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公开(公告)号：CN119287520A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411725978.4
申请日：2024-11-28
Applicant: 苏州立琻半导体有限公司 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: C30B29/40 , H01L21/02 , H01L21/205 , C30B29/68 , C30B25/16
Abstract: 本发明公开了一种高质量AlN薄膜材料及其制备方法。所述外延结构包括：AlN基础层、形成层和合并层；基础层为密实层，具有600‑750nm的厚度；形成层和合并层中内嵌有多个孔洞结构，开口于形成层中，闭合于合并层中；并且具有选定截面形状的孔洞的占比在50%以上。本发明所提供的技术方案通过适当的AlN基础层厚度控制减少不规则孔洞形成的机会，并调整孔洞结构的生成密度，以及通过AlN形成层生长条件的控制引导孔洞结构趋向于统一的截面形状，从而阻止孔洞结构形成不规则不统一的截面形状，避免孔洞结构合并时对准困难，减少新增位错的产生，显著提升了AlN外延层的品质。
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公开(公告)号：CN119730506A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411821774.0
申请日：2024-12-11
Applicant: 苏州立琻半导体有限公司 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H10H20/84 , H10H20/831 , H10H20/01
Abstract: 本发明公开了一种高光效发光二极管结构及制作方法，所述高光效发光二极管结构包括：基板；发光单元，位于基板上方，所述发光单元包括依次层叠于基板上方的P型半导体层、有源层及N型半导体层，所述发光单元中设有自P型半导体层的下表面延伸至N型半导体层的第一凹槽；电极，包括设于第一凹槽内且与N型半导体层相接触的第一电极，设于P型半导体层下表面上的第二电极，以及设于第一电极的下表面上的覆盖电极，所述覆盖电极与基板电连接；绝缘层，位于发光单元与基板之间且至少填充于部分第一凹槽内。本发明实现了在不影响第二电极质量的同时，获得了具有良好欧姆接触的第一电极，并改善了高温退火后第一电极上绝缘层附着力差的问题。
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公开(公告)号：CN119317272A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411627489.5
申请日：2024-11-14
Applicant: 苏州立琻半导体有限公司 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H10H20/851 , H10H20/84 , H10H20/01 , H10H29/24
Abstract: 本发明公开了一种发光器件及其制备方法，所述发光器件包括：基板，所述基板的上表面上设有第一电极和第二电极；至少一个发光单元，所述发光单元包括至少两个间隔分布的芯片，所述芯片包括P电极和N电极，所述P电极和N电极通过ACF异性导电膜分别与第一电极和第二电极电连接；隔离转换单元，设于发光单元的上方，所述隔离转换单元包括隔离层和波长转换结构，所述隔离层在每个芯片的上方设有贯穿隔离层上表面和下表面的隔离槽，至少部分隔离槽中填充有波长转换结构。本发明实现了多彩化的发光器件，且有效提升了多彩化发光器件的显示效果和长期稳定性。
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公开(公告)号：CN119653940A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411689131.5
申请日：2024-11-25
Applicant: 苏州立琻半导体有限公司 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H10H20/816 , H10H20/01
Abstract: 本发明公开了一种改善UVC LED器件抗ESD能力的结构及方法。UVC外延结构包括n型半导体层、有源层和p型半导体层，n型半导体层包括沿指定方向依次层叠设置的第一层、第二层和第三层，第一层具有第一Al组分含量，第二层具有第二Al组分含量，第三层具有第三Al组分含量；第一层至少包含第一n型掺杂浓度，第二层至少包含第二掺杂浓度，第二层至少包含第三掺杂浓度；第一Al组分含量大于第二Al组分含量、第三Al组分含量，第一n型掺杂浓度小于第二n型掺杂浓度、第三n型掺杂浓度，第一n型掺杂浓度为低掺杂浓度或非故意掺杂。本发明中的n型半导体层中的第四层到第一层，各层对应的Al组分含量先降低后升高，控制各层掺杂关系，可以有效降低ESD。
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公开(公告)号：CN119451346A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411566124.6
申请日：2024-11-05
Applicant: 苏州立琻半导体有限公司 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本申请实施例涉及一种恒流驱动发光器件的制备方法及恒流驱动发光器件，制备方法包括：提供半导体生长衬底，半导体生长衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面；在第二表面侧外延生长半导体外延层，半导体外延层包括与半导体生长衬底连接的第三表面，半导体外延层包括沿远离半导体生长衬底方向依次层叠的第一半导体外延层、发光层和第二半导体外延层，第一半导体外延层、发光层和第二半导体外延层用于构成发光单元；从第一表面侧去除部分半导体生长衬底，以暴露部分第三表面，第三表面为发光单元的发光面；在剩余的半导体生长衬底中进行离子掺杂，形成多个离子掺杂区，以形成恒流单元。由此，提高了发光器件的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118969924A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410063695.1
