公开(公告)号：KR1019980071647A

公开(公告)日：1998-10-26

申请号：KR1019980005741

申请日：1998-02-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고이즈미마사토 ,  오쿠보가즈야 ,  다카하시츠요시 ,  하시모토츠요시 ,  마츠세기미히로

IPC: H01L21/28

Abstract: 다층 구조의 게이트 전극을 형성하는 방법은 다-결정 막 형성용 가공 기체 및 P-형 불순물을 막 형성 기구에 가하여 게이트 막의 대상 표면에 P-형 불순물로 도핑된 다-결정 규소 층을 형성하는 단계, 다-결정 규소 층상에 산화막이 형성되는 것을 방지하기위해 막 형성 기구에 가공 대상을 유지시키는 단계, 및 텅스텐 실리사이드 막 형성용 가공 기체 및 P-형 불순물을 막 형성 기구에 가하여 P-형 불순물의 불순물로 도핑된 텅스텐 실리사이드 층을 산화막이 형성되지않은 다-결정 규소 층에 형성시키는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR1019980079901A

公开(公告)日：1998-11-25

申请号：KR1019980007161

申请日：1998-03-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하시모토츠요시 ,  마츠세기미히로 ,  오쿠보가즈야 ,  다카하시츠요시

IPC: H01L21/08

Abstract: 처리실에 노출된 처리 용기의 내측 표면상에 제 1 프리코팅막을 형성하기 위해, 상기 처리실을 가열하면서, 제 1 성막용 가스를 상기 처리 용기의 처리실 내로 공급하고, 이어서, 상기 제 1 프리코팅막상에 제 2 프리코팅막을 형성하기 위해, 제 2 성막용 가스를 상기 처리실 내로 공급하는 것에 의해, 전처리(pretreatment)시에 프리코팅막을 형성한다. 이어서, 반도체 웨이퍼를 상기 처리실 내로 로딩한다. 그 후, 상기 웨이퍼상의 제 1 층을 형성하기 위해, 처리실을 가열하면서 상기 제 1 가스를 상기 처리실 내로 공급하고, 이어서, 상기 제 1 층상에 제 2 층을 형성하기 위해, 상기 제 2 가스를 상기 처리실 내로 공급한다. 다음에, 상기 제 1 층상에 적층된 상기 제 2 층의 표면상에 실리콘 물질이 증착되도록 실란 가스를 상기 처리실 내로 공급한다. 최종적으로, 제 1 및 제 2 적층막을 갖는 웨이퍼를 상기 처리 용기의 외부로 언로딩한다.

公开(公告)号：KR100466152B1

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：KR1019980005741

申请日：1998-02-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고이즈미마사토 ,  오쿠보가즈야 ,  다카하시츠요시 ,  하시모토츠요시 ,  마츠세기미히로

IPC: H01L21/28

Abstract: 다층 구조의 게이트 전극을 형성하는 방법은 다결정 막 형성용 가공 기체 및 P-형 불순물을 막 형성 장치에 공급하여 게이트 막의 대상 표면에 P-형 불순물로 도핑된 다결정 규소 층을 형성시키는 단계, 상기 막 형성 장치에 가공 표적을 유지시켜 다결정 규소 층상에 산화막이 형성되는 것을 방지하는 단계, 및 상기 막 형성 장치에 텅스텐 실리사이드 막 형성용 가공 기체 및 P-형 불순물을 공급하여 산화막이 형성되지 않은 다결정 규소 층에 P-형 불순물의 불순물로 도핑된 텅스텐 실리사이드 층을 형성시키는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR100373790B1

公开(公告)日：2003-04-21

申请号：KR1019980007161

申请日：1998-03-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하시모토츠요시 ,  마츠세기미히로 ,  오쿠보가즈야 ,  다카하시츠요시

IPC: H01L21/08

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45561

Abstract: pre-coating films are formed in a pretreatment by supplying first film-forming gases into a process chamber (20) of a process vessel (18) while heating the process chamber so as to form a first pre-coating film on the inner surface of the process vessel exposed to the process chamber, followed by supplying second film-forming gases into the process chamber to form a second pre-coating film on the first pre-coating film. A semiconductor wafer (W) is loaded into the process chamber. Then, the first gases is supplied into the process chamber while heating the process chamber so as to form a first layer on the wafer, followed by supplying the second gases into the process chamber so as to form a second layer on the first layer. A silane gas is supplied into the process chamber to permit silicon material to be deposited on the surface of the second layer stacked on the first layer. Finally, the wafer having the first and second multi-film is unloaded out of the process vessel.

