公开(公告)号：CN107075050B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201580059546.7

申请日：2015-09-30

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 崔银英 ,  朴鲁振 ,  金廷根 ,  李济权 ,  具世真 ,  李美宿 ,  柳亨周 ,  尹圣琇

IPC: C08F293/00 ,  C08J5/18

CPC classification number: G03F7/165 ,  B05D1/005 ,  B05D3/007 ,  B81C1/00428 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y40/00 ,  C01P2002/70 ,  C07B2200/00 ,  C08F2/14 ,  C08F32/06 ,  C08F212/08 ,  C08F212/14 ,  C08F216/12 ,  C08F220/10 ,  C08F220/26 ,  C08F220/30 ,  C08F293/00 ,  C08F293/005 ,  C08F299/024 ,  C08F2220/301 ,  C08F2438/03 ,  C08G61/08 ,  C08G61/12 ,  C08G2261/1424 ,  C08G2261/1426 ,  C08G2261/332 ,  C08G2261/3324 ,  C08G2261/40 ,  C08G2261/418 ,  C08J5/18 ,  C08J7/123 ,  C08J2353/00 ,  C08L53/00 ,  C08L53/005 ,  C08L53/02 ,  C09D153/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/039 ,  G03F7/091 ,  G03F7/16 ,  G03F7/162 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/30 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31056 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31144 ,  C08F214/182

Abstract: 本申请涉及嵌段共聚物及其用途。本申请可提供表现出优异的自组装性并因此可以有效地用于多种应用的嵌段共聚物以及其用途。

公开(公告)号：CN107075053B

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201580059758.5

申请日：2015-09-30

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 李济权 ,  朴鲁振 ,  金廷根 ,  具世真 ,  李美宿 ,  崔银英 ,  尹圣琇 ,  柳亨周

IPC: C08F297/00 ,  C08F299/00 ,  C08F212/08 ,  C08F220/10 ,  C08L53/00 ,  C08J5/18 ,  G03F7/00

CPC classification number: C08L53/005 ,  B05D1/005 ,  B05D3/007 ,  B81C1/00428 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y40/00 ,  C01P2002/70 ,  C07B2200/00 ,  C08F2/14 ,  C08F32/06 ,  C08F212/08 ,  C08F216/12 ,  C08F220/10 ,  C08F220/26 ,  C08F220/30 ,  C08F293/00 ,  C08F293/005 ,  C08F297/00 ,  C08F299/00 ,  C08F299/024 ,  C08F2220/301 ,  C08F2438/03 ,  C08G61/08 ,  C08G61/12 ,  C08G2261/1424 ,  C08G2261/1426 ,  C08G2261/332 ,  C08G2261/3324 ,  C08G2261/40 ,  C08G2261/418 ,  C08J5/18 ,  C08J7/123 ,  C08J2353/00 ,  C08L53/00 ,  C08L53/02 ,  C09D153/00 ,  G03F7/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/039 ,  G03F7/091 ,  G03F7/16 ,  G03F7/162 ,  G03F7/165 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/30 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31056 ,  H01L21/31058 ,  C08F214/182 ,  C08F261/06

Abstract: 本申请提供了嵌段共聚物及其用途。本申请的嵌段共聚物表现出优异的自组装特性或相分离特性，可具备多种所需功能而无限制，并且特别是可确保蚀刻选择性，使得所述嵌段共聚物可有效地适用于如图案形成这样的用途。

公开(公告)号：CN107690692A

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201680032734.5

申请日：2016-06-03

Applicant: 密克罗奇普技术公司

Inventor： 贾斯丁·希罗奇·萨托 ,  格雷戈里·艾伦·斯托姆

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31056 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/0649

Abstract: 本发明提供一种形成用于集成电路的沟槽隔离(例如，STI)的方法，所述方法包含：在半导体衬底上方形成垫氧化物层且接着形成氮化物层；穿透所述结构执行沟槽蚀刻以形成沟槽；沉积沟槽氧化物层于所述结构上方以形成经填充沟槽；沉积牺牲平坦化层于所述经沉积氧化物上方，所述牺牲平坦化层对所述沟槽氧化物层具有蚀刻选择性；执行平坦化蚀刻工艺，其移除所述牺牲平坦化层且减小所述沟槽氧化物层的上表面中的表面变化；执行氧化物蚀刻工艺，其对所述沟槽氧化物层具有选择性以移除所述经填充沟槽外侧的所述沟槽氧化物层的剩余部分；及移除剩余氮化物层，使得所述剩余经氧化物填充沟槽界定突出于所述半导体衬底的经曝露上表面上方的沟槽隔离结构。

公开(公告)号：CN103854966A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201210505860.1

申请日：2012-11-30

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 朱慧珑 ,  罗军 ,  李春龙 ,  邓坚 ,  赵超

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31056 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/32132 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/6681 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/31055

Abstract: 本申请公开了一种平坦化处理方法。一示例方法可以包括：对材料层进行第一溅射，在进行第一溅射时，以第一掩蔽层遮蔽材料层中溅射的负载条件相对较低的区域；去除第一掩蔽层；以及对材料层进行第二溅射，以使材料层平坦。

公开(公告)号：CN102651345A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201110045413.8

