公开(公告)号：CN110246753A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201910534586.2

申请日：2019-06-20

Applicant: 江苏能华微电子科技发展有限公司

Inventor： 李仕强 ,  王东盛 ,  李亦衡 ,  张葶葶 ,  朱廷刚

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/20 ,  H01L29/207

Abstract: 本发明涉及一种提升p型GaN掺杂浓度的外延结构的制备方法，包括在衬底上生长缓冲层，在所述的缓冲层上生长p型GaN层，在生长所述的p型GaN层时，掺入活化剂，所述的活化剂为In和/或Al，所述的活化剂的摩尔流量为10~300umol/min。一种提升p型GaN掺杂浓度的外延结构，其由所述的制备方法制得。本发明在生长p型GaN时引入活化剂，使得在提升p型GaN掺杂浓度的同时又能保证p型GaN的质量不受影响，可以获得掺杂浓度至少为2e18/cm-3的p型GaN结构。

公开(公告)号：CN106098748B

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201610498574.5

申请日：2016-06-30

Applicant: 江苏能华微电子科技发展有限公司

Inventor： 王东盛 ,  朱廷刚 ,  李亦衡 ,  张葶葶 ,  王科 ,  李仕强 ,  张子瑜

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种二极管用外延片及其制备方法。该二极管外延片包括衬底以及沿其厚度方向依次覆盖在所述衬底一侧面上的GaN二维生长层、SiNx模板层、GaN恢复层、重掺杂nGaN层、轻掺杂nGaN层，所述外延片还包括覆盖在所述轻掺杂nGaN层的背离所述重掺杂nGaN层一侧的另一侧面上的AlGaN帽层，其中，所述的衬底为带有AlN盖层的蓝宝石平片衬底，所述的SiNx模板层是在GaN二维生长层的背离所述衬底一侧的另一侧面上使用SiH4和NH3原位生长形成的，所述SiNx层的厚度低于一个原子层的厚度。利用本发明的外延片制成的二极管电子器件的漏电较低、使用寿命长，提高了表面层的势垒高度，并使反向击穿电压显著提高同时还不会导致正向导通电压升高。

公开(公告)号：CN110233105A

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201910534581.X

申请日：2019-06-20

Applicant: 江苏能华微电子科技发展有限公司

Inventor： 李仕强 ,  王东盛 ,  李亦衡 ,  张葶葶 ,  朱廷刚

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明涉及一种翘曲可调的SiC基HEMT结构的制备方法，包括在SiC基衬底上生长第一缓冲层、在所述的第一缓冲层上生长第二缓冲层、在所述的第二缓冲层上生长势垒层，其特征在于：在所述的第一缓冲层生长所述的第二缓冲层之前，在所述的第一缓冲层上生长AlGaN插入层，所述的第二缓冲层生长在所述的AlGaN插入层上，所述的AlGaN插入层的生长厚度为5~100nm，在所述的AlGaN插入层中Al的组份为5%~50%。本发明通过引入AlGaN插入层成功实现了SiC基HEMT外延翘曲的灵活控制，可以通过控制AlGaN的厚度或者Al组分来灵活实现大范围增强或者减弱SiC基HEMT外延的应力。

公开(公告)号：CN106098797A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610497623.3

申请日：2016-06-30

Applicant: 江苏能华微电子科技发展有限公司

Inventor： 王东盛 ,  朱廷刚 ,  李亦衡 ,  张葶葶 ,  王科 ,  李仕强 ,  张子瑜

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/66143

Abstract: 本发明公开了一种肖特基二极管用外延片及其制备方法，其制成的二极管的晶体质量好，使用寿命长，反向击穿电压高、漏电低。该外延片的制作方法，依次包括如下步骤：A、将AlN盖层通过磁控溅射技术在蓝宝石平片上沉积制得衬底；B、将衬底放入MOCVD设备中加热升温至1040~1100℃，在30~400mbar的压力条件下，在衬底上直接生长GaN二维生长层；C、在950~1050℃温度下，在GaN二维生长层上原位生长SiNx模板层；D、在1000~1080℃温度下，在SiNx模板层上依次生长GaN恢复层和重掺杂nGaN层；E、保持温度不变，在重掺杂nGaN层上生长轻掺杂nGaN层；F、降温至600~750℃，在轻掺杂nGaN层上生长C掺杂的CBGaN帽层。

公开(公告)号：CN106098795A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610497511.8

申请日：2016-06-30

Applicant: 江苏能华微电子科技发展有限公司

Inventor： 王东盛 ,  朱廷刚 ,  李亦衡 ,  张葶葶 ,  王科 ,  李仕强 ,  张子瑜

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/0684

Abstract: 本发明公开了一种二极管用外延片及其制备方法。该二极管外延片，包括衬底以及沿厚度方向依次覆盖在所述衬底一侧面上的GaN二维生长层、SiNx模板层、GaN恢复层、重掺杂nGaN层、轻掺杂nGaN层，所述外延片还包括覆盖在所述轻掺杂nGaN层的背离所述重掺杂nGaN层一侧的另一侧面上的pGaN帽层，其中，所述的衬底为带有AlN盖层的蓝宝石平片衬底，所述的SiNx模板层是在所述GaN二维生长层的背离所述衬底一侧的另一侧面上原位生长形成的，所述SiNx层的厚度低于一个原子层的厚度。利用本发明的外延片制成的二极管电子器件的漏电较低、使用寿命长，提高了表面层的势垒高度，并使反向击穿电压显著提高同时还不会导致正向导通电压升高。

