具有在一侧之上的至少五个电连接部的功率转换器

    公开(公告)号:CN107769555B

    公开(公告)日:2020-06-09

    申请号:CN201710717739.8

    申请日:2017-08-21

    Inventor: 赵应山

    Abstract: 在一些示例中,装置包括集成电路,所述集成电路包括第一晶体管和第二晶体管。所述装置还包括电感器,所述电感器包括第一电感器端子和第二电感器端子,其中,所述第一电感器端子电连接到所述第一晶体管和所述第二晶体管。所述装置还包括在装置的第一侧之上的至少五个电连接部。

    用于芯片嵌入式衬底的输入/输出引脚

    公开(公告)号:CN108010885A

    公开(公告)日:2018-05-08

    申请号:CN201711044146.6

    申请日:2017-10-31

    Abstract: 用于芯片嵌入式衬底的输入/输出引脚可以通过以下步骤制作:将不同接触体积的焊料施加到凹陷在所述芯片嵌入式衬底内的至少两个接触部,温度循环所述芯片嵌入式衬底以引起焊料回流并为所述至少两个接触部中的每一个限定输入/输出引脚,以及为所述至少两个接触部中的每一个加工所述输入/输出引脚,以便从所述芯片嵌入式衬底暴露并延伸到规定公差内的共同高度。这种技术代表了一种范式转移,其中,芯片嵌入式衬底的制造商而不是制造商的直接客户可能承担最小化所述输入/输出引脚下方的非期望的焊料空隙捕获方面的质量控制的责任,从而增强现有客户的忠诚度并潜在地吸引新客户。

    具有集成的电感器的IC封装体

    公开(公告)号:CN107393881A

    公开(公告)日:2017-11-24

    申请号:CN201710317824.5

    申请日:2017-05-08

    Abstract: 在一个实施方式中,一种半导体封装体包括集成电路(IC),所述集成电路附接到第一图案化导电载体的芯片焊盘区段,并且通过电连接器耦接到所述第一图案化导电载体的切换节点区段。此外,所述半导体封装体包括位于所述IC之上的第二图案化导电载体、位于所述第二图案化导电载体之上的磁性材料和位于所述磁性材料之上的第三图案化导电载体。所述第二图案化导电载体与所述第三图案化导电载体电耦接,以便在所述半导体封装体中形成集成的电感器的绕组。

    具有公共连接结构的多相功率转换器

    公开(公告)号:CN107919350B

    公开(公告)日:2021-03-12

    申请号:CN201710930599.2

    申请日:2017-10-09

    Inventor: 赵应山

    Abstract: 一些示例中,一种装置包括至少两个半导体裸片,其中,所述至少两个半导体裸片中的每个相应的半导体裸片包括至少两个功率晶体管,在所述相应的半导体裸片的第一侧上的输入节点,在所述相应的半导体裸片的第一侧上的参考节点,和在所述相应的半导体裸片的第二侧上的开关节点。所述装置还包括电连接到所述至少两个半导体裸片的相应的输入节点的第一导电元件。所述装置还包括电连接到所述至少两个半导体裸片的相应的参考节点的第二导电元件。

    单侧功率装置封装体
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107768355B

    公开(公告)日:2020-07-03

    申请号:CN201710598826.6

    申请日:2017-07-21

    Inventor: 赵应山

    Abstract: 在一些示例中,电路封装体包括绝缘层和延伸穿过所述绝缘层的第一晶体管,其中,所述第一晶体管包括在所述绝缘层的顶侧的第一控制端子、在绝缘层的顶侧的第一源极端子和在绝缘层的底侧的第一漏极端子。所述电路封装体还包括延伸穿过所述绝缘层的第二晶体管,其中,所述第二晶体管包括在绝缘层的顶侧的第二控制端子、在绝缘层的底侧的第二源极端子和在绝缘层的顶侧的第二漏极端子。

    电装置及其制造方法
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107769520B

    公开(公告)日:2020-06-26

    申请号:CN201710717737.9

    申请日:2017-08-21

    Abstract: 在一些示例中,一种装置包括电感器和封装体,所述封装体包括至少一个功率装置。所述封装体通过粘附层附接到所述电感器,所述电感器包括一个或一个以上引线。所述一个或一个以上引线中的第一引线被配置成用来在所述至少一个功率装置与电感器之间导电,所述第一引线的表面和所述封装体的表面基本上是共面的。

    包括倒装地安装的IC和垂直集成的电感器的半导体封装体

    公开(公告)号:CN107403794B

    公开(公告)日:2020-06-30

    申请号:CN201710362975.2

    申请日:2017-05-22

    Abstract: 在一实施方式中,半导体封装体包括:倒装地安装在第一图案化导电载体上的集成电路(IC)、布置在IC之上的第二图案化导电载体和布置在第二图案化导电载体之上的磁性材料。所述半导体封装体还包括布置在磁性材料之上的第三图案化导电载体。第二图案化导电载体与第三图案化导电载体电耦接,以便形成半导体封装体中的集成的电感器的绕组。

    多相公共接触部封装体
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107919340A

    公开(公告)日:2018-04-17

    申请号:CN201710867378.5

    申请日:2017-09-22

    Inventor: 赵应山

    Abstract: 在一些示例中,一种装置包括第一引线框架段和第二引线框架段,其中,所述第二引线框架段与所述第一引线框架段电隔离。所述装置还包括至少四个晶体管,所述至少四个晶体管包括电连接到所述第一引线框架段的至少两个高压侧晶体管和电连接到所述第二引线框架段的至少两个低压侧晶体管。所述装置还包括至少两个导电输出元件,其中,所述至少两个导电输出元件中的每个导电输出元件电连接到所述至少两个高压侧晶体管中的相应的高压侧晶体管和所述至少两个低压侧晶体管中的相应的低压侧晶体管。所述装置还包括电连接到所述至少四个晶体管中的每个晶体管的控制端子的集成电路。

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