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公开(公告)号：CN102800602A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210167092.3
申请日：2012-05-23
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/85 , B23K20/007 , H01L23/3128 , H01L23/495 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/78 , H01L2224/0401 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/1134 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/4383 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48599 , H01L2224/48799 , H01L2224/49175 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/781 , H01L2224/78268 , H01L2224/78301 , H01L2224/8503 , H01L2224/85045 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/85181 , H01L2224/85201 , H01L2224/85205 , H01L2924/00015 , H01L2924/07802 , H01L2924/10162 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01018 , H01L2924/01007 , H01L2924/01001
Abstract: 本发明涉及一种制造半导体器件的方法。更具体而言，提供了如下一种技术，该技术在使用易于氧化的传导接线形成初始焊球和将初始焊球按压在焊盘上以形成经按压键合的焊球中，抑制初始焊球具有形状缺陷，从而减少对焊盘的损伤。为了实现该目的，焊球形成单元装配有用于排出抗氧化剂气体的气体出口部分，并且在与引入抗氧化剂气体进入焊球形成部分的方向不同的方向上放置通过该气体出口部分的排出路径。这种结构加宽了用于排出抗氧化剂气体的区域，从而使得可以防止从焊球形成部分的一侧表面的侧部供应的气流被与该一侧表面相对的另一侧表面反射，并且因而可以防止形成湍流。
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公开(公告)号：CN101897012B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN200880120041.7
申请日：2008-10-07
Applicant: 株式会社新川 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/85 , B23K20/007 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/78 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/781 , H01L2224/78268 , H01L2224/78301 , H01L2224/7865 , H01L2224/78744 , H01L2224/85009 , H01L2224/85013 , H01L2224/85045 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/85181 , H01L2224/85201 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01018 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/00014 , H01L2924/01001 , H01L2924/00
Abstract: 在焊接装置(10)中，包括：内部保持惰性气体气氛的室(12)；第一等离子枪(20)，安装在室(12)中，将等离子化气体照射置于室(12)内的衬底(41)和半导体芯片(42)，进行焊接点和电极的表面处理；第二等离子枪(30)，安装在室(12)中，将等离子化气体照射位于室(12)内的毛细管(17)前端的初始球(19)或引线(18)，进行初始球(19)或引线(18)的表面处理；焊接处理部(100)，在室(12)内将经表面处理的初始球(19)、引线(18)焊接在经表面处理的焊接点及电极上。由此，有效地进行电极、焊接点及引线双方的表面清洁。
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公开(公告)号：CN101752335B
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN200910254194.7
申请日：2009-12-10
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 冲田真大
CPC classification number: H01L24/85 , H01L23/49811 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/78 , H01L24/83 , H01L31/02008 , H01L2224/04042 , H01L2224/05556 , H01L2224/05557 , H01L2224/05639 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/29288 , H01L2224/29339 , H01L2224/32225 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/4807 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2224/48453 , H01L2224/48465 , H01L2224/48471 , H01L2224/48472 , H01L2224/48479 , H01L2224/48639 , H01L2224/48739 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/83192 , H01L2224/838 , H01L2224/83801 , H01L2224/85051 , H01L2224/85181 , H01L2224/85186 , H01L2224/85201 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2224/85986 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/078 , H01L2924/10253 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/20105 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , Y02E10/50 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00015 , H01L2224/83205 , H01L2224/4554
Abstract: 本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置，具有形成有能够与外部电连接的外部电极的基材和形成有由导电膏构成的表面电极的半导体元件，在基材上安装有半导体元件，其中，基材的外部电极和半导体元件的表面电极通过引线接合由金丝电连接在一起。由此，提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法，在包括具有能够与外部电连接的外部电极的基材和具有由导电膏构成的表面电极的半导体元件的结构中，能够确保接合可靠性的同时，使表面电极和外部电极的连接方法或连接工序简化。
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公开(公告)号：CN101802993B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200880108251.4