申请日：2011-02-24

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 邵群 ,  洪中山

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823412 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31056 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823468

Abstract: 一种晶体管的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有晶体管，所述晶体管包括位于衬底上的栅极，并形成依次覆盖于晶体管和衬底上的应力层、第一氧化层；在所述第一氧化层上形成牺牲层；图形化所述牺牲层，去除覆盖于晶体管栅极上的牺牲层；在保留的牺牲层上、以及去除牺牲层所露出的第一氧化层上形成第二氧化层；进行第一平坦化工艺，去除位于晶体管栅极上的部分氧化层；进行第二平坦化工艺，去除位于晶体管栅极上的剩余氧化层；进行第三平坦化工艺，去除位于晶体管栅极上的应力层；其中，图形化之后，所述保留的牺牲层的上表面与栅极上的应力层的上表面接近，并且牺牲层的下表面与栅极的上表面接近。本发明制造方法可减小獠牙效应。

公开(公告)号：CN1494128A

公开(公告)日：2004-05-05

申请号：CN03133156.4

申请日：2003-07-29

Applicant: 海力士半导体有限公司

Inventor： 金奉千

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31056

Abstract: 使用浅槽隔离法在硅基底中形成绝缘膜的方法，包括：依次在硅基底上沉积焊接点氧化物膜、焊接点氮化物膜与多晶硅膜；将上述沉积的膜制出图案，以露出基底的一部份，其相当于电场区；蚀刻基底露出的部份以形成一沟槽；在基底上沉积HDP氧化物膜，沉积的厚度与前述沉积的多层膜的总厚度相同，深度与沟槽深度相同以填充沟槽；于HDP氧化物膜上形成反掩模，其覆盖了电场区与作用区的一部份，并且从作用区的边缘向内延伸预定距离；使用反掩模作为蚀刻阻挡物，蚀刻在作用区上形成的HDP氧化物膜的露出部份；去除反掩模；对HDP氧化物膜与多晶硅膜进行CMP；和去除焊接点氮化物膜。由于没有使用氧化物蚀刻剂来去除焊接点氮化物膜，基本上可抑制沟槽的形成。

公开(公告)号：CN1483219A

公开(公告)日：2004-03-17

申请号：CN01820351.5

申请日：2001-12-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 足立宪治 ,  小林典之

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/31056

Abstract: 作为蚀刻气体用至少包含：C≥4、C/F比在0.625以上的第一氟碳系气体；F≥4、C/F比0.5以下的第二氟碳系气体；Ar气；和O2气的混合气体，对由氧化硅膜等形成的绝缘膜进行蚀刻。据此，即使在形成深径比高的接触孔的情况下，在提高蚀刻速度以及抗蚀剂掩膜选择比的同时，可抑制接触孔变成弯曲状。

公开(公告)号：CN108281354A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201710011311.1

申请日：2017-01-06

Applicant: 联华电子股份有限公司 ,  福建省晋华集成电路有限公司

Inventor： 黄柏诚 ,  李昱廷 ,  蔡傅守 ,  林文钦 ,  刘俊良

IPC: H01L21/306 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/3212 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31056 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10844

Abstract: 本发明公开一种平坦化方法，包含提供一基底，具有一主表面。一凸起结构，位于主表面上。形成一绝缘层，共型地覆盖主表面以及凸起结构的顶面及侧壁。形成一停止层，位于绝缘层上并且至少覆盖凸起结构的顶面。然后全面性地形成一第一介电层，并以一化学机械研磨制作工艺移除部分第一介电层直到暴露出停止层，得到一上表面。形成一预定厚度的第二介电层，覆盖上表面。

公开(公告)号：CN107464747A

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201710291502.8

申请日：2017-04-28

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 萨曼莎·坦 ,  余珍意 ,  理查德·怀斯 ,  内德·莎玛 ,  潘阳

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/0273 ,  G03F7/427 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32899 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31056 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/302 ,  H01L21/67213

Abstract: 本发明涉及使用ALE和选择性沉积蚀刻衬底。提供了使用原子层沉积和选择性沉积处理含碳材料的衬底的方法和设备。方法包括将衬底上的含碳材料暴露于氧化剂上并以第一偏置功率点燃第一等离子体以使衬底的表面改性，并以第二偏置功率将改性的表面暴露于惰性等离子体以除去改性表面。方法还涉及将第二含碳材料选择性地沉积到衬底上。可以在不破坏真空的情况下进行ALE和选择性沉积。

公开(公告)号：CN104701247B

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201410738353.1

申请日：2014-12-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄琮闵 ,  李忠儒 ,  吴永旭

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/0338 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0335 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31056 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53228 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种方法包括在目标层上方形成芯轴层；以及蚀刻芯轴层以形成芯轴。芯轴的顶部宽度大于相应的底部宽度，并且芯轴限定位于芯轴层中的第一开口。第一开口呈I形并且包括两个平行部分和互连两个平行部分的连接部分。在第一开口的侧壁上形成间隔件。间隔件填充连接部分，其中，两个平行部分中的每个的中心部分未被间隔件填充。使第一开口的未被间隔件填充的部分延伸至目标层内。本发明涉及使用喇叭形间隔件的沟槽结构。