公开(公告)号：CN101352108B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200680049571.8

申请日：2006-12-22

Applicant: 夏普株式会社 ,  积水化学工业株式会社

Inventor： 若崎环树 ,  佐藤崇 ,  田中惠一 ,  中嶋节男 ,  真弓聪 ,  中野良宪

IPC: H05H1/24 ,  B65G49/06 ,  C23C16/458 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/316 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/68742 ,  B65G49/064 ,  B65G49/065 ,  B65G2249/02 ,  B65G2249/04 ,  B65G2249/045 ,  H01J37/32431 ,  H01J2237/20 ,  H01L21/68778

Abstract: 本发明涉及台装置和等离子体处理装置。提供在台的载置面上载置有被处理基板的状态下，在升降销的上端和载置面之间不产生高低平面差的台装置，此外，还提供利用该台装置作为电极台，能够抑制处理不均的发生的等离子体处理装置。在电极台(2)的中央部，配置有沿销移动方向具有弹性的弹簧式升降销(20)。弹簧式升降销(20)在收容位置上，销上端(20a)从电极台(2)的载置面(11)向上方突出，通过在载置面(11)上载置并吸附被处理基板(4)，由于从被处理基板(4)受到的负荷而被压下至与载置面(11)相同的高度。

公开(公告)号：CN101352108A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200680049571.8

申请日：2006-12-22

Applicant: 夏普株式会社 ,  积水化学工业株式会社

Inventor： 若崎环树 ,  佐藤崇 ,  田中惠一 ,  中嶋节男 ,  真弓聪 ,  中野良宪

IPC: H05H1/24 ,  B65G49/06 ,  C23C16/458 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/316 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/68742 ,  B65G49/064 ,  B65G49/065 ,  B65G2249/02 ,  B65G2249/04 ,  B65G2249/045 ,  H01J37/32431 ,  H01J2237/20 ,  H01L21/68778

Abstract: 本发明涉及台装置和等离子体处理装置。提供在台的载置面上载置有被处理基板的状态下，在升降销的上端和载置面之间不产生高低平面差的台装置，此外，还提供利用该台装置作为电极台，能够抑制处理不均的发生的等离子体处理装置。在电极台(2)的中央部，配置有沿销移动方向具有弹性的弹簧式升降销(20)。弹簧式升降销(20)在收容位置上，销上端(20a)从电极台(2)的载置面(11)向上方突出，通过在载置面(11)上载置并吸附被处理基板(4)，由于从被处理基板(4)受到的负荷而被压下至与载置面(11)相同的高度。

公开(公告)号：CN100423194C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200380100254.0

申请日：2003-10-07

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 川崎真一 ,  中武纯夫 ,  北畠裕也 ,  中嶋节男 ,  江口勇司 ,  安西纯一郎 ,  中野良宪

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/50

Abstract: 在等离子体成膜设备中，连接到电源(4)的两个第一种电极(51)和两个接地的第二种电极(52)以第二种电极(52)、第一种电极(51)、第一种电极(51)和第二种电极(52)的顺序安置。在中心第一种电极(51)之间形成的第一种流道(50a)使用于形成到膜中的原材料气体(第一种气体)从其中通过。在两侧的第一种和第二种电极(51、52)之间形成的第二种流道的等离子体放电空间(50b)使可激发气体(第二种气体)从其中通过，可激发气体被等离子体激发使得原材料可形成到膜中，但是可激发气体本身仅仅被激发，但是不形成到膜中。那些气体汇集在第一种和第二种流道之间的交叉部分(20c)，通过共同喷气通道(25a)喷出。这样可以防止设备组成构件例如电极被膜粘附。

公开(公告)号：CN105189817B

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201480014032.5

申请日：2014-09-12

Applicant: 积水化学工业株式会社 ,  独立行政法人产业技术总合研究所

Inventor： 藤沼尚洋 ,  功刀俊介 ,  中嶋节男 ,  广瀬伸吾 ,  江塚幸敏 ,  明渡纯

IPC: C23C24/04 ,  H01G9/20

CPC classification number: C23C24/04 ,  H01G9/2031 ,  H01G9/2059 ,  H01L51/0045 ,  H01L51/0046 ,  Y02E10/542 ,  Y02P70/521

Abstract: [1]一种复合膜的制造方法，该复合膜含有无机半导体和导电助剂，其中，将上述无机半导体和上述导电助剂以物理方式喷涂至基材而制膜。[2]上述制造方法中，进一步对上述通过喷涂而制成的复合膜进行下述处理：使上述复合膜与含有电子传导带的能量低于上述导电助剂的化合物或上述化合物的前体的溶液接触。[3]上述制造方法中，使用由在氧存在下加热时产生热氧化反应的材料构成的导电助剂作为上述导电助剂，将含有上述无机半导体及上述导电助剂的复合微粒喷涂至基材而制膜。[4]上述制造方法中，上述复合微粒为混合由上述无机半导体构成的微粒和由构成上述导电助剂的材料构成的微粒而成的混合粉末。[5]上述制造方法中，上述导电助剂的含碳率为50质量％。

公开(公告)号：CN105189817A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201480014032.5

申请日：2014-09-12

Applicant: 积水化学工业株式会社 ,  独立行政法人产业技术总合研究所

Inventor： 藤沼尚洋 ,  功刀俊介 ,  中嶋节男 ,  广瀬伸吾 ,  江塚幸敏 ,  明渡纯

IPC: C23C24/04 ,  H01G9/20

CPC classification number: C23C24/04 ,  H01G9/2031 ,  H01G9/2059 ,  H01L51/0045 ,  H01L51/0046 ,  Y02E10/542 ,  Y02P70/521

Abstract: [1]一种复合膜的制造方法，该复合膜含有无机半导体和导电助剂，其中，将上述无机半导体和上述导电助剂以物理方式喷涂至基材而制膜。[2]上述制造方法中，进一步对上述通过喷涂而制成的复合膜进行下述处理：使上述复合膜与含有电子传导带的能量低于上述导电助剂的化合物或上述化合物的前体的溶液接触。[3]上述制造方法中，使用由在氧存在下加热时产生热氧化反应的材料构成的导电助剂作为上述导电助剂，将含有上述无机半导体及上述导电助剂的复合微粒喷涂至基材而制膜。[4]上述制造方法中，上述复合微粒为混合由上述无机半导体构成的微粒和由构成上述导电助剂的材料构成的微粒而成的混合粉末。[5]上述制造方法中，上述导电助剂的含碳率为50质量％。