公开(公告)号：CN103081008B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201180042042.6

申请日：2011-08-09

Applicant: 艾沃思宾技术公司

Inventor： 孙吉军 ,  P·马瑟 ,  S·皮塔姆巴拉姆 ,  J·斯劳特 ,  R·韦格 ,  N·里佐

IPC: G11B5/33

CPC classification number: H01L43/10 ,  G01R33/098 ,  H01L43/12 ,  Y10T29/49117

Abstract: 提供用于形成参考层的传感器和制造工艺，该参考层具有基本上正交的磁化方向，该磁化方向具有小补偿角的零偏移。一个示例性实施例包括基于磁阻薄膜的磁场传感器的传感器层堆叠，该传感器层堆叠包括：钉扎层；被钉扎层包括：在钉扎层之上的非晶材料的层，以及在非晶材料的层之上的晶体材料的第一层；在被钉扎层之上的非磁性耦合层；在非磁性耦合层之上的第一层；在固定层之上的隧道势垒；以及，在非磁中间层之上的感测层。另一个实施例包括传感器层堆叠，其中，被钉扎层包括由非晶层分开的两个晶体层。

公开(公告)号：CN103081008A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201180042042.6

申请日：2011-08-09

Applicant: 艾沃思宾技术公司

Inventor： 孙吉军 ,  P·马瑟 ,  S·皮塔姆巴拉姆 ,  J·斯劳特 ,  R·韦格 ,  N·里佐

IPC: G11B5/33

CPC classification number: H01L43/10 ,  G01R33/098 ,  H01L43/12 ,  Y10T29/49117

Abstract: 提供用于形成参考层的传感器和制造工艺，该参考层具有基本上正交的磁化方向，该磁化方向具有小补偿角的零偏移。一个示例性实施例包括基于磁阻薄膜的磁场传感器的传感器层堆叠，该传感器层堆叠包括：钉扎层；被钉扎层包括：在钉扎层之上的非晶材料的层，以及在非晶材料的层之上的晶体材料的第一层；在被钉扎层之上的非磁性耦合层；在非磁性耦合层之上的第一层；在固定层之上的隧道势垒；以及，在非磁中间层之上的感测层。另一个实施例包括传感器层堆叠，其中，被钉扎层包括由非晶层分开的两个晶体层。