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公开(公告)号：CN102362354B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201080013440.0
申请日：2010-03-23
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/7816 , H01L29/045 , H01L29/1045 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/45 , H01L29/66068 , H01L29/7811 , H01L29/7813
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包括：第1导电型半导体层；第2导电型的多个主体区域，在从上述半导体层的表面至厚度方向的中间部的区域，在与上述厚度方向垂直的方向空出间隔形成；第1导电型源极区域，在各主体区域的表层部，与上述主体区域的周缘空出间隔形成；栅极绝缘膜，形成在上述半导体层上；和栅极电极，形成在所述栅极绝缘膜上，在上述半导体层，通过从其表面向下挖掘以形成横跨在彼此相邻的2个上述源极区域之间的槽，由上述栅极绝缘膜覆盖上述槽的内面，上述栅极电极具有与上述半导体的表面对置的表面对置部以及在上述槽中埋设的埋设部。
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公开(公告)号：CN101253633B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200680032093.X
申请日：2006-08-22
IPC: H01L29/51 , H01L21/28 , H01L29/78 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/66068 , H01L21/049 , H01L21/31666 , H01L29/1608 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/7395 , H01L29/7802
Abstract: 一种碳化硅半导体器件(90)，包括：1)碳化硅衬底(1)；2)由多晶硅构成的栅电极(7)；以及3)ONO绝缘膜(9)，该ONO绝缘膜(9)被夹在碳化硅衬底(1)与栅电极(7)之间，从而形成栅极结构，并且该ONO绝缘膜(9)包括从碳化硅衬底(1)开始依次形成的如下部分：a)第一二氧化硅膜(O)(10)，b)SiN膜(N)(11)，以及c)SiN热氧化膜(O)(12、12a、12b)。其中氮包括在如下位置中的至少一个中：i)在第一二氧化硅膜(O)(10)中和在碳化硅衬底(1)附近，以及ii)在碳化硅衬底(1)与第一二氧化硅膜(O)(10)之间的界面中。
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公开(公告)号：CN112955846A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201980070781.2
申请日：2019-10-30
Applicant: 罗姆股份有限公司
Abstract: 本发明的半导体装置包括电池侧的第一端子、逆变电路侧的第二端子和晶体管。半导体装置构成为，通过对施加于晶体管的控制端子的电压进行控制，容许从第一端子向第二端子的电流的供给，并且容许从第二端子向第一端子的电流的供给。第一端子与第二端子之间的耐压为电池电压以上。
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公开(公告)号：CN103855223A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201410095346.4
申请日：2010-03-23
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7816 , H01L29/045 , H01L29/1045 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/45 , H01L29/66068 , H01L29/7811 , H01L29/7813
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包括：第1导电型半导体层；第2导电型的多个主体区域，在从上述半导体层的表面至厚度方向的中间部的区域，在与上述厚度方向垂直的方向空出间隔形成；第1导电型源极区域，在各主体区域的表层部，与上述主体区域的周缘空出间隔形成；栅极绝缘膜，形成在上述半导体层上；和栅极电极，形成在所述栅极绝缘膜上，在上述半导体层，通过从其表面向下挖掘以形成横跨在彼此相邻的2个上述源极区域之间的槽，由上述栅极绝缘膜覆盖上述槽的内面，上述栅极电极具有与上述半导体的表面对置的表面对置部以及在上述槽中埋设的埋设部。
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公开(公告)号：CN102822977A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180017302.4
申请日：2011-03-30
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66734 , H01L21/02164 , H01L21/02271 , H01L21/02529 , H01L21/0254 , H01L21/0465 , H01L21/31111 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/0657 , H01L29/0696 , H01L29/0886 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/45 , H01L29/512 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66068 , H01L29/7811 , H01L29/7813
