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公开(公告)号：CN114420625A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111572096.5
申请日：2021-12-21
Applicant: 西安北方华创微电子装备有限公司 , 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本发明实施例提供了一种升降针机构、控制方法和半导体工艺设备，所述升降针机构包括：用于支撑晶圆的顶针、用于控制所述顶针升降的升降结构，以及设于所述升降结构内用于检测所述顶针受到的压力的压力传感器；所述方法包括通过获取所述顶针的升起过程中所述压力传感器检测的实际压力值；根据所述实际压力值和预设压力参考信息，控制所述升降结构将所述顶针升起或停止升起。本发明实施例解决了目前升降针机构无法判断晶圆在解吸附流程后是否发生了粘片现象的问题，实现了在解吸附流程后，在线判断晶圆是否发生了粘片，防止了在晶圆发生粘片的情况下，顶针盲目升起而导致晶圆偏移甚至腔室破片的现象。
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公开(公告)号：CN119153318A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202310712557.7
申请日：2023-06-15
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/033 , H01L21/3065 , H01L21/308
Abstract: 本申请公开一种自对准多重图形的形成方法及半导体器件，涉及半导体领域。自对准多重图形的形成方法包括：提供具有目标层的半导体衬底，在目标层上形成芯轴层和牺牲层；对芯轴层和牺牲层进行刻蚀，以形成芯轴掩膜图案；在目标层和芯轴掩膜图案上进行沉积，依次形成第一侧墙层、第二侧墙层和第三侧墙层，第三侧墙层填充第二侧墙层的间隙；在水平方向上去除第二侧墙层和第三侧墙层，以暴露第一侧墙层的顶面；去除暴露出的第二侧墙层；去除水平方向上的第一侧墙层，以暴露出牺牲层；去除暴露出的牺牲层及芯轴层；对目标层进行刻蚀，在目标层上形成预定图案。本申请解决当前自对准双重工艺难以满足小尺寸要求等问题。
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公开(公告)号：CN112466749B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202011281017.0
申请日：2020-11-16
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本申请提供一种硅片的刻蚀方法，包括交替执行的以下步骤：主刻蚀步骤：向半导体工艺设备的工艺腔室内通入主刻蚀气体，以对所述硅片进行刻蚀，直至获得具有指定深宽比的沟槽或通孔；辅刻蚀步骤：向所述工艺腔室内通入辅刻蚀气体，以继续对执行了所述主刻蚀步骤的硅片进行刻蚀，所述辅刻蚀气体中至少含有一种能够与硅反应生成不挥发性反应产物的气体，且所述辅刻蚀气体对硅片的刻蚀速率小于所述主刻蚀气体对硅片的刻蚀速率；其中，在不同的主刻蚀步骤中，所述指定深宽比不同。应用本申请，可以解决现有技术中高深宽比的深硅刻蚀容易出现侧壁形貌粗糙、不平整的问题。
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公开(公告)号：CN116844955A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310713043.3
申请日：2023-06-15
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/3213
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的刻蚀方法，该刻蚀方法包括：第一刻蚀阶段：利用第一刻蚀气体对目标膜层进行刻蚀，以在目标膜层上形成第一开口槽；第一刻蚀气体含有对目标膜层起刻蚀作用的第一元素和能够与目标膜层生成聚合物以保护第一开口槽的侧壁的第二元素；第二刻蚀阶段：利用第二刻蚀气体对经过第一刻蚀阶段的剩余厚度的目标膜层进行刻蚀，以增大第一开口槽的侧壁的垂直度；第二刻蚀气体含有第一元素和第二元素；第二刻蚀气体中第一元素的含量小于第一刻蚀气体中第一元素的含量；和/或，第二刻蚀气体中的第二元素的含量大于第一刻蚀气体中的第二元素的含量。本发明能够提升刻蚀速度及刻蚀均匀性，优化了侧壁形貌，能够精准传递关键尺寸。
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公开(公告)号：CN116736651A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310713747.0
申请日：2023-06-15
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: G03F7/42
