公开(公告)号：CN104051437B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201410094909.8

申请日：2014-03-14

Applicant: 英特尔IP公司

Inventor： M.克努德森 ,  T.迈尔 ,  S.马鲁塔姆图 ,  A.沃尔特 ,  G.赛德曼 ,  P.赫雷罗 ,  P.贾埃维南

IPC: H01L23/64 ,  H01Q1/22

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L23/295 ,  H01L23/48 ,  H01L23/66 ,  H01L24/19 ,  H01L25/0655 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2223/6688 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01Q1/2283 ,  H01Q9/0414 ,  H01Q9/0421 ,  H01Q23/00 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件。一种半导体器件可以包括：芯片；至少部分地围绕所述芯片并且具有配置成接收第一电容性耦合结构的接收区的芯片封装结构；布置在所述接收区中的第一电容性耦合结构；以及布置在所述第一电容性耦合结构之上并且电容性地耦合到所述第一电容性耦合结构的第二电容性耦合结构。

公开(公告)号：CN103117267B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201210351064.7

申请日：2012-09-19

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 乌韦·瓦尔

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L23/498 ,  H01L21/50 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/645 ,  H01L24/19 ,  H01L2223/6688 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种用于电隔离的信号传输的半导体装置以及此类装置的制造方法。该装置包括人工芯片，其中，具有电路结构的半导体芯片在除了其基面之外的所有其它面上如此嵌入电绝缘的填料，即人工芯片的基面由于填料与半导体芯片的基面相比变大；薄膜基底，被施加到放大的基面上并且同时越过半导体芯片的基面延伸到放大的基面内，其中，基底具有至少两个由绝缘材料制成的涂层，在这两个涂层之间设置有结构化的金属化层；第一线圈，通过一个或多个相应结构化的金属化层形成在基底内；以及第二线圈，如此通过一个或多个相应结构化的金属化层形成在基底内，或者通过相应形成的电路结构形成在半导体芯片内，即第二线圈与第一线圈磁耦合但与第一线圈电隔离。

公开(公告)号：CN101160733B

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN200680012334.4

申请日：2006-02-13

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 细川稔博 ,  东端和亮 ,  末定刚

IPC: H04B1/38 ,  H01L25/04 ,  H01L25/18 ,  H05K3/46

CPC classification number: H01L23/66 ,  H01L23/48 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2223/6688 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19106 ,  H01L2924/3025 ,  H04B1/005 ,  H04B1/0067 ,  H05K1/0298 ,  H05K1/141 ,  H05K1/16 ,  H05K1/183 ,  H05K3/3442

Abstract: 在一种高频模块中，构成使用第一频带的第一无线系统的电路元件的至少一部分与构成使用第二频带的第二无线系统的电路元件的至少一部分形成整体。高频模块设置有：多层基板(3)，其中层叠多个介电层；第一端子群(31)，它被排列在多层基板(3)的第一表面上并具有沿着构成该第一表面的四条侧边中的第一侧边(15)的多个端子(21，25a-25d)；以及第二端子群(32)，它被排列在多层基板(3)的第一表面上并具有沿着不同于第一侧边(15)的第二侧边(16)的多个端子(22，25d，26a，26b)。第一端子群(31)包括第一无线系统的第一天线端子(21)，而第二端子群(32)包括第二无线系统的第二天线端子(22)。

公开(公告)号：CN102027590A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200980118356.2

申请日：2009-02-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 铃木拓也

IPC: H01L23/02 ,  H01L23/12 ,  H01L25/04 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/043 ,  G01S2007/028 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2223/6616 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2223/6688 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/1903 ,  H01L2924/3025 ,  H01P3/121 ,  H01P3/16 ,  H01P5/107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 包括：内腔(5)，该内腔(5)通过电连接形成在多层电介体基板(2)形成并搭载多个高频电路(10、11、12)的接地导体(4)和屏蔽盖件(3)而构成；波导管开口(30)，该波导管开口(30)在搭载有高频电路(10、11、12)的接地导体(4)上形成，与内腔(5)电耦合；电介体波导管(40)该电介体波导管(40)朝着多层电介体基板(2)的层叠方向形成，并且与波导管开口(30)连接且前端短路，具有信号波的基板内有效波长的大约1/4的长度，能够通过使用单一内腔的便宜而且简单的结构，确保多个高频电路之间的空间隔离。

公开(公告)号：CN101160733A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200680012334.4

申请日：2006-02-13

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 细川稔博 ,  东端和亮 ,  末定刚

IPC: H04B1/38 ,  H01L25/04 ,  H01L25/18 ,  H05K3/46

CPC classification number: H01L23/66 ,  H01L23/48 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2223/6688 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19106 ,  H01L2924/3025 ,  H04B1/005 ,  H04B1/0067 ,  H05K1/0298 ,  H05K1/141 ,  H05K1/16 ,  H05K1/183 ,  H05K3/3442

Abstract: 在一种高频模块中，构成使用第一频带的第一无线系统的电路元件的至少一部分与构成使用第二频带的第二无线系统的电路元件的至少一部分形成整体。高频模块设置有：多层基板(3)，其中层叠多个介电层；第一端子群(31)，它被排列在多层基板(3)的第一表面上并具有沿着构成该第一表面的四条侧边中的第一侧边(15)的多个端子(21，25a－25d)；以及第二端子群(32)，它被排列在多层基板(3)的第一表面上并具有沿着不同于第一侧边(15)的第二侧边(16)的多个端子(22，25d，26a，26b)。第一端子群(31)包括第一无线系统的第一天线端子(21)，而第二端子群(32)包括第二无线系统的第二天线端子(22)。

