公开(公告)号：CN113380799A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202110591089.3

申请日：2021-05-28

Applicant: 重庆中科渝芯电子有限公司 ,  中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 殷万军 ,  刘玉奎 ,  崔伟 ,  桂林 ,  梁康弟 ,  谭开州 ,  裴颖

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明公开低位错密度高可靠性高低压CMOS自对准双阱工艺方法及器件。方法步骤：1)形成低缺陷密度高压N型阱和低压N型阱；2)形成自对准P型阱；3)兼容高低压兼容厚薄栅氧结构；4)兼容多层金属互连结构；器件包括衬底、高压N型阱、低压N型阱、自对准P型阱、LOCOS场氧化层、低压MOS薄栅氧化层、栅多晶层、P型MOS轻掺杂源漏注入区、侧壁保护层、P型MOS源漏注入区、多晶层、氧氮介质层、N型MOS源漏注入区、高压MOS厚栅氧化层、栅多晶层顶层氧氮介质保护层、硅/多晶硅‑金属层M1间接触孔、硅/多晶硅/场氧‑金属层M1层间ILD介质平坦化层等。本发明实现了精细控制高压阱区的位错缺陷密度，有效抑制高压阱区隔离PN结反向偏置漏电。

公开(公告)号：CN109994427A

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201910101866.4

申请日：2019-02-01

Applicant: 重庆中科渝芯电子有限公司

Inventor： 殷万军 ,  刘玉奎 ,  朱坤峰 ,  梁康弟 ,  桂林 ,  刘青 ,  杨法明 ,  汪璐 ,  谭开州 ,  税国华

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/06

Abstract: 本发明公开了与双栅氧高低压CMOS工艺兼容低温度系数多晶电阻模块及其集成方法。集成步骤为：1)形成厚栅氧化层和薄栅氧化层。2)利用低压化学汽相沉积法淀积氮氧硅层。电阻模块主要包括衬底、阱、场氧化层、多晶电阻层、介质层、厚栅氧化层、薄栅氧化层和多晶硅栅。本发明实现了在双栅氧高低压兼容CMOS工艺平台上同时集成高阻N型多晶电阻和低值P型多晶电阻模块的解决方案，通过Ω或π型介质层不仅对多晶电阻发挥了保护层作用，更重要的是降低了高值多晶电阻注入剂量达30％，提高了低温度系数≤200ppm/℃低值电阻的注入工艺窗口，提高了多晶电阻一致性和成品率。

公开(公告)号：CN111799224B

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202010635339.4

申请日：2020-07-03

Applicant: 重庆中科渝芯电子有限公司

Inventor： 殷万军 ,  钟怡 ,  刘玉奎 ,  朱坤峰 ,  桂林 ,  梁康弟 ,  裴颖 ,  李光波 ,  谭开州 ,  刘青 ,  钱呈

IPC: H01L21/8238

Abstract: 本发明公开与双栅氧高低压CMOS工艺兼容提高器件稳定性的π型栅多晶及其制作方法，方法步骤：1)实施薄栅氧化层；2)淀积栅多晶薄膜；3)制作π型栅多晶结构；器件包括衬底、N型阱、自对准P型阱等。本发明实现了精细控制栅多晶厚度有效抑制后续氧化刻蚀工艺对于栅多晶纵向尺寸的影响，提高了栅多晶薄膜的电性能稳定性和工艺一致性，有效改善与高精密线性双多晶电容模块兼容性，有效提高了双多晶电容电压系数和近零偏压电容电压对称性。通过抑制掺杂离子特别是硼离子进入栅多晶薄膜，有效改善PMOS器件栅多晶表面平整性和产品长期可靠性。通过替代有机抗反射涂层，提高工艺兼容性并降低产品的制造成本，有效提升产品成品率和市场竞争力。

公开(公告)号：CN109994427B

公开(公告)日：2021-01-01

申请号：CN201910101866.4

申请日：2019-02-01

Applicant: 重庆中科渝芯电子有限公司

Inventor： 殷万军 ,  刘玉奎 ,  朱坤峰 ,  梁康弟 ,  桂林 ,  刘青 ,  杨法明 ,  汪璐 ,  谭开州 ,  税国华

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/06

Abstract: 本发明公开了与双栅氧高低压CMOS工艺兼容低温度系数多晶电阻模块及其集成方法。集成步骤为：1)形成厚栅氧化层和薄栅氧化层。2)利用低压化学汽相沉积法淀积氮氧硅层。电阻模块主要包括衬底、阱、场氧化层、多晶电阻层、介质层、厚栅氧化层、薄栅氧化层和多晶硅栅。本发明实现了在双栅氧高低压兼容CMOS工艺平台上同时集成高阻N型多晶电阻和低值P型多晶电阻模块的解决方案，通过Ω或π型介质层不仅对多晶电阻发挥了保护层作用，更重要的是降低了高值多晶电阻注入剂量达30％，提高了低温度系数≤200ppm/℃低值电阻的注入工艺窗口，提高了多晶电阻一致性和成品率。

