公开(公告)号：CN1452241A

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN03110161.5

申请日：2003-04-14

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 栗原俊道 ,  川端隆弘 ,  户田铁 ,  椿茂树

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/48 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015

Abstract: 本发明涉及具有半导体基片和在其上形成并被电连接到导线的焊盘电极的半导体器件。在具有半导体基片的半导体器件中，内部电极层形成在半导体基片上。阻挡金属层形成在内部电极上。外部电极层形成在阻挡金属层上。焊盘电极由内部电极层，阻挡金属层和外部电极层构成。导线被电连接到焊盘电极。外部电极层的面积被设置在处于焊盘电极上的导线的聚合部分的面积和阻挡金属层的平面面积之间的中间。

公开(公告)号：CN1707809A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510076118.3

申请日：2005-06-08

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 椿茂树

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66659 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/7835

Abstract: 一种半导体器件，包括：包含注入其中的第一导电型杂质的半导体衬底(N+衬底110)；第二导电型杂质注入层(P+注入层114)，其以相对高的浓度形成在半导体衬底(N+衬底110)上；第二导电型杂质外延层(P－外延层111)，其以相对低的浓度形成在第二导电型杂质注入层上(P+注入层114)；以及场效应晶体管(N沟道型横向MOSFET100)，其由位于第二导电型杂质外延层(P－外延层111)中的一对杂质扩散区(N+源扩散层115和N－漏层116)和位于被一对杂质扩散区(N+源扩散层115和N－漏层116)夹着的区域上的栅电极(117)构成。