公开(公告)号：KR1019980079901A

公开(公告)日：1998-11-25

申请号：KR1019980007161

申请日：1998-03-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하시모토츠요시 ,  마츠세기미히로 ,  오쿠보가즈야 ,  다카하시츠요시

IPC: H01L21/08

Abstract: 처리실에 노출된 처리 용기의 내측 표면상에 제 1 프리코팅막을 형성하기 위해, 상기 처리실을 가열하면서, 제 1 성막용 가스를 상기 처리 용기의 처리실 내로 공급하고, 이어서, 상기 제 1 프리코팅막상에 제 2 프리코팅막을 형성하기 위해, 제 2 성막용 가스를 상기 처리실 내로 공급하는 것에 의해, 전처리(pretreatment)시에 프리코팅막을 형성한다. 이어서, 반도체 웨이퍼를 상기 처리실 내로 로딩한다. 그 후, 상기 웨이퍼상의 제 1 층을 형성하기 위해, 처리실을 가열하면서 상기 제 1 가스를 상기 처리실 내로 공급하고, 이어서, 상기 제 1 층상에 제 2 층을 형성하기 위해, 상기 제 2 가스를 상기 처리실 내로 공급한다. 다음에, 상기 제 1 층상에 적층된 상기 제 2 층의 표면상에 실리콘 물질이 증착되도록 실란 가스를 상기 처리실 내로 공급한다. 최종적으로, 제 1 및 제 2 적층막을 갖는 웨이퍼를 상기 처리 용기의 외부로 언로딩한다.

公开(公告)号：KR1020010031802A

公开(公告)日：2001-04-16

申请号：KR1020007004870

申请日：1998-11-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠세기미히로 ,  오츠키하야시

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L29/4941 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 본발명에관한반도체장치의배선구조는반도체기판상에형성된반도체소자또는배선과전기적으로접속하는제 1 도전층과, 제 1 도전층상에형성되는배리어메탈과, 배리어메탈상에형성되고, 배리어메탈을거쳐서제 1 도전층과전기적으로접속되는제 2 도전층을구비하며, 배리어메탈은 WNx(텅스텐질화물) 또는 WSixNy(텅스텐실리사이드질화물)로이루어지는것을특징으로한다.

公开(公告)号：KR1019980071647A

公开(公告)日：1998-10-26

申请号：KR1019980005741

申请日：1998-02-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고이즈미마사토 ,  오쿠보가즈야 ,  다카하시츠요시 ,  하시모토츠요시 ,  마츠세기미히로

IPC: H01L21/28

Abstract: 다층 구조의 게이트 전극을 형성하는 방법은 다-결정 막 형성용 가공 기체 및 P-형 불순물을 막 형성 기구에 가하여 게이트 막의 대상 표면에 P-형 불순물로 도핑된 다-결정 규소 층을 형성하는 단계, 다-결정 규소 층상에 산화막이 형성되는 것을 방지하기위해 막 형성 기구에 가공 대상을 유지시키는 단계, 및 텅스텐 실리사이드 막 형성용 가공 기체 및 P-형 불순물을 막 형성 기구에 가하여 P-형 불순물의 불순물로 도핑된 텅스텐 실리사이드 층을 산화막이 형성되지않은 다-결정 규소 층에 형성시키는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020080000687A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：KR1020077029779

申请日：1999-12-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오츠키하야시 ,  다다구니히로 ,  마츠세기미히로

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/28

CPC classification number: C23C16/45514 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76871 ,  H01L23/485 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57 ,  H01L28/65 ,  H01L28/75 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A TiSiN film of a barrier metal for a semiconductor device is formed by plasma CVD or thermal CVD to prevent diffusion of Cu. When the film is formed by thermal CVD, a TiCl4 gas, silane gas, and an NH3 gas are used as the source gas. When the film is formed by plasma CVD, a TiCl4 gas, a silane gas, an H2 gas, and an N2 gas are used as the source gas.

