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公开(公告)号：CN118538513A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410192819.6
申请日：2024-02-21
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供可以在素体的内部实现磁通密度的分布的均匀化且提高磁特性的线圈装置。线圈装置(1)具有卷绕部(2)、沿第一方向从卷绕部(2)引出的引出部(3a)、以及将卷绕部(2)和引出部(3a)埋设的素体(8)。卷绕部(2)的卷轴相对于素体(8)的安装对置面垂直，并且相对于素体(8)的中心向与第一方向相反的一侧的第二方向位置偏移。卷绕部(2)的外周面(2e)在第一方向侧以朝向卷绕部(2)的外周面(2e)的外侧鼓出的方式变形。
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公开(公告)号：CN101047065B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200710089708.9
申请日：2007-03-27
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/0085 , H01G4/1227 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供制造具有交替层叠有电介质层(2)和内部电极层(3)的元件主体(10)的叠层型电子部件的方法。对于用于形成内部电极层(3)的电极糊料中所含的导电性粒子的粒径α和抑制剂粒子的粒径β而言，使得α/β＝0.8～8.0。另外，使导电性糊料中抑制剂粒子的添加量多于30wt％、少于65wt％。
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公开(公告)号：CN1728302A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200510092228.9
申请日：2005-06-28
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01B1/22 , H01G4/0085 , H01G4/30 , H05K1/092
Abstract: 本发明涉及一种导电性糊剂，其特征在于该导电性糊剂是用于形成叠层陶瓷电子部件的内部电极的导电性糊剂，其与厚度为5μm以下的含缩丁醛树脂的陶瓷生片组合使用，并含有导电性粉末及有机载体，上述有机载体中的溶剂以乙酸萜品酯为主要成分。通过本发明可以提供用于形成叠层陶瓷电子部件的内部电极、粘度随时间变化小、且不产生片侵蚀的导电性糊剂。
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公开(公告)号：CN1154151C
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN99118356.8
申请日：1999-08-24
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01J61/067 , H01J61/06 , H01J1/14
CPC classification number: H01J61/09
Abstract: 本发明的放电灯电极包括一端开口的柱形储存器1和容纳在柱形储存器1中的电子发射材料2，储存器1和电子发射材料2是混合氧化物和/或含氮的混合氧化物的主元件，作为金属元素成分，混合氧化物包含：包括Ba，Sr，Ca中至少一种的第一成分；包括Zr和Ti中至少一种的第二成分；包括Ta和Nb中至少一种的第三成分。从储存器1的开口侧看到的电子发射放电材料2的暴露面处第一成分的含量百分比高于储存器1的开口侧端面处第一成分的含量百分比。
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公开(公告)号：CN1683101B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200510064385.9
申请日：2005-04-15
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种由等离子体使放入坩埚内的镍原料熔融并蒸发从而制取镍粉时、能够防止电子器件特性劣化的镍粉的制造方法和制造装置。在设置于等离子体反应炉(1)内的坩埚(2)中使镍熔融并蒸发、冷却后在粒子收集装置(12)中得到镍粉。坩埚(2)的表面层之中的至少与镍接触的部分或整体用包覆层覆盖。在包覆层中，使用电极中采用镍粉的电子器件所使用的成分构成的物质或以该成分为主要成分的物质。另外，利用电极中采用镍粉的电子器件所使用的成分构成的物质或以该成分为主要成分的物质制造坩埚整体。反应炉(1)的内壁或整体也使用上述物质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1267077A
公开(公告)日：2000-09-20
申请号：CN00103877.X
申请日：2000-03-10
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 一种电子发射材料,包括从Ba、Sr和Ca中选择的第一金属成分,从Ta、Zr、Nb、Ti和Hf中选择的第二金属成分,还包括钙钛矿氮氧化合物。电子发射材料改善电子发射特性,在升高温度时抑制蒸发,并使离子溅射产生的消耗最小。通过在含氮气气氛中焙烧紧靠碳设置的包含金属成分的原材料来制备电子发射材料,从而产生钙钛矿氮氧化合物。
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公开(公告)号：CN1254938A
公开(公告)日：2000-05-31
申请号：CN99118356.8
申请日：1999-08-24
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01J61/067 , H01J61/06 , H01J1/14
CPC classification number: H01J61/09
Abstract: 本发明的放电灯电极包括一端开口的柱形储存器1和容纳在柱形储存器1中的电子发射材料2,储存器1和电子发射材料2是混合氧化物和/或含氮的混合氧化物的主元件,作为金属元素成分,混合氧化物包含:包括Ba,Sr,Ca中至少一种的第一成分;包括Zr和Ti中至少一种的第二成分;包括Ta和Nb中至少一种的第三成分。从储存器1的开口侧看到的电子发射放电材料2的暴露面处第一成分的含量百分比高于储存器1的开口侧端面处第一成分的含量百分比。
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公开(公告)号：CN101364479B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200810145616.2
申请日：2008-08-07
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C04B37/006 , C04B2235/608 , C04B2237/12 , C04B2237/346 , H01G4/1209 , H01G4/30 , Y10T156/1052 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926 , Y10T428/249956
Abstract: 一种陶瓷生片结构及层叠陶瓷电子部件的制造方法，其中该陶瓷生片结构包括：至少包含陶瓷材料及树脂的陶瓷生片、和在该陶瓷生片上形成的导电层。电极非形成区域的空隙度为17％以上，优选为25％以下。此外，形成了导电层的电极形成区域的空隙度小于没有形成导电层的电极非形成区域的空隙度。
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公开(公告)号：CN1841591B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200610065960.1
申请日：2006-03-29
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: B26D1/185 , B26D7/2635 , B26D11/00 , B26F1/3826 , B26F2210/08 , H05K1/0269 , H05K1/0306 , H05K3/0008 , H05K3/0052 , H05K2201/09918 , H05K2203/0156 , H05K2203/0228 , Y10T83/04 , Y10T83/543
Abstract: 本发明的一种陶瓷生片(G)的切断装置(10)，它可从保持在载体薄膜(F)上的陶瓷生片(G)切出正方形的片(S)，它具有：与片(S)的各边对应地配置的4个滚子切刀(46)；和沿着与片(S)对应的边，移动滚子切刀(46)的移动机构(36)。在该切断装置(10)中，由于利用滚子切刀(46)进行片(A)的4个边的切断，可以有意地抑制陶瓷生片(G)的切断不良。由于不变更部位地切断片(S)的各个边，因此与切断各边时改变部位的目前装置比较，可提高切断尺寸精度。
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公开(公告)号：CN100559524C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200610065957.X
申请日：2006-03-29
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: B26D1/18 , B26D7/0625 , B26D11/00 , B32B38/0004 , B32B39/00 , B32B2315/02 , B32B2457/16 , H01G4/30 , H01G13/00 , Y10T83/2057 , Y10T83/207 , Y10T156/1052 , Y10T156/1056 , Y10T156/1062 , Y10T156/12 , Y10T156/1304 , Y10T156/1317 , Y10T156/1322 , Y10T156/1702 , Y10T156/1705 , Y10T156/1707
Abstract: 在本发明的陶瓷生片(G)的层叠装置(10)中，切断机构(20)和层叠机构(80)分别位于由输送机构(15)输送的载体薄膜(F)的输送路径(P)上。即：陶瓷生片(G)的切断和片的层叠在一个输送路径(P)上实现。由于这样，可以有意地抑制生产效率的降低。另外，切断机构(20)和层叠机构(80)的位置不同。因此，即使在切断机构(20)切断时产生切断渣的情况下，可以有意地抑制进入生片层叠体(130)的层间的问题。
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