公开(公告)号：CN105720096A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201510980339.7

申请日：2015-12-23

Applicant: 电力集成公司

Inventor： A·库迪姆 ,  J·拉姆德尼 ,  L·刘

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/404 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明描述了一种高电子迁移率晶体管，该高电子迁移率晶体管包括多个场板。在第一实施方式中，HEMT包括：第一半导体材料和第二半导体材料，所述第一半导体材料和所述第二半导体材料被设置以形成一个异质结，在所述异质结处出现二维电子气；以及一个源极电极、一个漏极电极和一个栅极电极。所述栅极电极被设置以调节在所述源极电极和所述漏极电极之间所述异质结中的导电性。栅极具有一个漏极侧边缘。一个连接栅极的场板被设置在所述栅极电极的漏极侧边缘之上并且朝向漏极横向延伸。一个第二场板被设置在所述连接栅极的场板的漏极侧边缘之上并且朝向漏极横向延伸。

公开(公告)号：CN104022148A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201410059960.5

申请日：2014-02-21

Applicant: 电力集成公司

Inventor： J·拉姆德尼 ,  M·墨菲 ,  J·P·爱德华兹

IPC: H01L29/737

Abstract: 一种异质结构半导体器件，包含第一活性层和布置在该第一活性层上的第二活性层。二维电子气层被形成在该第一活性层与该第二活性层之间。AlSiN钝化层被布置在该第二活性层上。第一欧姆接触点和第二欧姆接触点电学连接到该第二活性层。该第一欧姆接触点和该第二欧姆接触点横向间隔开，栅极被布置在该第一欧姆接触点与该第二欧姆接触点之间。

公开(公告)号：CN105720096B

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN201510980339.7

申请日：2015-12-23

Applicant: 电力集成公司

Inventor： A·库迪姆 ,  J·拉姆德尼 ,  L·刘

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40

Abstract: 本发明描述了一种高电子迁移率晶体管，该高电子迁移率晶体管包括多个场板。在第一实施方式中，HEMT包括：第一半导体材料和第二半导体材料，所述第一半导体材料和所述第二半导体材料被设置以形成一个异质结，在所述异质结处出现二维电子气；以及一个源极电极、一个漏极电极和一个栅极电极。所述栅极电极被设置以调节在所述源极电极和所述漏极电极之间所述异质结中的导电性。栅极具有一个漏极侧边缘。一个连接栅极的场板被设置在所述栅极电极的漏极侧边缘之上并且朝向漏极横向延伸。一个第二场板被设置在所述连接栅极的场板的漏极侧边缘之上并且朝向漏极横向延伸。

公开(公告)号：CN104022148B

公开(公告)日：2020-03-20

申请号：CN201410059960.5

申请日：2014-02-21

Applicant: 电力集成公司

Inventor： J·拉姆德尼 ,  M·墨菲 ,  J·P·爱德华兹

IPC: H01L29/737

Abstract: 一种异质结构半导体器件，包含第一活性层和布置在该第一活性层上的第二活性层。二维电子气层被形成在该第一活性层与该第二活性层之间。AlSiN钝化层被布置在该第二活性层上。第一欧姆接触点和第二欧姆接触点电学连接到该第二活性层。该第一欧姆接触点和该第二欧姆接触点横向间隔开，栅极被布置在该第一欧姆接触点与该第二欧姆接触点之间。

公开(公告)号：CN103681835A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310412459.8

申请日：2013-09-11

Applicant: 电力集成公司

Inventor： J·拉姆德尼 ,  M·墨菲 ,  L·刘

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/737 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L23/3192 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 异质结构半导体器件，包括第一有源层和第二有源层，第二有源层布置在第一有源层上。二维电子气体层，形成在第一有源层和第二有源层之间。第一栅极电介质层布置在第二有源层上。第二栅极电介质层布置在第一栅极电介质层上。钝化层布置在第二栅极电介质层上。栅极穿过所述钝化层延伸到达所述第二栅极电介质层。第一欧姆接触和第二欧姆接触电连接到第二有源层。第一欧姆接触和第二欧姆接触横向间隔开，栅极被布置在第一欧姆接触和第二欧姆接触之间。

