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公开(公告)号：CN115570135B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202211350844.X
申请日：2022-10-31
Applicant: 东北大学 , 贵研铂业股份有限公司
IPC: B22F3/10 , B22F3/14 , B22F3/02 , B22F3/04 , C22C5/04 , C22C27/02 , C22C1/04 , C23C14/34 , C23C14/35
Abstract: 本发明公开了钌及钌合金材料的制备方法，解决了高纯度、大尺寸、高致密、晶粒小且择优取向的钌及钌合金材料制备难题。本发明以钌或含钌混合粉体为原料，通过氢气气氛除杂，结合无模具热压延缓慢变形工艺制备钌及钌合金材料。本发明技术新颖，可制备高纯度、大尺寸、高致密、晶粒小且择优取向的钌及钌合金材料，进而推动信息储存和材料连接领域相关技术和产业进一步发展。
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公开(公告)号：CN115533447B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202211044447.X
申请日：2022-08-30
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射铜靶材的制备方法以及靶材的应用，所制备的铜靶材平均晶粒尺寸≤1μm，且分布均匀、取向分布趋于一致。制备步骤包括：将纯度≥4N的铜原料依次进行1)连续铸造；2)坯料切割；3)异径异步叠轧；4)同径同步轧制；5)热处理，制得高纯铜靶材。该方法工艺简单、易于工业化生产，制备的高纯铜靶材具有晶粒尺寸均匀细小、取向较为一致、靶材尺寸较大等特点，可应用于大规模集成电路互连线的溅射镀膜。
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公开(公告)号：CN115415351B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211047631.X
申请日：2022-08-30
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高纯铜靶材的制备方法及靶材的用途，所制备的铜靶材平均晶粒尺寸≤1μm，且分布均匀。制备步骤包括：将纯度≥4N的铜原料依次进行1)连续铸造；2)坯料切割；3)等通道侧向挤压；4)轧制；5)热处理，制得高纯铜靶材。该方法制备的高纯铜靶材具有晶粒尺寸均匀细小、取向较为一致、靶材尺寸较大且较厚等特点，可应用于大规模集成电路互连线的溅射镀膜。
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公开(公告)号：CN117620231A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311645317.6
申请日：2023-12-04
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 , 贵研铂业股份有限公司
IPC: B23B5/00 , B23B31/103 , B23B1/00
Abstract: 本发明公开了一种碗形靶材的机加工辅助工装及加工方法，该工装包括碗形弹性组件、内撑件及紧固螺栓；碗形弹性组件外侧面呈一定锥度，其大直径端中心区域下凹，内侧壁与外侧锥度相同，沿着其外边缘均分有数条沟槽；内撑件呈锥台状；紧固螺栓穿过碗形弹性组件中心过孔并紧固内撑件，使得碗形弹性组件向外扩张并夹持住碗形靶坯。加工方法包括：靶坯与工装装配，工装将碗形靶坯的内壁撑住；对已装配夹具的碗形靶坯进行装夹，外表面车削加工；靶坯反向装夹，内表面车削加工，对碗底内侧的弧形采用类双曲线的平滑过程方式进行加工。该方法不仅简单易操作、加工效率高、用料节约，而且加工的碗形靶材具有尺寸精度高、壁厚均匀、表面粗糙度小等优点。
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公开(公告)号：CN116855789A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310862518.5
申请日：2023-07-14
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 , 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种原位生长石墨烯增强泡沫金属骨架基复合材料的制备方法，是将泡沫金属骨架作为基体，通过化学法结合煅烧的方法在泡沫金属骨架表面原位生长石墨烯，从而制备得到原位生长石墨烯增强泡沫金属骨架基复合材料；步骤包括：1)去除泡沫金属骨架表面的杂质；2)配制含碳有机物和碳量子点的混合溶液，将泡沫金属骨架浸泡于溶液中；3)置于放电等离子烧结系统中进行热处理。本发明在泡沫金属骨架表面原位生长石墨烯，其中石墨烯的微观形貌及含量可控；溶液浸泡法结合热处理工艺可实现石墨烯在泡沫金属骨架内部孔隙中的原位生长，从而可进一步提高泡沫金属骨架的综合服役性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115955843A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211310264.8
