷基氨基烷基、C2-10醚、C4-C10环醚、C4-C10环氨基醚及其混合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102086513B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201010584292.X
申请日：2010-12-07
Applicant: 气体产品与化学公司
Abstract: 本发明涉及由下式表示的液体第4族前体家族：(pyr*)M(OR1)(OR2)(OR3)，其中pyr*是烷基取代的吡咯基，其中M是第4族金属，包括Ti、Zr和Hf；其中R1-R 3可以相同或不同，选自直链或支链的C1-6烷基，优选C1-3烷基；R4选自C1-6烷基，优选在2，5-位取代的支链C3-5烷基以防止吡咯基以η1的方式与金属中心配位；n＝2、3、4。最优选地，本发明涉及(2，5-二叔丁基吡咯基)三(乙氧基)钛、(2，5-二叔戊基吡咯基)三(乙氧基)钛和(2，5-二叔戊基吡咯基)三(异丙氧基)钛。本发明还涉及(环戊二烯基)(2，5-二甲基吡咯基)(二(乙氧基))钛。本发明还包括使用这些化合物的沉积方法。
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公开(公告)号：CN103203250A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310032372.8
申请日：2013-01-17
Applicant: 气体产品与化学公司
CPC classification number: C09D1/00 , B65B1/04 , C08G77/04 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282
Abstract: 本发明涉及包含选自烷氧基硅烷、芳氧基硅烷或烷基烷氧基硅烷的含硅前体和包括卤代烷氧基烷基硅烷或卤代芳氧基烷基硅烷的催化剂化合物的稳定制剂，其中含硅前体和催化剂化合物中的取代基如本文所述的是相同的。更具体地，该制剂包含包括具有式Si(OR1)nR24-n的烷氧基烷基硅烷或芳氧基硅烷的含硅前体和包括具有式XSi(OR1)nR23-n的卤代烷氧基烷基硅烷的催化剂，或者包含包括具有式R23-p(R1O)pSi-R3-Si(OR1)pR23-p的烷氧基硅烷或芳氧基硅烷的含硅前体和包括具有式(R1O)mR22-m(X)Si-R3-Si(OR4)2R5的卤代烷氧基烷基硅烷或卤代芳氧基烷基硅烷的催化剂，其中至少一个或所有的R1和R2取代基在含硅前体和催化剂化合物中如本文所述的是相同的。制剂可以用于半导体沉积工艺，例如，流动式氧化硅工艺。
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公开(公告)号：CN105906660A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610256473.7
申请日：2016-02-14
Applicant: 气体产品与化学公司
CPC classification number: C07F7/10 , C01B21/0823 , C01B21/0828 , C01B32/90 , C01B33/181 , C07F7/1804 , C07F7/188 , C08J5/18 , C08L83/04 , C09D7/63 , C23C16/308 , C23C16/45553 , C23C16/30 , C23C16/325 , C23C16/345 , C23C16/36 , C23C16/402
Abstract: 本文描述式I的双氨基烷氧基硅烷以及其使用方法：R1Si(NR2R3)(NR4R5)OR6 I其中R1选自氢、C1至C10直链烷基、C3至C10支链烷基、C3至C10环烷基、C3至C10烯基、C3至C10炔基、C4至C10芳族烃基；R2、R3、R4和R5各自独立地选自氢、C4至C10支链烷基、C3至C10环烷基、C3至C10烯基、C3至C10炔基和C4至C10芳族烃基；R6选自C1至C10直链烷基、C3至C10支链烷基、C3至C10环烷基、C3至C10烯基、C2至C10炔基和C4至C10芳族烃基。
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公开(公告)号：CN104250258A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410295578.4
申请日：2014-06-26
Applicant: 气体产品与化学公司
CPC classification number: C07F7/21 , C07F7/025 , C07F7/10 , C23C16/24 , C23C16/345 , C23C16/401 , C23C16/45544 , C23C16/45553 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/0262
Abstract: 本文描述了用于形成含硅薄膜的前体和方法。一方面，提供包含至少两个Si-N键、至少一个Si-Si键和至少两个SiH2基团的氮杂聚硅烷前体，由下式IA、IB和IC表示：其中R1和R2独立地选自直链或支链C1-C10烷基、直链或支链C3-C10烯基、直链或支链C3-C10炔基、C3-C10环烷基、C3-C10杂环烷基、C5-C10芳基、C3-C10杂芳基、C2-C10二烷基氨基和C3-C10环烷基氨基；R3和R4独立地选自氢、直链或支链C1-C10烷基、直链或支链C2-C10烯基、直链或支链C2-C10炔基、C3-C10环烷基、C3-C10杂环烷基、C5-C10芳基、C3-C10杂芳基、C2-C10二烷基氨基、和C3-C10环烷基氨基；其中式IA中的R1不能为甲基，式IB中的R1和R2不能同时为异丙基、叔丁基和苄基且R3和R4不能同时为甲基和苯基。
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公开(公告)号：CN102086513A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN201010584292.X
申请日：2010-12-07
Applicant: 气体产品与化学公司
Abstract: 本发明涉及由下式表示的液体第4族前体家族：(pyr*)M(OR1)(OR2)(OR3)，其中pyr*是烷基取代的吡咯基，其中M是第4族金属，包括Ti、Zr和Hf；其中R1-R 3可以相同或不同，选自直链或支链的C1-6烷基，优选C1-3烷基；R4选自C1-6烷基，优选在2，5-位取代的支链C3-5烷基以防止吡咯基以η1的方式与金属中心配位；n＝2、3、4。最优选地，本发明涉及(2，5-二叔丁基吡咯基)三(乙氧基)钛、(2，5-二叔戊基吡咯基)三(乙氧基)钛和(2，5-二叔戊基吡咯基)三(异丙氧基)钛。本发明还涉及(环戊二烯基)(2，5-二甲基吡咯基)(二(乙氧基))钛。本发明还包括使用这些化合物的沉积方法。
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