公开(公告)号：CN111354405B

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN201910554473.9

申请日：2019-06-25

Applicant: 铠侠股份有限公司

Inventor： 白石圭 ,  小柳胜 ,  伊东干彦 ,  高田由美 ,  平嶋康伯 ,  井上谕 ,  山本健介 ,  尾崎正一 ,  涌井太一 ,  渡边郁弥

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/08 ,  G11C16/28

Abstract: 实施方式提供一种能够提高高速动作时的可靠性的半导体存储装置。一实施方式的半导体存储装置具备差动波形成形电路，该差动波形成形电路具备第1波形成形部及第2波形成形部，所述第1波形成形部由第1放大器、第1反相器、及将利用第1反相器获得的反转信号再次反转而输出第1输出信号的第2反相器所构成，所述第2波形成形部由第3反相器、第2放大器、及将第2放大器的输出信号的相位反转而输出第2输出信号的第4反相器串联连接而构成，所述差动波形成形电路将波形中具有由放大时的上升的延迟引起的倾斜的第1输出信号与波形中具有由放大时的下降的延迟引起的倾斜的第2输出信号平均化，将上升与下降的波形波形成形为相同。