公开(公告)号：KR102147551B1

公开(公告)日：2020-08-24

申请号：KR1020147016724

申请日：2012-12-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키야스하루 ,  스가마타다케시 ,  아오토다다시

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/3065 ,  C09J201/00

公开(公告)号：KR100452649B1

公开(公告)日：2004-10-12

申请号：KR1020017016361

申请日：2000-06-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미노미츠야키 ,  사사키야스하루 ,  츠보이교 ,  아마노히데야키

IPC: C23C16/505

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/46 ,  H01J2237/2002

Abstract: An electrode structure used in a plasma processing apparatus which performs a predetermined process on an object (W) to be processed by using a plasma in a process chamber (26) in which a vacuum can be formed. An electrode unit (38) has a heater unit (44) therein. A cooling block (40) having a cooling jacket (58) is joined to the electrode unit (38) so as to cool the electrode unit. A heat resistant metal seal member (66A, 66B) seals an electrode-side heat transfer space (62, 64) formed between the electrode unit and the cooling block. Electrode-side heat transfer gas supply means (94) supplies a heat transfer gas to the electrode-side heat transfer space. Accordingly, a sealing characteristic of the electrode-side heat transfer space does not deteriorate even in a high temperature range such as a temperature higher than 200 DEG C and, for example, a range from 350 DEG C to 500 DEG C, and the heat transfer gas does not leak.

Abstract translation: 一种等离子体处理装置中使用的电极结构体，该等离子体处理装置通过在能够形成真空的处理室（26）内利用等离子体对被处理体（W）进行规定的处理。 电极单元（38）中具有加热器单元（44）。 具有冷却套（58）的冷却块（40）连接到电极单元（38）以冷却电极单元。 耐热金属密封构件（66A，66B）密封形成在电极单元和冷却块之间的电极侧传热空间（62,64）。 电极侧传热用气体供给机构（94）向电极侧传热空间供给传热用气体。 因此，即使在高于200℃的温度的高温范围内，例如在350℃至500℃的范围内，电极侧传热空间的密封特性也不会劣化，并且热量 输送气体不会泄漏。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR1020020022072A

公开(公告)日：2002-03-23

申请号：KR1020017016361

申请日：2000-06-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미노미츠야키 ,  사사키야스하루 ,  츠보이교 ,  아마노히데야키

IPC: C23C16/505

Abstract: 진공흡인 가능하게 된 처리 용기(26)내에 플라즈마를 이용하여 피처리체(W)에 대하여 소정의 처리를 실행하는 플라즈마 처리 장치에 이용되는 전극 구조체가 제공된다. 전극부(38)는 가열 히터부(44)를 내부에 갖는다. 냉각 재킷(58)을 갖는 냉각 블록(40)이 전극부(38)에 접합되어 전극부를 냉각한다. 내열성 메탈 밀봉 부재(66A, 66B)는 전극부와 냉각 블록 사이에 형성되는 전극측 전열 공간(62, 64)을 밀봉한다. 전극측 전열 가스 공급 수단(94)은 전극측 전열 공간에 전열 가스를 공급한다. 이에 의해 20℃ 이상, 예컨대 350 내지 500℃ 정도의 고온 영역에 있어서도 전극측 전열 공간의 밀봉성이 열화하지 않고 전열 가스가 누출되는 일이 없다.

公开(公告)号：KR101946094B1

公开(公告)日：2019-02-08

申请号：KR1020147012631

申请日：2012-11-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키야스하루 ,  마츠자키가즈요시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/324 ,  H01L21/02

公开(公告)号：KR101832249B1

公开(公告)日：2018-02-26

申请号：KR1020110082320

申请日：2011-08-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키야스하루 ,  기쿠치에이이치로 ,  마츠자키카즈요시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67109

Abstract: (과제) 설치스페이스가적어도되고, 장치구성을간소화할수 있는온도조절수단을구비한기판처리장치를제공한다. (해결수단) 기판에플라즈마처리를행하는챔버(11)와, 챔버(11) 내에서, 기판을올려놓는서셉터(susceptor; 12)와, 서셉터(12)와처리공간(S)을사이에두고대향하도록설치된샤워헤드(shower head; 14)와, 처리공간(S)에고주파전력을인가하여플라즈마를발생시키는고주파전원(15)과, 온도조절면으로서의서셉터(12)의표면(12a)의이면(12b)에물의젖음면을형성하는물 분사장치(16)와, 물의젖음면을주위의분위기로부터격리하는증발실(17)과, 증발실(17) 내의압력을조정하는압력조정장치(18, 19)를구비한기판처리장치에있어서, 압력조정장치(18, 19)에의해증발실(17) 내의압력을조정하여젖음면을형성하는물을증발시켜, 물의증발잠열을이용하여서셉터(12)의표면(12a)의온도를제어한다.

