公开(公告)号：CN102656685B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201080057189.8

申请日：2010-11-01

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 马晴 ,  C·胡 ,  P·莫罗

IPC: H01L23/485 ,  H05K3/46

CPC classification number: H01L23/49822 ,  B32B2457/08 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15184 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/16251 ,  H05K3/42 ,  H05K3/4605 ,  H05K2201/0195 ,  H05K2201/096 ,  Y10T156/10 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开的是用于集成电路（IC）器件的衬底实施例。衬底包括由结合在一起的两个或更多分立玻璃层构成的芯。可以在相邻的玻璃层之间设置独立的结合层以将这些层耦合在一起。衬底还可以包括多层玻璃芯相对侧上，或者可能在芯的一侧的构造结构。可以在衬底的两侧上形成导电端子，IC管芯可以与衬底一侧上的端子耦合。相对侧的端子可以与下一级部件，例如电路板耦合。一个或多个导体贯穿多层玻璃芯，一个或多个导体可以与设置于芯上的构造结构电耦合。描述并主张了其它实施例。

公开(公告)号：CN105977234A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610344776.4

申请日：2010-11-01

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 马晴 ,  C·胡 ,  P·莫罗

IPC: H01L23/498 ,  H05K3/42 ,  H05K3/46

Abstract: 公开的是用于集成电路(IC)器件的衬底实施例。衬底包括由结合在一起的两个或更多分立玻璃层构成的芯。可以在相邻的玻璃层之间设置独立的结合层以将这些层耦合在一起。衬底还可以包括多层玻璃芯相对侧上，或者可能在芯的一侧的构造结构。可以在衬底的两侧上形成导电端子，IC管芯可以与衬底一侧上的端子耦合。相对侧的端子可以与下一级部件，例如电路板耦合。一个或多个导体贯穿多层玻璃芯，一个或多个导体可以与设置于芯上的构造结构电耦合。描述并主张了其它实施例。

公开(公告)号：CN102656685A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201080057189.8

申请日：2010-11-01

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 马晴 ,  C·胡 ,  P·莫罗

IPC: H01L23/485 ,  H05K3/46

CPC classification number: H01L23/49822 ,  B32B2457/08 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15184 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/16251 ,  H05K3/42 ,  H05K3/4605 ,  H05K2201/0195 ,  H05K2201/096 ,  Y10T156/10 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开的是用于集成电路（IC）器件的衬底实施例。衬底包括由结合在一起的两个或更多分立玻璃层构成的芯。可以在相邻的玻璃层之间设置独立的结合层以将这些层耦合在一起。衬底还可以包括多层玻璃芯相对侧上，或者可能在芯的一侧的构造结构。可以在衬底的两侧上形成导电端子，IC管芯可以与衬底一侧上的端子耦合。相对侧的端子可以与下一级部件，例如电路板耦合。一个或多个导体贯穿多层玻璃芯，一个或多个导体可以与设置于芯上的构造结构电耦合。描述并主张了其它实施例。

公开(公告)号：CN1980854A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200580017634.7

申请日：2005-06-23

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 约翰·赫克 ,  马晴 ,  埃亚·巴尔-萨德哈

IPC: B81B7/00

CPC classification number: B81C1/0023 ,  Y10S977/701 ,  Y10S977/724

Abstract: 一种设备可以包括：第一衬底、耦合到第一衬底的一个或多个微机电系统(MEMS)、与第一衬底耦合的第二衬底、以及耦合到第二衬底的一个或多个无源元件。一种方法可以包括：将具有耦合到其上的一个或多个MEMS的第一衬底与具有耦合到其上的一个或多个无源元件的第二衬底对准；以及耦合对准的衬底。

公开(公告)号：CN105977234B

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201610344776.4

申请日：2010-11-01

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 马晴 ,  C·胡 ,  P·莫罗

IPC: H01L23/498 ,  H05K3/42 ,  H05K3/46

Abstract: 公开的是用于集成电路(IC)器件的衬底实施例。衬底包括由结合在一起的两个或更多分立玻璃层构成的芯。可以在相邻的玻璃层之间设置独立的结合层以将这些层耦合在一起。衬底还可以包括多层玻璃芯相对侧上，或者可能在芯的一侧的构造结构。可以在衬底的两侧上形成导电端子，IC管芯可以与衬底一侧上的端子耦合。相对侧的端子可以与下一级部件，例如电路板耦合。一个或多个导体贯穿多层玻璃芯，一个或多个导体可以与设置于芯上的构造结构电耦合。描述并主张了其它实施例。