公开(公告)号：CN101508432A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200810005631.7

申请日：2008-02-14

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 梶浦尚志 ,  李勇明 ,  王钰 ,  刘云圻 ,  曹灵超 ,  魏大程 ,  石大川 ,  张洪亮 ,  于贵

IPC: C01B31/02 ,  B32B7/08 ,  B32B9/00 ,  H01L51/52 ,  H01L51/54

CPC classification number: H01L51/0003 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/174 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/28 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/5215 ,  Y02E10/549 ,  Y10T428/30 ,  Y10T428/31786

Abstract: 本发明提供制造柔性透明导电碳纳米管(CNT)膜的方法，以及由所述方法制备的CNT膜。本发明也涉及使用亚硫酰溴(SOBr2)作为掺杂剂处理CNT膜的方法、具有夹层结构的CNT膜层压体、包括该CNT膜层压体的柔性透明阳极和包括该阳极的有机发光二极管(LED)。与通常的浸渍方法相比，本申请的方法能够快速和完全地除去薄膜过滤器，而不破坏所得到的CNT，这使得得到的CNT膜能够在电致发光或光伏器件中得到更加广泛的应用。

公开(公告)号：CN101450797B

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN200710196650.8

申请日：2007-11-29

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 梶浦尚志 ,  李勇明 ,  张洪亮 ,  刘云圻 ,  曹灵超 ,  李祥龙 ,  魏大程 ,  王钰 ,  石大川

IPC: C01B31/02 ,  C09C3/06 ,  B82B3/00

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/168 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/04 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/845 ,  Y10S977/847

Abstract: 一种处理碳纳米管的方法、碳纳米管以及碳纳米管元件。在该处理碳纳米管的方法中，使用SO3气体在高温例如385～475℃的处理温度下对碳纳米管进行处理。

公开(公告)号：CN101450797A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200710196650.8

申请日：2007-11-29

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 梶浦尚志 ,  李勇明 ,  张洪亮 ,  刘云圻 ,  曹灵超 ,  李祥龙 ,  魏大程 ,  王钰 ,  石大川

IPC: C01B31/02 ,  C09C3/06 ,  B82B3/00

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/168 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/04 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/845 ,  Y10S977/847

Abstract: 一种处理碳纳米管的方法、碳纳米管以及碳纳米管元件。在该处理碳纳米管的方法中，使用SO3气体在高温例如385～475℃的处理温度下对碳纳米管进行处理。