Abstract: 本申请公开了一种工艺腔室及其去除晶圆表面光刻胶的方法，属于半导体工艺技术。该方法包括以下步骤：在工艺腔室内对晶圆完成刻蚀步骤后，继续向工艺腔室通入第一工艺气体，以清除光刻胶层表面上的刻蚀残留聚合物，第一工艺气体包括含氟气体或含氢气体；向工艺腔室通入第二工艺气体，以去除晶圆表面的光刻胶层。本技术方案，其可确保晶圆刻蚀完后其表面光刻胶层的去除效果，同时，具有省时省力及大大降低半导体工艺设备的成本等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115172155A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202211005114.6
申请日：2022-08-22
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种沟槽刻蚀方法，包括：第一刻蚀步骤，向工艺腔室通入第一刻蚀气体，并开启上电极电源和下电极电源，以对衬底进行刻蚀，直至达到预设刻蚀深度；第二刻蚀步骤，向工艺腔室通入第二刻蚀气体，并开启上电极电源和下电极电源，以继续对衬底进行刻蚀，直至达到目标刻蚀深度；其中，第二刻蚀步骤中，第二上电极功率信号和第二下电极功率信号均为射频脉冲信号，且第二上电极功率信号的周期中的信号输出时段和第二下电极功率信号的周期中的信号输出时段同步。本发明提供的沟槽刻蚀方法，不仅可以降低在刻蚀过程中产生的等离子体诱导损伤，而且还可以有效提高衬底刻蚀后的表面平滑度，避免形成“草”状物质。
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公开(公告)号：CN112530780A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011358152.0
申请日：2020-11-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体刻蚀方法，包括：刻蚀步骤，对半导体刻蚀设备工艺腔室中的待加工件进行刻蚀；清洁步骤，清除工艺腔室中的刻蚀产物。交替执行刻蚀步骤和清洁步骤。其中，清洁步骤包括：清除工艺腔室内部件表面剩余的保护层；清除工艺腔室中的刻蚀产物；对工艺腔室进行吹扫；在部件表面沉积保护层。本发明实施例提供的半导体刻蚀方法能够消除工艺腔室内部各种结构的表面性质之间的差异对半导体刻蚀工艺的影响，提高刻蚀待加工件的均匀性，进而提高产品良率。
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公开(公告)号：CN115223862B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202211005989.6
申请日：2022-08-22
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种沟槽刻蚀方法，包括第一循环步骤和第二循环步骤，二者均包括用于在衬底上刻蚀沟槽的刻蚀步、用于在沟槽侧壁上形成保护层的沉积步和用于去除沟槽底部的副产物的去除步；第一循环步骤中，依次循环执行刻蚀步、沉积步和去除步；第二循环步骤中，依次循环执行刻蚀步、去除步和沉积步。本发明提供的沟槽刻蚀方法，其可以改善深度负载效应，避免沟槽顶部的宽度过大，从而可以保证线条尺寸(Line CD)满足工艺要求，进而可以获得更垂直的刻蚀形貌。
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公开(公告)号：CN118248626A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410405376.4
申请日：2024-04-03
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/67 , H01L21/3213 , H01L21/8238
Abstract: 本发明提供一种应用于半导体膜层的刻蚀方法及半导体工艺设备，半导体膜层包括具有沟槽的衬底和位于衬底上的第一膜层，第一膜层包括填充在沟槽中的填充部和覆盖填充部以及衬底表面的覆盖部，刻蚀方法包括：采用第一工艺气体对覆盖部进行刻蚀，以去除覆盖部；采用第二工艺气体对填充部进行刻蚀，直至到达目标刻蚀厚度；其中，第二工艺气体包括刻蚀气体和保护气体，保护气体用于通过形成保护层来避免刻蚀后的填充部顶部存在凹陷。本方案可以获得顶部圆润没有凹陷的较平整形貌，进而可以提高第一膜层在起到电连通作用时与其他金属电接触的可靠性和稳定性，从而可以提高器件的良率和使用寿命。
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公开(公告)号：CN112530780B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202011358152.0
申请日：2020-11-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体刻蚀方法，包括：刻蚀步骤，对半导体刻蚀设备工艺腔室中的待加工件进行刻蚀；清洁步骤，清除工艺腔室中的刻蚀产物。交替执行刻蚀步骤和清洁步骤。其中，清洁步骤包括：清除工艺腔室内部件表面剩余的保护层；清除工艺腔室中的刻蚀产物；对工艺腔室进行吹扫；在部件表面沉积保护层。本发明实施例提供的半导体刻蚀方法能够消除工艺腔室内部各种结构的表面性质之间的差异对半导体刻蚀工艺的影响，提高刻蚀待加工件的均匀性，进而提高产品良率。
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