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公开(公告)号：CN103003883A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201180034784.4
申请日：2011-05-26
Applicant: 艾沃思宾技术公司
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/1657 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675
Abstract: 一种对自旋力矩磁致电阻存储器阵列进行编程的装置和方法，该磁致电阻存储器阵列包括位于多个磁致电阻位中每一个磁致电阻位附近且被配置为通过在电流经其流过时产生磁场来将该多个磁致电阻存储元件设置为已知状态的金属复位线。然后向这些磁致电阻位中所选择的磁致电阻位施加自旋力矩转移电流，以将所选择的位切换到编程状态。在另一种操作模式中，在产生磁场之前感测该多个位的电阻。在产生磁场之后再次感测该电阻，根据电阻改变来确定每个位的初始状态所代表的数据。然后仅向那些电阻与施加磁场之前不同的磁致电阻位施加自旋力矩转移电流。
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公开(公告)号：CN101861622A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200880116627.6
申请日：2008-10-10
Applicant: 艾沃思宾技术公司
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/1675 , G11C11/161
Abstract: 本发明涉及具有减小的电流密度的磁性元件。一种存储装置，包括固定磁性层、在固定磁性层上方的隧道势垒层、及形成在隧道势垒层上方的自由磁性结构，其中，自由磁性结构具有弱铁磁性地耦合的子层的层。因而，低编程电压可用来避免隧道势垒击穿，并且小导通晶体管可用来节省模具不动产。
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公开(公告)号：CN101861622B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN200880116627.6
申请日：2008-10-10
Applicant: 艾沃思宾技术公司
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/1675 , G11C11/161
Abstract: 本发明涉及具有减小的电流密度的磁性元件。一种存储装置，包括固定磁性层、在固定磁性层上方的隧道势垒层、及形成在隧道势垒层上方的自由磁性结构，其中，自由磁性结构具有弱铁磁性地耦合的子层的层。因而，低编程电压可用来避免隧道势垒击穿，并且小导通晶体管可用来节省模具不动产。
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公开(公告)号：CN103081008A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180042042.6
申请日：2011-08-09
Applicant: 艾沃思宾技术公司
IPC: G11B5/33
CPC classification number: H01L43/10 , G01R33/098 , H01L43/12 , Y10T29/49117
Abstract: 提供用于形成参考层的传感器和制造工艺，该参考层具有基本上正交的磁化方向，该磁化方向具有小补偿角的零偏移。一个示例性实施例包括基于磁阻薄膜的磁场传感器的传感器层堆叠，该传感器层堆叠包括：钉扎层；被钉扎层包括：在钉扎层之上的非晶材料的层，以及在非晶材料的层之上的晶体材料的第一层；在被钉扎层之上的非磁性耦合层；在非磁性耦合层之上的第一层；在固定层之上的隧道势垒；以及，在非磁中间层之上的感测层。另一个实施例包括传感器层堆叠，其中，被钉扎层包括由非晶层分开的两个晶体层。
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公开(公告)号：CN106848058B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201710077081.9
申请日：2012-06-07
Applicant: 艾沃思宾技术公司
Abstract: 本发明公开了自旋扭矩磁阻存储元件及其制造方法。一种自旋扭矩磁阻存储元件具有高磁阻和低电流密度。自由磁层位于第一自旋极化器与第二自旋极化器之间。第一隧道势垒位于第一自旋极化器与自由磁层之间，第二隧道势垒位于第二自旋极化器与自由磁层之间。第二隧道势垒的磁阻比率具有比第一隧道势垒的磁阻的两倍大的值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102292773A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201080005490.4
申请日：2010-09-27
Applicant: 艾沃思宾技术公司
IPC: G11C5/12
CPC classification number: H01L27/22 , B82Y25/00 , G01R33/093 , H01L43/08
Abstract: 三个电桥电路(101、111、121)每一均包括耦合成惠斯通电桥(100)的磁电阻传感器，以在三个正交方向(110、120、130)上感测磁场(160)，它们是通过单个钉扎材料淀积和体晶片设定工序来设定的。三个电桥电路中的一个(121)包括第一磁电阻传感器(141)，其包括：第一感测元件(122)，设置在钉扎层(126)上，第一感测元件(122)具有第一和第二边缘以及第一和第二面；以及第一通量引导件(132)，设置为与衬底的第一面不平行，并且具有接近第一感测元件(122)的第一边缘和第一面的末端。可选的第二通量引导件(136)可以被设置为与衬底的第一面不平行，并且具有接近第一感测元件(122)的第二边缘和第二面的末端。
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公开(公告)号：CN103608861B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201280028432.2
申请日：2012-06-07
Applicant: 艾沃思宾技术公司
IPC: G11B5/39
CPC classification number: H01L43/12 , G11C11/161 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 一种自旋扭矩磁阻存储元件具有高磁阻和低电流密度。自由磁层位于第一自旋极化器与第二自旋极化器之间。第一隧道势垒位于第一自旋极化器与自由磁层之间，第二隧道势垒位于第二自旋极化器与自由磁层之间。第二隧道势垒的磁阻比率具有比第一隧道势垒的磁阻的两倍大的值。
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公开(公告)号：CN103003883B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201180034784.4
申请日：2011-05-26
Applicant: 艾沃思宾技术公司
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/1657 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675
Abstract: 一种对自旋力矩磁致电阻存储器阵列进行编程的装置和方法，该磁致电阻存储器阵列包括位于多个磁致电阻位中每一个磁致电阻位附近且被配置为通过在电流经其流过时产生磁场来将该多个磁致电阻存储元件设置为已知状态的金属复位线。然后向这些磁致电阻位中所选择的磁致电阻位施加自旋力矩转移电流，以将所选择的位切换到编程状态。在另一种操作模式中，在产生磁场之前感测该多个位的电阻。在产生磁场之后再次感测该电阻，根据电阻改变来确定每个位的初始状态所代表的数据。然后仅向那些电阻与施加磁场之前不同的磁致电阻位施加自旋力矩转移电流。
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公开(公告)号：CN103608861A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201280028432.2
申请日：2012-06-07
Applicant: 艾沃思宾技术公司
IPC: G11B5/39
CPC classification number: H01L43/12 , G11C11/161 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 一种自旋扭矩磁阻存储元件具有高磁阻和低电流密度。自由磁层位于第一自旋极化器与第二自旋极化器之间。第一隧道势垒位于第一自旋极化器与自由磁层之间，第二隧道势垒位于第二自旋极化器与自由磁层之间。第二隧道势垒的磁阻比率具有比第一隧道势垒的磁阻的两倍大的值。
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公开(公告)号：CN106848058A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710077081.9
申请日：2012-06-07
Applicant: 艾沃思宾技术公司
CPC classification number: H01L43/12 , G11C11/161 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 本发明公开了自旋扭矩磁阻存储元件及其制造方法。一种自旋扭矩磁阻存储元件具有高磁阻和低电流密度。自由磁层位于第一自旋极化器与第二自旋极化器之间。第一隧道势垒位于第一自旋极化器与自由磁层之间，第二隧道势垒位于第二自旋极化器与自由磁层之间。第二隧道势垒的磁阻比率具有比第一隧道势垒的磁阻的两倍大的值。
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