Abstract: 本发明的半导体装置包含：第一导电型的半导体层；在所述半导体层的表层部隔开间隔而形成多个的第二导电型的体区域；形成于各所述体区域的表层部的第一导电型的源极区域；设在所述半导体层上，架跨在相邻的所述体区域之间的栅极绝缘膜；设在所述栅极绝缘膜上，与所述体区域对置的栅极电极；以及设在相邻的所述体区域之间，缓和在所述栅极绝缘膜产生的电场的电场缓和部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101218681B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200680024512.5
申请日：2006-06-26
IPC: H01L29/78 , H01L29/267 , H01L21/04 , H01L29/772 , H01L29/24
CPC classification number: H01L21/049 , H01L29/1608 , H01L29/267 , H01L29/66068 , H01L29/772 , H01L29/7828
Abstract: 公开了一种半导体装置(20)的制造方法。所述半导体装置(20)包括：1.半导体衬底(1，2)；2.异质半导体区域(3)，其被配置为与半导体衬底(1，2)的第一主面(1A)接触，并且在带隙上与半导体衬底(1，2)不同；3.栅电极(7)，其通过栅极绝缘膜(6)与异质半导体区域(3)和半导体衬底(1，2)之间的接合部(13)的一部分接触；4.源电极(8)，其被配置为连接到异质半导体区域(3)；以及5.漏电极(9)，其被配置为与半导体衬底(1，2)进行欧姆连接。所述方法包括以下连续工序：i.形成栅极绝缘膜(6)；ii.氮化所述栅极绝缘膜(6)。
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公开(公告)号：CN112930632A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201980070740.3
申请日：2019-10-30
Applicant: 罗姆股份有限公司
Abstract: 本发明的半导体单元包括半导体装置、控制部和电阻部。半导体装置具有设置在电池的正极与逆变电路之间的晶体管，逆变电路与电池电连接。控制部与晶体管的控制端子连接，控制晶体管。电阻部设置在控制端子与控制部之间。控制部以在流过晶体管的电流为阈值以上的情况下使晶体管截止的方式控制晶体管。电阻部的电阻值为100Ω以上。
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公开(公告)号：CN112913100A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201980070751.1
申请日：2019-10-30
Applicant: 罗姆股份有限公司
Abstract: 本发明的半导体单元设置在电动机与控制电动机的逆变电路之间。半导体单元包括晶体管和控制部。晶体管设置在对逆变电路供电的电池的正极与逆变电路之间，控制从所述电池向所述逆变电路的电力供给。控制部与晶体管的控制端子连接，控制施加于所述控制端子的电压即控制电压。控制部在从电池向逆变电路的电力供给开始时，控制控制电压使晶体管间歇动作，并且使施加于晶体管的控制端子的控制电压比晶体管全导通时的控制电压低。
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公开(公告)号：CN102822977B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180017302.4
申请日：2011-03-30
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66734 , H01L21/02164 , H01L21/02271 , H01L21/02529 , H01L21/0254 , H01L21/0465 , H01L21/31111 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/0657 , H01L29/0696 , H01L29/0886 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/45 , H01L29/512 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66068 , H01L29/7811 , H01L29/7813
Abstract: 本发明的半导体装置包含：第一导电型的半导体层；在所述半导体层的表层部隔开间隔而形成多个的第二导电型的体区域；形成于各所述体区域的表层部的第一导电型的源极区域；设在所述半导体层上，架跨在相邻的所述体区域之间的栅极绝缘膜；设在所述栅极绝缘膜上，与所述体区域对置的栅极电极；以及设在相邻的所述体区域之间，缓和在所述栅极绝缘膜产生的电场的电场缓和部。
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公开(公告)号：CN112955846B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN201980070781.2
申请日：2019-10-30
Applicant: 罗姆股份有限公司
Abstract: 本发明的半导体装置包括电池侧的第一端子、逆变电路侧的第二端子和晶体管。半导体装置构成为，通过对施加于晶体管的控制端子的电压进行控制，容许从第一端子向第二端子的电流的供给，并且容许从第二端子向第一端子的电流的供给。第一端子与第二端子之间的耐压为电池电压以上。
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