申请日：2008-03-25
Applicant: 株式会社新川
IPC: H01L21/60 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC classification number: H01L24/85 , H01L23/49517 , H01L23/49575 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/78 , H01L25/50 , H01L2224/05554 , H01L2224/32145 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/4809 , H01L2224/48091 , H01L2224/4813 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/4846 , H01L2224/48465 , H01L2224/4847 , H01L2224/48475 , H01L2224/48599 , H01L2224/4911 , H01L2224/49426 , H01L2224/49429 , H01L2224/78301 , H01L2224/85051 , H01L2224/85181 , H01L2224/85201 , H01L2224/859 , H01L2224/85951 , H01L2224/85986 , H01L2225/06506 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/30105 , H01L2924/00 , H01L2224/4554 , H01L2924/00012 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明涉及半导体装置及引线接合方法。在半导体装置中，包括第一层挤压部(100)，第一引线(25)，以及第二引线(26)。第一层挤压部(100)系将初始球焊接在第一层半导体芯片(11)的第一层焊接点(14)上，形成球颈，压碎该球颈，引线折返在该压碎球颈上，使得该引线侧面挤压在上述压碎的球颈上形成。第一引线(25)从第一层挤压部(100)向着引脚(16)方向延伸。第二引线(26)从第二层半导体芯片(12)的第二层焊接点(15)向着第一层挤压部(100)成环，与第一层挤压部(100)的第二层焊接点(15)侧接合。这样，一边减少给与半导体芯片的损伤，一边以少的接合次数进行引线连接。
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公开(公告)号：CN102061136A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010544011.8
申请日：2010-11-11
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/02 , H01L23/48 , H01L23/495 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/3107 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3114 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L2221/68345 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/85201 , H01L2224/85205 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , Y10T428/1476 , H01L2924/00014 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的目的是提供能够有效防止树脂密封时的树脂漏出的树脂密封用粘合带及树脂密封型半导体装置的制造方法。其解决方法包括：用于制造树脂密封型半导体装置的树脂密封用粘合带，其具有基材层和在该基材层上层叠的粘合剂层，且所述基材层与粘合剂层的总膜厚为25～40μm；以及，树脂密封型半导体装置的制造方法，包括下述工序：将该粘合带贴附于引线框的至少一个面，在所述引线框上搭载半导体芯片，通过密封树脂密封该半导体芯片侧，在密封后剥离所述粘合带。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101971313A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200880128076.5
申请日：2008-01-30
Applicant: 库力索法工业公司
Inventor： 多德吉·雷·M·卡尔皮托 , 权五达
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/85 , H01L21/6835 , H01L23/4952 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/78 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05556 , H01L2224/05599 , H01L2224/32225 , H01L2224/4809 , H01L2224/48095 , H01L2224/48247 , H01L2224/48455 , H01L2224/4846 , H01L2224/48465 , H01L2224/48471 , H01L2224/48479 , H01L2224/48511 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/78302 , H01L2224/78901 , H01L2224/85001 , H01L2224/85045 , H01L2224/85047 , H01L2224/85051 , H01L2224/85181 , H01L2224/85186 , H01L2224/85201 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2224/85399 , H01L2224/85947 , H01L2224/85986 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01057 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10161 , H01L2924/14 , H01L2224/45099 , H01L2224/48227 , H01L2924/00 , H01L2224/4554
Abstract: 提供了一种形成导线环的方法。所述方法包括：(1)形成第一导线折叠；(2)将所述第一导线折叠焊接至第一焊接位置以形成第一焊接；(3)在(a)所述第一焊接和(b)第二焊接位置之间延伸与所述第一焊接相连的一段导线；(4)将所述导线的一部分焊接至所述第二焊接位置以形成第二焊接。
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公开(公告)号：CN101802993A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880108251.4
申请日：2008-03-25
Applicant: 株式会社新川