公开(公告)号：CN1513205A

公开(公告)日：2004-07-14

申请号：CN02807909.4

申请日：2002-04-08

Applicant: 她瑞雅·宇和娜

Inventor： 她瑞雅·宇和娜

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L23/13 ,  H01L23/057 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2223/6688 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15162 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15173 ,  H01L2924/1903 ,  H01L2924/19033 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00

Abstract: 这里公开高频集成电路(HFIC)微系统组件及其制作方法。本公开的HFIC组件方法有最优化的结构，可最小化互联中的电磁能损耗。该组件优化了互联区域并消除了组件工艺所产生的大多数有害材料，因而无论对于IC组件，还是对环境都是有益的一种方法。已开发了各种具体用于HFIC封装的组件工艺，但它的多样性使它的用途从单片微波集成电路(MMIC)封装扩展到部分PCB组件，并且由于对环境有益，所以可代替其它PCB技术，特别是在高性能的应用中。HFIC组件包括一个第一基片(702，703)和一个第二基片(701)以及它们之间的一个芯片，第二基片(701)由绝缘体上有导体的片或具有高长宽比的沟槽和导体(705，706，707，708)的类似片组成。由第一和第二基片形成的公共地线(707，708，710，710’，711，711’)至少在邻近HF信号路径(706)处包围芯片。

公开(公告)号：CN104051437A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410094909.8

申请日：2014-03-14

Applicant: 英特尔IP公司

Inventor： M.克努德森 ,  T.迈尔 ,  S.马鲁塔姆图 ,  A.沃尔特 ,  G.赛德曼 ,  P.赫雷罗 ,  P.贾埃维南

IPC: H01L23/64 ,  H01Q1/22

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L23/295 ,  H01L23/48 ,  H01L23/66 ,  H01L24/19 ,  H01L25/0655 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2223/6688 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01Q1/2283 ,  H01Q9/0414 ,  H01Q9/0421 ,  H01Q23/00 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件。一种半导体器件可以包括：芯片；至少部分地围绕所述芯片并且具有配置成接收第一电容性耦合结构的接收区的芯片封装结构；布置在所述接收区中的第一电容性耦合结构；以及布置在所述第一电容性耦合结构之上并且电容性地耦合到所述第一电容性耦合结构的第二电容性耦合结构。

公开(公告)号：CN103026487A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201180036126.9

申请日：2011-03-28

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 泷泽晃一 ,  后藤义彦 ,  须藤薰 ,  藤井洋隆

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L23/66 ,  H01L23/055 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/16 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2223/6688 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10162 ,  H01Q1/2283 ,  H01Q9/0407 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 在封装基板(2)上，面部朝上地安装半导体部件(6)。在半导体部件(6)的表面(6A)，倒装式安装天线基板(15)。此时，在半导体部件(6)的表面(6A)设置元件侧高频信号端子(12)，而且在天线基板(15)的背面(15B)设置天线侧高频信号端子(17)，元件侧高频信号端子(12)以及天线侧高频信号端子(17)使用凸块(20)来电连接。由此，能将高频信号(RFt、RFr)用的天线基板(15)与基带信号(TS、RS)用的封装基板(2)进行分离。

公开(公告)号：CN101438505B

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN200780016709.9

申请日：2007-05-08

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 深町启介 ,  釰持茂 ,  萩原和弘

IPC: H04B1/44

CPC classification number: H04B1/44 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2223/6688 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/19105 ,  H04B1/0057

Abstract: 本发明提供一种高频电路，为选择性地采用第一频带和低于上述第一频带的第二频带的无线通信用的高频电路，具备：天线端子；输入第一及第二频带的发送信号的第一及第二发送端子；输出第一及第二频带的接收信号的第一及第二接收端子；分离第一频带的信号和第二频带的信号的路径的分波电路；切换发送信号和接收信号的路径的开关电路；设置在开关电路和第二接收端子之间，放大第二频带的接收信号的低噪声放大器电路；以及在天线端子和低噪声放大器电路之间，从天线端子开始依次设置的第一及第二滤波器电路，虽然使两个滤波器电路都通过第二频带的接收信号，但是阻止低于第二频带的频带，并且第一滤波器电路的阻止频带比第二滤波器电路的阻止频带低。

公开(公告)号：CN101174611A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710140216.8

申请日：2007-08-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋垠锡 ,  李希裼

IPC: H01L23/552 ,  H01L23/498 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H05K1/18 ,  H05K1/02 ,  H05K3/32 ,  H05K9/00

CPC classification number: H01L23/66 ,  H01L23/552 ,  H01L2223/6688 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了一种多接地屏蔽的半导体封装，该封装包括模拟电路块和数字电路块，并能防止高频噪声导致的模拟电路块和数字电路块之间的耦合问题。本发明还提供了一种制造多接地屏蔽的半导体封装的方法和一种防止多接地屏蔽的半导体封装中的噪声的方法。该多接地屏蔽的半导体封装包括：至少一个半导体芯片；电路板，半导体芯片安装在电路板上，多个电路块形成在电路板上，其中，独立于电路块的地端在电路块之间形成导电接地屏蔽，以防止电路块之间的噪声。