申请日：2024-01-16
Applicant: 苏州立琻半导体有限公司 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L33/14 , H01L33/02 , H01L31/102 , H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/0304
Abstract: 本发明公开了一种紫外光电子器件的外延结构及其应用。该层叠结构包括层叠设置的n型半导体结构层、功能层和p型半导体结构层，p型半导体结构层包括沿选定方向层叠设置的电子阻挡层、空穴运输层和接触层；p型半导体结构层还包括黑线层，黑线层设置在空穴运输层和接触层之间，电子阻挡层、空穴运输层和黑线层均是由含Al的III族氮化物半导体材料形成的，接触层是由含Al或不含Al的III族氮化物半导体材料形成的，并且，黑线层的带隙高于接触层、空穴运输层中任一者的带隙。本发明提供的一种层叠结构可以有效地阻挡低温的接触层的杂质和空位等缺陷向功能层扩散，有效地改善器件可靠性和工作寿命。
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公开(公告)号：CN222840029U
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202420106862.1
申请日：2024-01-16
Applicant: 苏州立琻半导体有限公司 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H10H20/816 , H10H20/81 , H10F30/22 , H10F77/14 , H10F77/30 , H10F77/124
Abstract: 本实用新型公开了一种紫外光电子器件的外延结构及光电子器件。该层叠结构包括层叠设置的n型半导体结构层、功能层和p型半导体结构层，p型半导体结构层包括沿选定方向层叠设置的电子阻挡层、空穴运输层和接触层；p型半导体结构层还包括黑线层，黑线层设置在空穴运输层和接触层之间，电子阻挡层、空穴运输层和黑线层均是由含Al的III族氮化物半导体材料形成的，接触层是由含Al或不含Al的III族氮化物半导体材料形成的，并且，黑线层的带隙高于接触层、空穴运输层中任一者的带隙。本实用新型提供的一种层叠结构可以有效地阻挡低温的接触层的杂质和空位等缺陷向功能层扩散，有效地改善器件可靠性和工作寿命。
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公开(公告)号：CN113437198A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110792197.7
申请日：2021-07-13
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所广东(佛山)研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明涉及一种深紫外LED封装方法，包括如下步骤：步骤一：将若干倒装或薄膜倒装芯片按设计放置于黏性薄膜上且芯片电极朝向远离黏性薄膜的方向；步骤二：在黏性薄膜上涂覆一层胶体材料并固化为胶体层，令芯片位于胶体层内；步骤三：刻蚀胶体层直至露出芯片电极；步骤四：剥离黏性薄膜；步骤五：剥离黏性薄膜后在胶体层远离芯片电极的一面沉积一层保护层；步骤六：将芯片与胶体层同步焊接在设置有电路的基板上。在本发明中，可将若干芯片按设计封置胶体层内，可实现深紫外LED的集成封装。芯片与胶体层同步焊接，提高深紫外封装可靠性与气密性，同时胶体层厚度与芯片相同，芯片表面仅沉积一层保护层，紫外光出射经过的介质层距离短，提高光的出射率。
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公开(公告)号：CN113776026A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110964612.2
申请日：2021-08-20
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所广东(佛山)研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开一种发光装置，包括框体、光源组件以及气凝胶层，所述框体具有一侧开口的安装腔，所述光源组件设于所述安装腔，所述光源组件用于发出光线，所述气凝胶层设于所述安装腔且位于所述光源组件的发光侧，其中，所述光线入射所述气凝胶层以使所述气凝胶层呈现预设颜色。本发明提供的发光装置，通过在所述光源组件的发光侧设置所述气凝胶层，所述光源组件发出的光线经过所述气凝胶层中的孔洞会发生瑞利散射，从而使所述气凝胶层呈现蓝色，通过模拟蓝天形成的过程呈现出蓝天效果，所述气凝胶层内部孔洞分布均匀，提高所述气凝胶层上呈现蓝色的均匀性，模拟蓝天的效果好；且所述气凝胶层性质稳定，利于发光装置的使用寿命。
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公开(公告)号：CN113517375A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110324699.7
申请日：2021-03-25
Applicant: 佛山中国科学院产业技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所广东(佛山)研究院
Abstract: 本发明公开一种III‑V族氮化物半导体基板的制备方法，包括：步骤一：样品的制备，在衬底的第一表面上生长形成缓冲层；在所述缓冲层上生长III‑V族氮化物半导体材料层；步骤二：样品的电化学腐蚀，将样品和惰性金属放入电解质溶液中，并将所述衬底的第二表面连接电源正极，将电源负极连接惰性金属，通电进行电化学腐蚀，所述衬底和所述缓冲层之间被腐蚀分离，得到III‑V族氮化物半导体基板。本发明技术方案通过在衬底与缓冲层之间形成异质结，界面处会形成高导电层，电化学腐蚀会从此高导电层开始腐蚀，从而将III‑V族氮化物半导体材料层和衬底进行剥离，这种剥离方法具有工艺简单、成本低等优点，适合大规模生产。
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