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公开(公告)号：CN1826519B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200480020896.4
申请日：2004-06-10
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G01N21/64 , G01N33/53 , G01N33/536
CPC classification number: G01N21/6452 , G01N21/6428 , G01N33/582 , G01N35/00069 , G01N2021/6482
Abstract: 生物测定基板(1)具有类似诸如CD的光盘的平的形状以及圆形的主表面。在圆形基板(1)的中心，形成有供用于旋转和夹持的卡盘机构插入的中心孔(2)。基板(1)围绕中心孔(2)旋转。基板(1)具有两个区域，即，同心形成的记录区(3)和反应区(4)。类似于光盘信息记录介质，利用激光束向/从记录区(3)光学地记录/再现信息。反应区(4)是探针DNA(用于检测的核苷酸链)和样品DNA(目标核苷酸链)之间发生相互作用、特别是发生杂交反应的区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100380579C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200510107040.7
申请日：2005-09-27
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种制备薄膜半导体器件的方法，该方法包括采用激光束辐射非晶半导体薄膜以使非晶半导体薄膜结晶的退火步骤。在该退火步骤中，用激光束连续辐射半导体薄膜，并同时以预定速度移动激光束辐射的半导体薄膜的位置，从而可以从激光束辐射的区域中除去过剩氢，而不在半导体薄膜中发生氢离子的蒸发和扩散。
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公开(公告)号：CN1816744B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200480019326.3
申请日：2004-07-05
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G01N33/5438 , G01N33/553
Abstract: 一种生物测定基板(1)具有类似于例如CD等光盘的圆形且平的主侧。围绕中心孔(2)旋转驱动基板(1)。基板(1)在其表面(1a)上设置有多个井(8)，探针DNA(检测用核苷酸链)和样品DNA(目标核苷酸链)在该井中发生杂交反应。一透明电极层(4)形成在基板(1)中的井(8)的下方。在杂交时，一外部电极(18)从基板(1)的上表面(1a)侧靠近，并且在透明电极层(4)和外部电极(18)之间施加AC电源，从而在垂直方向上向基板(1)施加一AC电场。
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公开(公告)号：CN1826519A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200480020896.4
申请日：2004-06-10
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G01N21/64 , G01N33/53 , G01N33/536
CPC classification number: G01N21/6452 , G01N21/6428 , G01N33/582 , G01N35/00069 , G01N2021/6482
Abstract: 生物测定基板(1)具有类似诸如CD的光盘的平的形状以及圆形的主表面。在圆形基板(1)的中心，形成有供用于旋转和夹持的卡盘机构插入的中心孔(2)。基板(1)围绕中心孔(2)旋转。基板(1)具有两个区域，即，同心形成的记录区(3)和反应区(4)。类似于光盘信息记录介质，利用激光束向/从记录区(3)光学地记录/再现信息。反应区(4)是探针DNA(用于检测的核苷酸链)和样品DNA(目标核苷酸链)之间发生相互作用、特别是发生杂交反应的区域。
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公开(公告)号：CN1816744A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200480019326.3
申请日：2004-07-05
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G01N33/5438 , G01N33/553
Abstract: 一种生物测定基板(1)具有类似于例如CD等光盘的圆形且平的主侧。围绕中心孔(2)旋转驱动基板(1)。基板(1)在其表面(1a)上设置有多个井(8)，探针DNA(检测用核苷酸链)和样品DNA(目标核苷酸链)在该井中发生杂交反应。一透明电极层(4)形成在基板(1)中的井(8)的下方。在杂交时，一外部电极(18)从基板(1)的上表面(1a)侧靠近，并且在透明电极层(4)和外部电极(18)之间施加AC电源，从而在垂直方向上向基板(1)施加一AC电场。
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公开(公告)号：CN1770393A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510107040.7
申请日：2005-09-27
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1285 , H01L21/0242 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/02675 , H01L21/02691 , H01L27/1214
Abstract: 本发明提供一种制备薄膜半导体器件的方法，该方法包括采用激光束辐射非晶半导体薄膜以使非晶半导体薄膜结晶的退火步骤。在该退火步骤中，用激光束连续辐射半导体薄膜，并同时以预定速度移动激光束辐射的半导体薄膜的位置，从而可以从激光束辐射的区域中除去过剩氢，而不在半导体薄膜中发生氢离子的蒸发和扩散。
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