一种多芯片IGBT模块热安全运行域刻画方法

    公开(公告)号:CN113536627B

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202110726846.3

    申请日:2021-06-29

    Abstract: 本发明公开了一种多芯片IGBT模块热安全运行域刻画方法,首先,在ANSYS Q3D中建立IGBT模块的杂散电感提取模型,得到内部DBC布局的杂散电感矩阵;其次,分析IGBT瞬态开通过程中电流分布不均匀的机理,建立IGBT模块内部各芯片开通损耗的不均匀模型;在COMSOL中建立IGBT模块热阻提取的有限元热模型,得到不同散热条件下各芯片的热阻,包括自热阻和耦合热阻。基于仿真得到的热阻数据,拟合得到IGBT模块内部芯片的热阻网络随散热性能变化的解析模型;最后,在MATLAB脚本中编写多芯片IGBT模块的批量化结温计算程序,并基于不同工况下的最高芯片结温刻画器件的热安全运行域。

    多次老化采样的功率模块失效机理分析方法、系统、设备

    公开(公告)号:CN116757047A

    公开(公告)日:2023-09-15

    申请号:CN202310789135.X

    申请日:2023-06-29

    Abstract: 本发明提供多次老化采样的功率模块失效机理分析方法、系统、设备,涉及新能源及节能技术领域,采用多次老化采样的方法,以功率循环加速老化试验为基础,通过数字图像处理智能化算法识别超声波扫描的焊层图片从而建立焊层有限元仿真模型,通过多物理场仿真的方式获得准确的焊层失效机理。该方法有充分的试验与理论支撑,获取的失效机理结果可靠,弥补了现有对于功率模块失效机理研究中试验与仿真无法相互验证,并得到准确失效机理的问题。本发明的方法提出结合加速老化试验与有限元仿真研究失效机理,创新性强,且该方法适用于各种类型封装的研究,适用性广。

    一种基于工况的IGBT模块电-热-流体多场耦合仿真方法

    公开(公告)号:CN113435090B

    公开(公告)日:2022-10-25

    申请号:CN202110728570.2

    申请日:2021-06-29

    Abstract: 本发明公开了一种基于工况的IGBT模块电‑热‑流体多场耦合仿真方法,首先建立IGBT模块内部芯片级的损耗模型;其次建立描述IGBT模块内部热传导过程的热模型;然后建立描述散热系统中流体的热对流过程的共轭传热模型;最后基于COMSOL Multiphysic with MATLAB编写电‑热‑流体之间耦合变量的交互程序,本发明能够准确仿真出模块在不同工况下的瞬态结温变化,本发明方法充分考虑了不同物理场应力变化的时间尺度,能够在保证计算精度的同时有效地提高仿真效率,能够为电力电子系统的热设计提供有力的支持。

    一种多芯片IGBT模块热安全运行域刻画方法

    公开(公告)号:CN113536627A

    公开(公告)日:2021-10-22

    申请号:CN202110726846.3

    申请日:2021-06-29

    Abstract: 本发明公开了一种多芯片IGBT模块热安全运行域刻画方法,首先,在ANSYS Q3D中建立IGBT模块的杂散电感提取模型,得到内部DBC布局的杂散电感矩阵;其次,分析IGBT瞬态开通过程中电流分布不均匀的机理,建立IGBT模块内部各芯片开通损耗的不均匀模型;在COMSOL中建立IGBT模块热阻提取的有限元热模型,得到不同散热条件下各芯片的热阻,包括自热阻和耦合热阻。基于仿真得到的热阻数据,拟合得到IGBT模块内部芯片的热阻网络随散热性能变化的解析模型;最后,在MATLAB脚本中编写多芯片IGBT模块的批量化结温计算程序,并基于不同工况下的最高芯片结温刻画器件的热安全运行域。

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