IPC: H01L21/60 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC classification number: H01L24/85 , H01L23/49517 , H01L23/49575 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/78 , H01L25/50 , H01L2224/05554 , H01L2224/32145 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/4809 , H01L2224/48091 , H01L2224/4813 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/4846 , H01L2224/48465 , H01L2224/4847 , H01L2224/48475 , H01L2224/48599 , H01L2224/4911 , H01L2224/49426 , H01L2224/49429 , H01L2224/78301 , H01L2224/85051 , H01L2224/85181 , H01L2224/85201 , H01L2224/859 , H01L2224/85951 , H01L2224/85986 , H01L2225/06506 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/30105 , H01L2924/00 , H01L2224/4554 , H01L2924/00012 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明涉及半导体装置及引线接合方法。在半导体装置中，包括第一层挤压部(100)，第一引线(25)，以及第二引线(26)。第一层挤压部(100)系将初始球焊接在第一层半导体芯片(11)的第一层焊接点(14)上，形成球颈，压碎该球颈，引线折返在该压碎球颈上，使得该引线侧面挤压在上述压碎的球颈上形成。第一引线(25)从第一层挤压部(100)向着引脚(16)方向延伸。第二引线(26)从第二层半导体芯片(12)的第二层焊接点(15)向着第一层挤压部(100)成环，与第一层挤压部(100)的第二层焊接点(15)侧接合。这样，一边减少给与半导体芯片的损伤，一边以少的接合次数进行引线连接。
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公开(公告)号：CN101617395A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200880005662.0
申请日：2008-02-04
Applicant: 日东电工株式会社
Inventor： 高本尚英
IPC: H01L21/52 , H01L21/301
CPC classification number: H01L24/83 , H01L21/6836 , H01L23/3121 , H01L23/49513 , H01L23/49575 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/83192 , H01L2224/83855 , H01L2224/83885 , H01L2224/85001 , H01L2224/85201 , H01L2224/85205 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2225/0651 , H01L2225/06575 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/0101 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/3025 , Y10T428/28 , H01L2924/0635 , H01L2924/066 , H01L2224/78 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供与被粘物的密合性优良、且拾取性良好的热固化型芯片接合薄膜及具备该芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜。本发明的热固化型芯片接合薄膜，在制造半导体装置时使用，其特征在于，含有15～30重量％热塑性树脂成分及60～70重量％热固性树脂成分作为主成分，并且热固化前的表面自由能为37mJ/m2以上且小于40mJ/m2。
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公开(公告)号：CN101278383A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200680036437.4
申请日：2006-10-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/56 , H01L23/12 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC classification number: H01L24/50 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L23/3107 , H01L23/49524 , H01L23/49575 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/0652 , H01L25/16 , H01L2224/32145 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/40137 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/4813 , H01L2224/48137 , H01L2224/48145 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/8385 , H01L2224/85001 , H01L2224/85201 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/30105 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明包括下述构成：具备至少1个半导体元件(1)；多个外部连接端子(2)；将该半导体元件(1)和外部连接端子(2)电连接的连接导体(3)；被覆半导体元件(1)，并且将连接导体(3)一体地支撑的绝缘性树脂(4)，半导体元件(1)被埋设在绝缘性树脂(4)中，外部连接端子(2)的端子面(2A)从绝缘性树脂(4)露出。
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公开(公告)号：CN101103448A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200680002255.5
申请日：2006-02-20
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/52 , C09J163/00 , C09J133/00 , H01L21/50 , C09J161/04 , H01L21/60
CPC classification number: H01L25/0657 , C08L33/00 , C08L63/00 , C08L2666/02 , C08L2666/22 , C09J161/06 , H01L21/6836 , H01L23/3121 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2221/68327 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32014 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/85001 , H01L2224/85201 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2225/0651 , H01L2225/06575 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/3011 , Y10T156/10 , Y10T428/1462 , Y10T428/2887 , H01L2924/00012 , H01L2224/78 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/20752
Abstract: 提供一种半导体装置的制造方法、该方法中使用的粘合片以及根据该方法得到的半导体装置，上述半导体装置的制造方法可以防止由焊垫的污染引起无法进行引线接合，并且可以防止在基板、引线框或半导体元件等被粘物上产生翘曲，从而提高成品率且简化制造工序。本发明的特征在于包括如下工序：临时固定工序，通过粘合片(12)将半导体元件(13)临时固定在被粘物(11)上；和引线接合工序，不经过加热工序，在接合温度80～250℃的范围内进行引线接合，并且作为上述粘合片(12)，使用固化前的贮存弹性模量在80～250℃的温度范围内为1MPa以上，或在该温度范围内的任意温度下为1MPa以上的粘合片。
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