Abstract translation: 通过等离子体CVD或热CVD形成用于半导体器件的阻挡金属的TiSiN膜，以防止Cu的扩散。 当通过热CVD形成膜时，使用TiCl 4气体，硅烷气体和NH 3气体作为源气体。 当通过等离子体CVD形成膜时，使用TiCl 4气体，硅烷气体，H 2气体和N 2气体作为源气体。

公开(公告)号：KR100335970B1

公开(公告)日：2002-09-27

申请号：KR1019960045984

申请日：1996-10-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠세기미히로 ,  하시모토츠요시 ,  다치바나미츠히로

IPC: H01L21/324

Abstract: 본 발명은 막두께의 면내균일성을 악화시키는 일 없이 처리가스의 피처리체의 안쪽면측에 대한 돌아 들어감을 확실하게 방지할 수 있는 열처리장치에 관한 것으로서,
처리가스가 공급되는 반응실과 백사이드가스가 공급되는 가스실을 안에 갖는 처리용기와, 이 처리용기내에 배치되어 피처리체를 이 일면이 반응실에 노출되도록 지지하는 수단과, 반응실내에 설치되어 상기 피처리체와 맞붙는 크램프위치와 피처리체와 떨어진 대기위치의 사이에서 이동 가능하며 피처리체의 일면이 노출 가능한 개구를 규정하는 내주단면을 갖는 링상의 누름부재, 이 누름부재는 크램프위치에서 피처리체와 전체둘레에 걸쳐서 선접촉으로 맞붙고 반응실로부터 처리가스가 누름부재와 피처리체의 사이로부터 새는 것을 방지하는 시일수단을 갖는 것과, 상기 누름부재를 크램프위치와 대기위치의 사이에 선택적으로 이동시키는 구동수단과, 상기 반응실에 처리가스를 공급하는 수단과, 상기 가스실에 백사이드가스를 공급하는 수단� �, 상기 피처리체를 가열하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019970023859A

公开(公告)日：1997-05-30

申请号：KR1019960045984

申请日：1996-10-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠세기미히로 ,  하시모토츠요시 ,  다치바나미츠히로

IPC: H01L21/324

Abstract: 본 발명은 막두께의 면내균일성을 악화시키는 일 없이 처리가스의 피처리체의 안쪽면측에 대한 돌아 들어감을 확실하게 방지할 수 있는 열처리장치에 관한 것으로서, 처리가스가 공급되는 반응실과 백 사이드가스가 공급되는 가스실을 안에 갖는 처리용기와, 이 처리용기내에 배치되어 피처리체를 이 일면이 반응실에 노출되도록 지지하는 수단과, 반응실내에 설치되어 상기 피처리체와 맞붙는 크램프위치와 피처리체와 떨어진 대기위치의 사이에서 이동가능하며 피처리체의 일면이 노출 가능한 개구를 규정하는 내주단면을 갖는 링상의 누름부재, 이 누름부재는 크램프위치에서 피처리체와 전체둘레에 걸쳐서 선접촉으로 맞붙고 반응실로부터 처리가스가 누름부재와 피처리체의 사이로부터 새는 것은 방지하는 시일수단을 갖는 것과, 상기 누름부 를 크램프위치와 대기위치의 사이에 선택적으로 이동시키는 구동수단과, 상기 반응실에 처리가스를 공급하는 수단과, 상기 가스실에 백 사이드가스를 공급하는 수단과, 상기 피처리체를 가열하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020090048523A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：KR1020097008625

申请日：1999-12-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오츠키하야시 ,  다다구니히로 ,  마츠세기미히로

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/28

CPC classification number: C23C16/45514 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76871 ,  H01L23/485 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57 ,  H01L28/65 ,  H01L28/75 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: TiSiN막은 Cu의 확산을 방지하기 위해 반도체장치에 있어서 배리어 금속층으로서 이용된다. TiSiN막은 플라즈마 CVD 또는 열CVD에 의해 성막된다. TiCl
4 가스, 수소화 규소가스 및 NH
3 가스는 열CVD에 의해 TiSiN막을 성막하는 경우에 성막가스로서 이용된다. TiCl
4 가스, 수소화 규소가스, H
2 가스 및 N
2 가스는 플라즈마 CVD에 의해 TiSiN막을 성막하는 경우에 성막가스로서 이용된다.