申请日：2022-10-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种三维相变存储器及其制备方法，本发明是基于刀片状下电极制备的，相变材料层和选通管材料层的横向线宽通过调节沉积厚度进行控制，并使用光刻和刻蚀进行图形化，依附于侧壁上的相变材料层和选通管材料层也可采用直接刻蚀的方法形成。本发明可以大幅度缩小相变存储器单元的有效区域从而降低操作功耗，改善疲劳寿命，同时采用三维堆叠方法提高存储阵列密度。
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公开(公告)号：CN115570135A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211350844.X
申请日：2022-10-31
Applicant: 东北大学 , 贵研铂业股份有限公司
IPC: B22F3/10 , B22F3/14 , B22F3/02 , B22F3/04 , C22C5/04 , C22C27/02 , C22C1/04 , C23C14/34 , C23C14/35
Abstract: 本发明公开了钌及钌合金材料的制备方法，解决了高纯度、大尺寸、高致密、晶粒小且择优取向的钌及钌合金材料制备难题。本发明以钌或含钌混合粉体为原料，通过氢气气氛除杂，结合无模具热压延缓慢变形工艺制备钌及钌合金材料。本发明技术新颖，可制备高纯度、大尺寸、高致密、晶粒小且择优取向的钌及钌合金材料，进而推动信息储存和材料连接领域相关技术和产业进一步发展。
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公开(公告)号：CN114293157B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202111501941.X
申请日：2021-12-09
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高均质NiCrPt合金溅射靶材的制备方法，所述溅射靶材之基材原料由纯度≥99.99wt％的Ni、Cr、Pt金属组成，其中Cr10~30at%，Pt1~4.5at%，余量为Ni，外加总质量比0.01~0.08%的除氧剂；基材表面保护镀膜厚度≤5μm；所述溅射靶材致密度≥99.5%，且无肉眼可见的缺陷，氧含量≤30ppm，靶材晶粒均匀，其平均粒径为20~100μm；所述溅射靶材之表层机加工处理的去除深度≤0.5mm。其制备方法由基材铸锭与清洗处理、基材镀膜、坯材轧制、再结晶处理和机加工处理工艺实现。本发明基于“控氧+优先保护”原理，降低基材氧含量，基材表面优先溅射易氧化金属保护镀层，抑制“夹生”脆性氧化物，提高了靶材优材率，降低了表层去除深度，减少靶材浪费，节约成本。
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公开(公告)号：CN111254398B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202010186276.9
申请日：2020-03-17
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种晶粒高定向取向的铂溅射靶材及其制备方法，铂溅射靶材呈现（111）晶面高定向取向，致密度不低于99.5%，晶粒尺寸为5~20；所述（111）晶面与（200）晶面积分强度比不低于3。制备方法包括：选择4N及以上纯度的铂原料，熔炼获得铸锭；随后进行超声波探伤测定铸锭内部缺陷分布并对其进行真空热压，消除缺陷；再将锭坯浸泡在液氮容器中单向压制；再进行低温退火；最后机加工获得靶材。本发明采用浇铸速度和熔炼炉功率组合，较低压制及退火温度组合，获得性能优异的铂溅射靶材。靶材的高致密度和（111）晶面高定向取向有助于获得高溅射速率、膜厚均匀的铂薄膜，其制备方法工艺简便，条件温和易操控，大大提高生产效率，极大地节约制备成本。
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公开(公告)号：CN111235536B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202010186255.7
申请日：2020-03-17
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶粒高定向取向的铱溅射靶材及其制备方法，铱溅射靶材呈现(111)晶面高定向取向，致密度不低于99.5%，晶粒尺寸1‑10 μm，氧含量100 ppm以内；所述(111)晶面与(200)晶面积分强度比不低于4。所述制备方法包括以下步骤：选择4N及以上纯度，粒度为1‑10 μm的铱粉；随后将粉末进行冷压成型；再将冷压成型的锭坯进行低温微波烧结；再将锭坯进行低温真空热压烧结进一步提高致密度；最后机加工获得靶材。本发明采用较低的烧结温度、低温真空热压技术及充氢气形成还原气氛，使得铱溅射靶材性能优异，高致密度和(111)晶面高定向取向有助于获得高溅射速率、厚度均匀的铱薄膜，制备工艺简便，条件温和易于操控，而且可大大提高了生产效率，极大地节约制备成本。
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