公开(公告)号：CN105355650A

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201510725976.X

申请日：2015-10-30

Applicant: 江苏能华微电子科技发展有限公司

Inventor： 李仕强 ,  王东盛 ,  苗操 ,  李亦衡 ,  魏鸿源 ,  严文胜 ,  张葶葶 ,  朱廷刚

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/872 ,  C23C16/44 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/06 ,  C23C16/44 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种肖特基二极管用外延片及其制备方法，该外延片位错少、晶体质量更好。该肖特基二极管用外延片，包括层叠的衬底及成核层，所述成核层为多层且依次层叠。所述成核层的层数为2~6层。所述成核层均为GaN层或AlN层。所述外延片还包括非掺杂层、重掺杂层及轻掺杂层，所述衬底、成核层、非掺杂层、重掺杂层、轻掺杂层依次层叠。

公开(公告)号：CN110246754B

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN201910534616.X

申请日：2019-06-20

Applicant: 江苏能华微电子科技发展有限公司

Inventor： 李仕强 ,  王东盛 ,  李亦衡 ,  张葶葶 ,  朱廷刚

IPC: H01L21/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明涉及一种HEMT外延结构的制备方法，包括：在衬底上生长外延层，在生长所述的外延层前，先对所述的衬底进行预处理，所述的预处理包括：将所述的衬底置于生长腔内，将所述的生长腔内的温度升高至500℃‑700℃，向所述的生长腔内通入CBr430~400秒后停止，将所述的生长腔内的温度继续升高至900℃以上，保持30~400秒，完成所述的预处理。一种HEMT外延结构，其由所述的制备方法制得。本发明通过引入Br预处理衬底表面，来去除各类衬底表面氧含量，该预处理可以在主流的衬底上实现通用，能够有效减少HEMT外延结构的漏电，抑制电流崩塌，以及提升反向击穿电压等性能。

公开(公告)号：CN106098794A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610497417.2

申请日：2016-06-30

Applicant: 江苏能华微电子科技发展有限公司

Inventor： 王东盛 ,  朱廷刚 ,  李亦衡 ,  张葶葶 ,  王科 ,  李仕强 ,  张子瑜

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/66143

Abstract: 本发明公开了一种二极管用外延片及其制备方法。该二极管用外延片，包括依次层叠设置的衬底、GaN二维生长层、SiNx模板层、GaN恢复层、重掺杂nGaN层、轻掺杂nGaN层，所述外延片还包括覆盖在所述轻掺杂nGaN层的背离所述重掺杂nGaN层一侧的另一侧面上的SiNx帽层，其中，所述的衬底为带有AlN盖层的蓝宝石平片衬底，所述的SiNx模板层是在GaN二维生长层的背离所述衬底一侧的另一侧面上使用SiH4和NH3原位生长形成的，所述SiNx层的厚度低于一个原子层的厚度。利用本发明的外延片制成的二极管终端器件的反向击穿电压和正向导通电流得到了显著提高、漏电降低，通过设置SiNx帽层，有效防止了器件表面被氧化导致器件性能退化的情况发生，提高了其使用寿命。

公开(公告)号：CN106098793A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610496968.7

申请日：2016-06-30

Applicant: 江苏能华微电子科技发展有限公司

Inventor： 王东盛 ,  朱廷刚 ,  李亦衡 ,  张葶葶 ,  王科 ,  李仕强 ,  张子瑜

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/66143

Abstract: 本发明公开了一种肖特基二极管用外延片及其制备方法。该二极管外延片，包括依次层叠设置的衬底、GaN二维生长层、SiNx模板层、GaN恢复层、重掺杂nGaN层、轻掺杂nGaN层，所述外延片还包括覆盖在所述轻掺杂nGaN层的背离所述重掺杂nGaN层一侧的另一侧面上的InAlN帽层，其中，所述的衬底为带有AlN盖层的蓝宝石平片衬底，所述的SiNx模板层是在GaN二维生长层的背离所述衬底一侧的另一侧面上使用SiH4和NH3原位生长形成的，所述SiNx层的厚度低于一个原子层的厚度。利用本发明的外延片制成的肖特基二极管终端器件的漏电较低、使用寿命长，减小了电流密度、提高了器件的反向击穿电压。

公开(公告)号：CN106098746A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610496970.4

申请日：2016-06-30

Applicant: 江苏能华微电子科技发展有限公司

Inventor： 王东盛 ,  朱廷刚 ,  李亦衡 ,  张葶葶 ,  王科 ,  李仕强 ,  张子瑜

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/0684 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明公开了一种二极管用外延片及其制备方法。该二极管用外延片，包括依次层叠设置的衬底、GaN二维生长层、SiNx模板层、GaN恢复层、重掺杂nGaN层、轻掺杂nGaN层，所述外延片还包括覆盖在所述轻掺杂nGaN层的背离所述重掺杂nGaN层一侧的另一侧面上的LTGaN帽层，其中，所述的衬底为带有AlN盖层的蓝宝石平片衬底，所述的SiNx模板层是在GaN二维生长层的背离所述衬底一侧的另一侧面上使用SiH4和NH3原位生长形成的，所述SiNx层的厚度低于一个原子层的厚度。利用本发明的外延片制成的二极管终端器件的反向击穿电压和正向导通电流得到了显著提高、漏电降低，其使用寿命也得到了大大延长。