公开(公告)号：CN103681835B

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201310412459.8

申请日：2013-09-11

Applicant: 电力集成公司

Inventor： J·拉姆德尼 ,  M·墨菲 ,  L·刘

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/737 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L23/3192 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 异质结构半导体器件，包括第一有源层和第二有源层，第二有源层布置在第一有源层上。二维电子气体层，形成在第一有源层和第二有源层之间。第一栅极电介质层布置在第二有源层上。第二栅极电介质层布置在第一栅极电介质层上。钝化层布置在第二栅极电介质层上。栅极穿过所述钝化层延伸到达所述第二栅极电介质层。第一欧姆接触和第二欧姆接触电连接到第二有源层。第一欧姆接触和第二欧姆接触横向间隔开，栅极被布置在第一欧姆接触和第二欧姆接触之间。

公开(公告)号：CN103165444B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201210520205.3

申请日：2012-12-06

Applicant: 电力集成公司

Inventor： J·拉姆德尼 ,  J·P·爱德华兹 ,  L·刘

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L21/0226 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02642 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/78

Abstract: 公开了适于形成电子器件的硅上方的GaN衬底，以及制作这些衬底的方法，所述电子器件例如是异质结场效应晶体管（HFET）。在硅晶圆的顶部表面上的晶体Al2O3膜中形成孔隙。所述硅晶圆的顶部表面沿着 硅晶体取向。多个层压层沉积在所述孔隙和所述Al2O3膜上方。每个层压层都包括AlN膜和GaN膜。晶体管或其他器件可在顶部GaN膜中形成。

公开(公告)号：CN103137476B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201210494905.X

申请日：2012-11-28

Applicant: 电力集成公司

Inventor： J·拉姆德尼 ,  L·刘 ,  J·P·爱德华兹

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28264 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种制备用于功率晶体管器件的多层结构的方法，包括：在一个反应腔内，执行氮等离子体撞击，导致直接在基于氮化物的有源半导体层上形成氮化物层。然后，将氮化物层的顶面暴露至第二源。随后的氮氧等离子体撞击导致直接在所述氮化物层上形成氮氧化物层。所述氮化物层包括一个钝化层，所述氮氧化物层包括所述功率晶体管器件的栅极电介质。

公开(公告)号：CN103137476A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210494905.X

申请日：2012-11-28

Applicant: 电力集成公司

Inventor： J·拉姆德尼 ,  L·刘 ,  J·P·爱德华兹

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28264 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种制备用于功率晶体管器件的多层结构的方法，包括：在一个反应腔内，执行氮等离子体撞击，导致直接在基于氮化物的有源半导体层上形成氮化物层。然后，将氮化物层的顶面暴露至第二源。随后的氮氧等离子体撞击导致直接在所述氮化物层上形成氮氧化物层。所述氮化物层包括一个钝化层，所述氮氧化物层包括所述功率晶体管器件的栅极电介质。

公开(公告)号：CN106206258B

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201610751506.5

申请日：2012-12-06

Applicant: 电力集成公司

Inventor： J·拉姆德尼 ,  J·P·爱德华兹 ,  L·刘

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/10 ,  H01L29/20

Abstract: 本发明涉及在硅衬底上形成GaN层的方法以及GaN衬底。所述在硅衬底上形成GaN层的方法包括：在硅晶圆和位于该硅晶圆表面上的Al2O3膜之间形成一个非晶AlSiO膜；以及在所述Al2O3膜上方沉积多个层压层，其中每个层压层都包括位于AlN层上方的GaN层。所述GaN衬底包括：一个硅衬底，具有沿着 晶体取向的顶部表面和底部表面；一个Al2O3膜，在所述硅衬底的顶部表面的上方，其中所述Al2O3膜是晶体；一个非晶膜，在所述硅衬底的顶部表面和所述Al2O3膜之间；以及多个层压层，在所述Al2O3膜上方，其中每个层压层都包括位于AlN膜上方的GaN膜。