公开(公告)号：CN100481482C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200480011816.9

申请日：2004-03-05

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 北野良昭 ,  阿部秀司 ,  黑岩淳 ,  平田清 ,  大木洋昭 ,  唐泽信浩 ,  滝泽律夫 ,  山下满 ,  佐藤充 ,  国分胜则

IPC: H01L27/148 ,  H04N5/335

Abstract: 通过以良好平衡的方法改善噪声特性和读出特性从而提供了一种具有满意的噪声特性和读出特性的固态成像装置。所述固态成像装置具有如此的结构使得在构成像素的光接收传感器部分11的一侧提供读信号电荷；将预定的电压信号V施加到形成以覆盖除了光接收传感器部分11之外的图像拾取区的光屏蔽膜9；在构成光接收传感器部分11的光电转换区的第一导电型半导体区2的表面上的中心形成第二导电型半导体区6，且包含比第二导电型半导体区6的掺杂浓度更低的掺杂浓度的区10(10A、10B)形成于第一导电型半导体区2的表面上在电极8侧的端部和像素隔离区3侧的相对端部。

公开(公告)号：CN1781192A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200480011816.9

申请日：2004-03-05

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 北野良昭 ,  阿部秀司 ,  黑岩淳 ,  平田清 ,  大木洋昭 ,  唐泽信浩 ,  滝泽律夫 ,  山下满 ,  佐藤充 ,  国分胜则

IPC: H01L27/148 ,  H04N5/335

Abstract: 通过以良好平衡的方法改善噪声特性和读出特性从而提供了一种具有满意的噪声特性和读出特性的固态成像装置。所述固态成像装置具有如此的结构使得在构成像素的光接收传感器部分11的一侧提供读信号电荷；将预定的电压信号V施加到形成以覆盖除了光接收传感器部分11之外的图像拾取区的光屏蔽膜9；在构成光接收传感器部分11的光电转换区的第一导电型半导体区2的表面上的中心形成第二导电型半导体区6，且包含比第二导电型半导体区6的掺杂浓度更低的掺杂浓度的区10(10A、10B)形成于第一导电型半导体区2的表面上在电极8侧的端部和像素隔离区3侧的相对端部。