公开(公告)号：CN118838118A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410802586.7

申请日：2024-06-20

Applicant: 重庆中科渝芯电子有限公司

Inventor： 彭廉钦 ,  李光波 ,  王鹏飞 ,  汪璐 ,  桂林 ,  许生健 ,  刘柏塘

IPC: G03F7/16 ,  G03F7/42 ,  G03F7/00 ,  G03F1/80 ,  G03F1/82 ,  G03F1/84 ,  H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明提供一种聚酰亚胺光刻胶返工方法，包括以下步骤：S1:检查聚酰亚胺光刻胶涂层是否存在涂布缺陷，筛选出不符合要求的晶圆；S2：将所述不符合要求的晶圆进行干法去胶，去除不合格的聚酰亚胺光刻胶涂层；S3：对去除不合格的聚酰亚胺光刻胶涂层后的晶圆再次涂布聚酰亚胺光刻胶涂层。本申请采用干法去胶，具有在保证去胶速率的同时，降低SIN的损失量的有益效果。

公开(公告)号：CN116859673A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202310582097.0

申请日：2023-05-23

Applicant: 重庆中科渝芯电子有限公司

Inventor： 彭廉钦 ,  汪璐 ,  桂林 ,  史发睿 ,  许生健 ,  唐仕伟 ,  李云峰

IPC: G03F7/16

Abstract: 本发明公开一种厚光刻胶的涂布方法，包括以下步骤：1)对待涂胶的晶圆进行预处理；2)采用分步滴胶的方法在预处理后的晶圆表面滴涂光刻胶；3)滴胶完成后，控制所述晶圆转动，令光刻胶成膜；4)对所述晶圆进行清洗、去边和干燥处理，得到涂覆有光刻胶的晶圆。本发明解决了现有低黏度厚光刻胶涂布方式造成的光刻胶厚度不稳定和光刻胶易堆积在晶圆边缘的问题，改善了光刻胶膜厚稳定性和均匀性。

公开(公告)号：CN113380799B

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202110591089.3

申请日：2021-05-28

Applicant: 重庆中科渝芯电子有限公司 ,  中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 殷万军 ,  刘玉奎 ,  崔伟 ,  桂林 ,  梁康弟 ,  谭开州 ,  裴颖

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明公开低位错密度高可靠性高低压CMOS自对准双阱工艺方法及器件。方法步骤：1)形成低缺陷密度高压N型阱和低压N型阱；2)形成自对准P型阱；3)兼容高低压兼容厚薄栅氧结构；4)兼容多层金属互连结构；器件包括衬底、高压N型阱、低压N型阱、自对准P型阱、LOCOS场氧化层、低压MOS薄栅氧化层、栅多晶层、P型MOS轻掺杂源漏注入区、侧壁保护层、P型MOS源漏注入区、多晶层、氧氮介质层、N型MOS源漏注入区、高压MOS厚栅氧化层、栅多晶层顶层氧氮介质保护层、硅/多晶硅‑金属层M1间接触孔、硅/多晶硅/场氧‑金属层M1层间ILD介质平坦化层等。本发明实现了精细控制高压阱区的位错缺陷密度，有效抑制高压阱区隔离PN结反向偏置漏电。

公开(公告)号：CN111799224A

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN202010635339.4

申请日：2020-07-03

Applicant: 重庆中科渝芯电子有限公司

Inventor： 殷万军 ,  钟怡 ,  刘玉奎 ,  朱坤峰 ,  桂林 ,  梁康弟 ,  裴颖 ,  李光波 ,  谭开州 ,  刘青 ,  钱呈

IPC: H01L21/8238

Abstract: 本发明公开与双栅氧高低压CMOS工艺兼容提高器件稳定性的π型栅多晶及其制作方法，方法步骤：1)实施薄栅氧化层；2)淀积栅多晶薄膜；3)制作π型栅多晶结构；器件包括衬底、N型阱、自对准P型阱等。本发明实现了精细控制栅多晶厚度有效抑制后续氧化刻蚀工艺对于栅多晶纵向尺寸的影响，提高了栅多晶薄膜的电性能稳定性和工艺一致性，有效改善与高精密线性双多晶电容模块兼容性，有效提高了双多晶电容电压系数和近零偏压电容电压对称性。通过抑制掺杂离子特别是硼离子进入栅多晶薄膜，有效改善PMOS器件栅多晶表面平整性和产品长期可靠性。通过替代有机抗反射涂层，提高工艺兼容性并降低产品的制造成本，有效提升产品成品率和市场竞争力。