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公开(公告)号:CN108010885A
公开(公告)日:2018-05-08
申请号:CN201711044146.6
申请日:2017-10-31
Applicant: 英飞凌科技美国公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/488
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L21/486 , H01L21/52 , H01L23/481 , H01L2021/6009 , H01L2021/60135
Abstract: 用于芯片嵌入式衬底的输入/输出引脚可以通过以下步骤制作:将不同接触体积的焊料施加到凹陷在所述芯片嵌入式衬底内的至少两个接触部,温度循环所述芯片嵌入式衬底以引起焊料回流并为所述至少两个接触部中的每一个限定输入/输出引脚,以及为所述至少两个接触部中的每一个加工所述输入/输出引脚,以便从所述芯片嵌入式衬底暴露并延伸到规定公差内的共同高度。这种技术代表了一种范式转移,其中,芯片嵌入式衬底的制造商而不是制造商的直接客户可能承担最小化所述输入/输出引脚下方的非期望的焊料空隙捕获方面的质量控制的责任,从而增强现有客户的忠诚度并潜在地吸引新客户。
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公开(公告)号:CN107769520A
公开(公告)日:2018-03-06
申请号:CN201710717737.9
申请日:2017-08-21
Applicant: 英飞凌科技美国公司
CPC classification number: H02M3/158 , H01F27/292 , H01L2224/40095 , H01L2224/40137 , H01L2224/40245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2924/181 , H05K3/303 , H05K3/3436 , H05K2201/10515 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H02M1/00 , H01L23/52 , H05K1/18 , H05K3/34 , H05K2201/1003 , H05K2201/10166
Abstract: 在一些示例中,一种装置包括电感器和封装体,所述封装体包括至少一个功率装置。所述封装体通过粘附层附接到所述电感器,所述电感器包括一个或一个以上引线。所述一个或一个以上引线中的第一引线被配置成用来在所述至少一个功率装置与电感器之间导电,所述第一引线的表面和所述封装体的表面基本上是共面的。
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公开(公告)号:CN107393881A
公开(公告)日:2017-11-24
申请号:CN201710317824.5
申请日:2017-05-08
Applicant: 英飞凌科技美国公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/64 , H01L25/065
Abstract: 在一个实施方式中,一种半导体封装体包括集成电路(IC),所述集成电路附接到第一图案化导电载体的芯片焊盘区段,并且通过电连接器耦接到所述第一图案化导电载体的切换节点区段。此外,所述半导体封装体包括位于所述IC之上的第二图案化导电载体、位于所述第二图案化导电载体之上的磁性材料和位于所述磁性材料之上的第三图案化导电载体。所述第二图案化导电载体与所述第三图案化导电载体电耦接,以便在所述半导体封装体中形成集成的电感器的绕组。
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公开(公告)号:CN107768342B
公开(公告)日:2021-12-10
申请号:CN201710710220.7
申请日:2017-08-18
Applicant: 英飞凌科技美国公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/50 , H01L21/60
Abstract: 在一些示例中,装置包括在第一绝缘层内的集成电路、电感器、和布置在所述第一绝缘层与所述电感器之间的第二绝缘层。所述第一绝缘层与所述第二绝缘层共享界面,所述电感器附接到所述第二绝缘层。所述装置还包括导电路径,所述导电路径被配置成用来在所述IC与所述电感器之间导电,其中,所述导电路径在所述第二绝缘层内。
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公开(公告)号:CN107919350B
公开(公告)日:2021-03-12
申请号:CN201710930599.2
申请日:2017-10-09
Applicant: 英飞凌科技美国公司
Inventor: 赵应山
IPC: H01L25/07 , H01L25/16 , H01L23/488 , H01L23/49 , H01L23/492 , H01L21/60
Abstract: 一些示例中,一种装置包括至少两个半导体裸片,其中,所述至少两个半导体裸片中的每个相应的半导体裸片包括至少两个功率晶体管,在所述相应的半导体裸片的第一侧上的输入节点,在所述相应的半导体裸片的第一侧上的参考节点,和在所述相应的半导体裸片的第二侧上的开关节点。所述装置还包括电连接到所述至少两个半导体裸片的相应的输入节点的第一导电元件。所述装置还包括电连接到所述至少两个半导体裸片的相应的参考节点的第二导电元件。
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公开(公告)号:CN107769520B
公开(公告)日:2020-06-26
申请号:CN201710717737.9
申请日:2017-08-21
Applicant: 英飞凌科技美国公司
Abstract: 在一些示例中,一种装置包括电感器和封装体,所述封装体包括至少一个功率装置。所述封装体通过粘附层附接到所述电感器,所述电感器包括一个或一个以上引线。所述一个或一个以上引线中的第一引线被配置成用来在所述至少一个功率装置与电感器之间导电,所述第一引线的表面和所述封装体的表面基本上是共面的。
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公开(公告)号:CN107403794B
公开(公告)日:2020-06-30
申请号:CN201710362975.2
申请日:2017-05-22
Applicant: 英飞凌科技美国公司
Abstract: 在一实施方式中,半导体封装体包括:倒装地安装在第一图案化导电载体上的集成电路(IC)、布置在IC之上的第二图案化导电载体和布置在第二图案化导电载体之上的磁性材料。所述半导体封装体还包括布置在磁性材料之上的第三图案化导电载体。第二图案化导电载体与第三图案化导电载体电耦接,以便形成半导体封装体中的集成的电感器的绕组。
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公开(公告)号:CN107919340A
公开(公告)日:2018-04-17
申请号:CN201710867378.5
申请日:2017-09-22
Applicant: 英飞凌科技美国公司
Inventor: 赵应山
IPC: H01L23/495 , H01L25/07 , H01L21/60 , H02M7/00
Abstract: 在一些示例中,一种装置包括第一引线框架段和第二引线框架段,其中,所述第二引线框架段与所述第一引线框架段电隔离。所述装置还包括至少四个晶体管,所述至少四个晶体管包括电连接到所述第一引线框架段的至少两个高压侧晶体管和电连接到所述第二引线框架段的至少两个低压侧晶体管。所述装置还包括至少两个导电输出元件,其中,所述至少两个导电输出元件中的每个导电输出元件电连接到所述至少两个高压侧晶体管中的相应的高压侧晶体管和所述至少两个低压侧晶体管中的相应的低压侧晶体管。所述装置还包括电连接到所述至少四个晶体管中的每个晶体管的控制端子的集成电路。
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