公开(公告)号：CN100380579C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200510107040.7

申请日：2005-09-27

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 町田晓夫 ,  赤尾裕隆 ,  龟井隆广 ,  中尾勇

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种制备薄膜半导体器件的方法，该方法包括采用激光束辐射非晶半导体薄膜以使非晶半导体薄膜结晶的退火步骤。在该退火步骤中，用激光束连续辐射半导体薄膜，并同时以预定速度移动激光束辐射的半导体薄膜的位置，从而可以从激光束辐射的区域中除去过剩氢，而不在半导体薄膜中发生氢离子的蒸发和扩散。

公开(公告)号：CN1770393A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510107040.7

申请日：2005-09-27

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 町田晓夫 ,  赤尾裕隆 ,  龟井隆广 ,  中尾勇

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1285 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/02691 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明提供一种制备薄膜半导体器件的方法，该方法包括采用激光束辐射非晶半导体薄膜以使非晶半导体薄膜结晶的退火步骤。在该退火步骤中，用激光束连续辐射半导体薄膜，并同时以预定速度移动激光束辐射的半导体薄膜的位置，从而可以从激光束辐射的区域中除去过剩氢，而不在半导体薄膜中发生氢离子的蒸发和扩散。