Abstract translation: 通过在加热处理室的同时向处理容器（18）的处理室（20）中供应第一成膜气体以在所述处理室的内表面上形成第一预涂覆膜，在预处理中形成预涂覆膜 处理容器暴露于处理室，随后将第二成膜气体供应到处理室中以在第一预涂膜上形成第二预涂膜。 将半导体晶片（W）装载到处理室中。 然后，在加热处理室的同时将第一气体供应到处理室中，以便在晶片上形成第一层，随后将第二气体供应到处理室中以便在第一层上形成第二层。 硅烷气体被供应到处理室中以允许硅材料沉积在堆叠在第一层上的第二层的表面上。 最后，将具有第一和第二多层膜的晶片从加工容器卸出。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR101336363B1

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：KR1020117020104

申请日：2010-01-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와타데루오 ,  구와지마료 ,  아미쿠라마나부 ,  하시모토츠요시 ,  우치다히로아키

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/46 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45565

Abstract: 성막 장치(100)는 웨이퍼(W)를 수용하는 챔버(1)와, 챔버(1)내에서 웨이퍼 W를 탑재하는 서셉터(2)와, 서셉터(2)상의 웨이퍼 W를 가열하는 히터(5a, 5b)와, 서셉터(2)에 대향해서 마련되고, 웨이퍼(W)를 향해 성막을 위한 처리 가스를 토출하는 본체가 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어지는 샤워 플레이트(12)를 구비하고, 웨이퍼(W)의 표면에, 성막 온도에 있어서 열팽창율이 샤워 플레이트(12)의 본체(13)의 열팽창율보다 5×10
-6 /℃ 이상 낮은 막을 성막하는 것이며, 샤워 플레이트(12)는 본체(13)의 서셉터(2)에 대향하는 면에 두께가 10㎛ 이상의 양극 산화 피막(14)이 형성되어 있다.

公开(公告)号：KR1020110122147A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：KR1020117020104

申请日：2010-01-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와타데루오 ,  구와지마료 ,  아미쿠라마나부 ,  하시모토츠요시 ,  우치다히로아키

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/46 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45565

Abstract: 성막 장치(100)는 웨이퍼(W)를 수용하는 챔버(1)와, 챔버(1)내에서 웨이퍼 W를 탑재하는 서셉터(2)와, 서셉터(2)상의 웨이퍼 W를 가열하는 히터(5a, 5b)와, 서셉터(2)에 대향해서 마련되고, 웨이퍼(W)를 향해 성막을 위한 처리 가스를 토출하는 본체가 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어지는 샤워 플레이트(12)를 구비하고, 웨이퍼(W)의 표면에, 성막 온도에 있어서 열팽창율이 샤워 플레이트(12)의 본체(13)의 열팽창율보다 5×10
-6 /℃ 이상 낮은 막을 성막하는 것이며, 샤워 플레이트(12)는 본체(13)의 서셉터(2)에 대향하는 면에 두께가 10㎛ 이상의 양극 산화 피막(14)이 형성되어 있다.

公开(公告)号：KR100335970B1

公开(公告)日：2002-09-27

申请号：KR1019960045984

申请日：1996-10-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠세기미히로 ,  하시모토츠요시 ,  다치바나미츠히로

IPC: H01L21/324

Abstract: 본 발명은 막두께의 면내균일성을 악화시키는 일 없이 처리가스의 피처리체의 안쪽면측에 대한 돌아 들어감을 확실하게 방지할 수 있는 열처리장치에 관한 것으로서,
처리가스가 공급되는 반응실과 백사이드가스가 공급되는 가스실을 안에 갖는 처리용기와, 이 처리용기내에 배치되어 피처리체를 이 일면이 반응실에 노출되도록 지지하는 수단과, 반응실내에 설치되어 상기 피처리체와 맞붙는 크램프위치와 피처리체와 떨어진 대기위치의 사이에서 이동 가능하며 피처리체의 일면이 노출 가능한 개구를 규정하는 내주단면을 갖는 링상의 누름부재, 이 누름부재는 크램프위치에서 피처리체와 전체둘레에 걸쳐서 선접촉으로 맞붙고 반응실로부터 처리가스가 누름부재와 피처리체의 사이로부터 새는 것을 방지하는 시일수단을 갖는 것과, 상기 누름부재를 크램프위치와 대기위치의 사이에 선택적으로 이동시키는 구동수단과, 상기 반응실에 처리가스를 공급하는 수단과, 상기 가스실에 백사이드가스를 공급하는 수단� �, 상기 피처리체를 가열하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019970023859A

公开(公告)日：1997-05-30

申请号：KR1019960045984

申请日：1996-10-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠세기미히로 ,  하시모토츠요시 ,  다치바나미츠히로

IPC: H01L21/324

Abstract: 본 발명은 막두께의 면내균일성을 악화시키는 일 없이 처리가스의 피처리체의 안쪽면측에 대한 돌아 들어감을 확실하게 방지할 수 있는 열처리장치에 관한 것으로서, 처리가스가 공급되는 반응실과 백 사이드가스가 공급되는 가스실을 안에 갖는 처리용기와, 이 처리용기내에 배치되어 피처리체를 이 일면이 반응실에 노출되도록 지지하는 수단과, 반응실내에 설치되어 상기 피처리체와 맞붙는 크램프위치와 피처리체와 떨어진 대기위치의 사이에서 이동가능하며 피처리체의 일면이 노출 가능한 개구를 규정하는 내주단면을 갖는 링상의 누름부재, 이 누름부재는 크램프위치에서 피처리체와 전체둘레에 걸쳐서 선접촉으로 맞붙고 반응실로부터 처리가스가 누름부재와 피처리체의 사이로부터 새는 것은 방지하는 시일수단을 갖는 것과, 상기 누름부 를 크램프위치와 대기위치의 사이에 선택적으로 이동시키는 구동수단과, 상기 반응실에 처리가스를 공급하는 수단과, 상기 가스실에 백 사이드가스를 공급하는 수단과, 상기 피처리체를 가열하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.