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公开(公告)号：CN104051437A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410094909.8
申请日：2014-03-14
Applicant: 英特尔IP公司
CPC classification number: H01L23/552 , H01L23/295 , H01L23/48 , H01L23/66 , H01L24/19 , H01L25/0655 , H01L2223/6677 , H01L2223/6688 , H01L2224/12105 , H01L2224/73267 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/1033 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01Q1/2283 , H01Q9/0414 , H01Q9/0421 , H01Q23/00 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件。一种半导体器件可以包括：芯片；至少部分地围绕所述芯片并且具有配置成接收第一电容性耦合结构的接收区的芯片封装结构；布置在所述接收区中的第一电容性耦合结构；以及布置在所述第一电容性耦合结构之上并且电容性地耦合到所述第一电容性耦合结构的第二电容性耦合结构。
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公开(公告)号：CN107750391A
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201580081209.8
申请日：2015-06-25
Applicant: 英特尔IP公司
CPC classification number: H01F17/0033 , H01F41/046 , H01F2027/2814 , H01L23/645 , H01L2224/0401 , H01L2224/11 , H01L2224/16265 , H01L2224/1703 , H01L2924/19042 , H01L2924/19104
Abstract: 本发明的实施例包含微电子装置和形成微电子装置的方法。在实施例中，微电子装置包含半导体管芯和电耦合到半导体管芯的电感器。电感器可包含一个或多个导电线圈，其远离半导体管芯的表面延伸。在实施例中，每个导电线圈可包含多个迹线。例如，第一迹线和第三迹线可在第一介电层上方形成，以及第二迹线可在第二介电层上方和芯上方形成。穿透第二介电层的第一通孔可将第一迹线耦合到第二迹线，以及穿透第二介电层的第二通孔可将第二迹线耦合到第三迹线。
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公开(公告)号：CN104051437B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410094909.8
申请日：2014-03-14
Applicant: 英特尔IP公司
CPC classification number: H01L23/552 , H01L23/295 , H01L23/48 , H01L23/66 , H01L24/19 , H01L25/0655 , H01L2223/6677 , H01L2223/6688 , H01L2224/12105 , H01L2224/73267 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/1033 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01Q1/2283 , H01Q9/0414 , H01Q9/0421 , H01Q23/00 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件。一种半导体器件可以包括：芯片；至少部分地围绕所述芯片并且具有配置成接收第一电容性耦合结构的接收区的芯片封装结构；布置在所述接收区中的第一电容性耦合结构；以及布置在所述第一电容性耦合结构之上并且电容性地耦合到所述第一电容性耦合结构的第二电容性耦合结构。
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