公开(公告)号：KR100588887B1

公开(公告)日：2006-06-13

申请号：KR1020007004870

申请日：1998-11-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠세기미히로 ,  오츠키하야시

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L29/4941 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명에 관한 반도체 장치의 배선 구조는 반도체 기판 상에 형성된 반도체 소자 또는 배선과 전기적으로 접속하는 제 1 도전층과, 제 1 도전층 상에 형성되는 배리어 메탈과, 배리어 메탈 상에 형성되고, 배리어 메탈을 거쳐서 제 1 도전층과 전기적으로 접속되는 제 2 도전층을 구비하며, 배리어 메탈은 WNx(텅스텐 질화물) 또는 WSixNy(텅스텐 실리사이드 질화물)로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100466152B1

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：KR1019980005741

申请日：1998-02-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고이즈미마사토 ,  오쿠보가즈야 ,  다카하시츠요시 ,  하시모토츠요시 ,  마츠세기미히로

IPC: H01L21/28

Abstract: 다층 구조의 게이트 전극을 형성하는 방법은 다결정 막 형성용 가공 기체 및 P-형 불순물을 막 형성 장치에 공급하여 게이트 막의 대상 표면에 P-형 불순물로 도핑된 다결정 규소 층을 형성시키는 단계, 상기 막 형성 장치에 가공 표적을 유지시켜 다결정 규소 층상에 산화막이 형성되는 것을 방지하는 단계, 및 상기 막 형성 장치에 텅스텐 실리사이드 막 형성용 가공 기체 및 P-형 불순물을 공급하여 산화막이 형성되지 않은 다결정 규소 층에 P-형 불순물의 불순물로 도핑된 텅스텐 실리사이드 층을 형성시키는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR100373790B1

公开(公告)日：2003-04-21

申请号：KR1019980007161

申请日：1998-03-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하시모토츠요시 ,  마츠세기미히로 ,  오쿠보가즈야 ,  다카하시츠요시

IPC: H01L21/08

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45561

Abstract: pre-coating films are formed in a pretreatment by supplying first film-forming gases into a process chamber (20) of a process vessel (18) while heating the process chamber so as to form a first pre-coating film on the inner surface of the process vessel exposed to the process chamber, followed by supplying second film-forming gases into the process chamber to form a second pre-coating film on the first pre-coating film. A semiconductor wafer (W) is loaded into the process chamber. Then, the first gases is supplied into the process chamber while heating the process chamber so as to form a first layer on the wafer, followed by supplying the second gases into the process chamber so as to form a second layer on the first layer. A silane gas is supplied into the process chamber to permit silicon material to be deposited on the surface of the second layer stacked on the first layer. Finally, the wafer having the first and second multi-film is unloaded out of the process vessel.

Abstract translation: 通过在加热处理室的同时向处理容器（18）的处理室（20）中供应第一成膜气体以在所述处理室的内表面上形成第一预涂覆膜，在预处理中形成预涂覆膜 处理容器暴露于处理室，随后将第二成膜气体供应到处理室中以在第一预涂膜上形成第二预涂膜。 将半导体晶片（W）装载到处理室中。 然后，在加热处理室的同时将第一气体供应到处理室中，以便在晶片上形成第一层，随后将第二气体供应到处理室中以便在第一层上形成第二层。 硅烷气体被供应到处理室中以允许硅材料沉积在堆叠在第一层上的第二层的表面上。 最后，将具有第一和第二多层膜的晶片从加工容器卸出。 ＆lt;图像＆GT;