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公开(公告)号：CN108140628B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN201680058117.2
申请日：2016-10-07
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/60 , H01L27/146
Abstract: 本发明涉及半导体装置，所述半导体装置包括第一半导体元件，所述第一半导体元件包括至少一个具有凹陷形状的凸块焊盘。所述至少一个凸块焊盘包括第一金属层和所述第一金属层上的第二金属层。所述半导体装置包括第二半导体元件，所述第二半导体元件包括至少一个电极。所述半导体装置包括微凸块，所述微凸块将所述至少一个凸块焊盘电气地连接到所述至少一个电极。所述微凸块包括所述第二金属层的扩散部，并且所述第一半导体元件或者所述第二半导体元件包括像素单元。本发明还涉及用于制造所述半导体装置的方法。
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公开(公告)号：CN111316409B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN201880072281.8
申请日：2018-10-19
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
Inventor： 中村卓矢
IPC: H01L21/60 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/146
Abstract: 即使当焊盘小型化时，本发明也能提高焊接强度。该半导体装置设置有焊盘、扩散层和熔融层。设置在所述半导体装置中的所述焊盘在其所述表面中包括凹部，并经过焊接。设置在所述半导体装置中的所述扩散层由布置在所述凹部中并当进行焊接时扩散到所述焊料中并保留在所述焊盘的表面上的金属制成。设置在所述半导体装置中的所述熔融层由与所述扩散层相邻布置并当进行焊接时扩散到所述焊料中并熔融的金属制成。
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公开(公告)号：CN116941038A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202180094569.7
申请日：2021-12-28
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明使设置有像素的半导体封装的小型化变得容易。半导体封装包括透明部件、半导体芯片、感光性肋部和中介层。在该半导体封装中，像素被排列在半导体芯片的芯片平面的一部分上。感光性肋部是布置在半导体芯片的芯片平面中不对应于像素的区域和透明部件之间的感光性树脂。此外，中介层电气连接到半导体芯片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114335039A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111423047.5
申请日：2016-10-07
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H01L23/488 , H01L21/60 , H01L23/31
Abstract: 本发明涉及摄像装置和半导体装置。摄像装置包括：第一基板，包括一个或多个像素；触点，被布置在第一基板上，并且包括面对第一基板的第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一绝缘层，在第一基板上，并且包括在触点的第二表面上方的开口；至少一个凸块焊盘，包括：第一金属层，被布置在第一绝缘层的开口中，并且电连接至触点；和第二金属层，在第一金属层上，并且被布置在第一绝缘层的开口中；第二绝缘层，在第一绝缘层上，并且包括第二金属层上方的开口；第二基板，包括逻辑电路和至少一个电极；以及微凸块，将至少一个凸块焊盘电连接至至少一个电极，并且位于第二绝缘层的开口中。
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公开(公告)号：CN106796941B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201580045723.6
申请日：2015-08-28
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
Abstract: 本发明涉及如下的固体摄像器件、摄像装置、电子设备和半导体装置：它们能够使用简单的方法来防止填充在基板与倒装芯片电气连接的部位中的底部填充树脂溢出，并且还能够防止例如电气短路及与加工装备的接触等二次损害。通过利用用于形成片上透镜的成型技术，以围绕着透镜材质层的经由焊料凸块连接有倒装芯片的范围的方式来形成环形或方形的堤坝，所述透镜材质层被设置于固体摄像器件的基板的顶层上且是为了形成所述片上透镜而被提供的。因此，该堤坝能够阻挡填充在基板与倒装芯片电气连接的范围内的底部填充树脂。本发明能够应用到固体摄像器件。
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公开(公告)号：CN111316409A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201880072281.8
申请日：2018-10-19
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
Inventor： 中村卓矢
IPC: H01L21/60 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/146
Abstract: 即使当焊盘小型化时，本发明也能提高焊接强度。该半导体装置设置有焊盘、扩散层和熔融层。设置在所述半导体装置中的所述焊盘在其所述表面中包括凹部，并经过焊接。设置在所述半导体装置中的所述扩散层由布置在所述凹部中并当进行焊接时扩散到所述焊料中并保留在所述焊盘的表面上的金属制成。设置在所述半导体装置中的所述熔融层由与所述扩散层相邻布置并当进行焊接时扩散到所述焊料中并熔融的金属制成。
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公开(公告)号：CN108140628A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680058117.2
申请日：2016-10-07
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/60 , H01L27/146
CPC classification number: H01L24/05 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L24/81 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L2224/0239 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/0361 , H01L2224/03616 , H01L2224/03828 , H01L2224/039 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05009 , H01L2224/05082 , H01L2224/05157 , H01L2224/05181 , H01L2224/05187 , H01L2224/05547 , H01L2224/05548 , H01L2224/05571 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/0603 , H01L2224/06181 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/1403 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/48463 , H01L2224/73257 , H01L2224/81011 , H01L2224/81022 , H01L2224/81065 , H01L2224/8114 , H01L2224/81191 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81464 , H01L2224/81469 , H01L2224/8182 , H01L2924/00014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01083 , H01L2924/01029 , H01L2924/01049 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明涉及摄像装置，所述摄像装置包括第一半导体元件，所述第一半导体元件包括至少一个具有凹陷形状的凸块焊盘。所述至少一个凸块焊盘包括第一金属层和所述第一金属层上的第二金属层。所述摄像装置包括第二半导体元件，所述第二半导体元件包括至少一个电极。所述摄像装置包括微凸块，所述微凸块将所述至少一个凸块焊盘电气地连接到所述至少一个电极。所述微凸块包括所述第二金属层的扩散部，并且所述第一半导体元件或者所述第二半导体元件包括像素单元。
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公开(公告)号：CN106796941A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580045723.6
申请日：2015-08-28
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
Abstract: 本发明涉及如下的固体摄像器件、摄像装置、电子设备和半导体装置：它们能够使用简单的方法来防止填充在基板与倒装芯片电气连接的部位中的底部填充树脂溢出，并且还能够防止例如电气短路及与加工装备的接触等二次损害。通过利用用于形成片上透镜的成型技术，以围绕着透镜材质层的经由焊料凸块连接有倒装芯片的范围的方式来形成环形或方形的堤坝，所述透镜材质层被设置于固体摄像器件的基板的顶层上且是为了形成所述片上透镜而被提供的。因此，该堤坝能够阻挡填充在基板与倒装芯片电气连接的范围内的底部填充树脂。本发明能够应用到固体摄像器件。
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