Abstract translation: 提供一种具有温度调节单元的基板处理装置，该温度调节单元能够使设置空间最小化，并且能够简化装置结构。 用于将基板放置在腔室11中的基座12以及基座12和处理空间S被放置在腔室11中， 高频电源15，用于通过向处理空间S施加高频电力来产生等离子体;以及高频电源15，用于在作为温度调节表面的基座12的表面12a上产生等离子体， 用于在蒸发室17的后表面12b上形成水的湿表面的水喷射装置16，用于将水的湿表面与周围大气隔离的蒸发室17， 18,19）中，通过压力调节装置（18,19）调节蒸发室（17）中的压力以蒸发形成润湿表面的水， 基板12的表面12a的温度受到控制。

公开(公告)号：KR101790103B1

公开(公告)日：2017-10-25

申请号：KR1020127027654

申请日：2011-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키야스하루

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67103 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32724

Abstract: 영역온도제어구조체는, 상이한온도로제어되는 2 개이상의영역을가지는구조체로서, 각영역의배열방향을따른열전도를억제하여온도차를유지하고, 또한각 영역의배열방향에교차하는방향으로부터의입사열에대해서는순조로운열의전도를확보하여핫 스폿의발생을억제한다. 이영역온도제어구조체는, 표면온도가각각상이한온도로제어되는 2 개이상의영역과, 상기 2 개이상의영역상호간에배치된열전도이방성재료층을가진다. 이열전도이방성재료층은, 2 개이상의영역의배열방향을따른열전도율이, 2 개이상의영역의배열방향에교차하는방향에서의열전도율보다작다.

Abstract translation: 区域温度控制结构是具有两个或更多个区域被控制为不同的温度，抑制了热传导性沿各区域的布置以保持温度差的方向的结构，并且也将热量从一个方向交叉的每个区域的排列方向进入时， 确保平滑热量的传导并抑制热点的产生。 这个区域温度控制结构，并且具有控制各个不同的温度的两个或多个区域的表面温度，以及设置在所述两个或更多个区域之间的热导率的各向异性材料层。 双歧各向异性导电材料层，沿着两个或更多个区域的排列方向上的热导率，比热导率eseoui方向交叉的两个或更多个区域的排列方向更小。

公开(公告)号：KR101465849B1

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：KR1020127014889

申请日：2010-12-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤

Inventor： 사사키야스하루 ,  마스자와겐지 ,  마카베도시유키 ,  고사카이마모루 ,  사토우다카시 ,  이시무라가즈노리 ,  하야하라류우지 ,  고우노히토시

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/6831 ,  H01J37/32642 ,  H01J2237/332 ,  H01J2237/338 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248

Abstract: 본 발명은 정전 척부와, 이 정전 척부를 둘러싸도록 마련된 환상의 포커스 링부와, 이들 정전 척부 및 포커스 링부를 냉각하는 냉각 베이스부에 의해 구성되고, 포커스 링부는 환상의 포커스 링과, 환상의 열전도 시트와, 환상의 세라믹 링과, 비자성체의 히터와, 이 히터에 급전하는 전극부를 구비하여 이루어지는 정전 척 장치를 제공한다.

公开(公告)号：KR101408567B1

公开(公告)日：2014-06-17

申请号：KR1020100003242

申请日：2010-01-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시오카켄 ,  다카하시슈이치 ,  사사키야스하루

IPC: H01L21/687 ,  H02N13/00

CPC classification number: H01L21/6831 ,  H01L21/67132 ,  Y10T29/49746 ,  Y10T428/219 ,  Y10T428/24777 ,  Y10T428/24843 ,  Y10T428/249982 ,  Y10T428/249985

Abstract: 본 발명은 정전 척 장치에 있어서의 접착제 층의 측면이 침식되었을 때에, 그 침식 부분을 균일하게 보수할 수 있는 보수 방법, 및 그 보수에 이용하는 보수 장치, 및 이들을 적용한 정전 척 장치를 제공한다. 구체적으로, 금속 기반 상에 적어도 접착제 층과 흡착 층을 갖는 정전 척 장치의 보수 방법에 있어서, 침식된 접착제 층의 측면에 실 형상의 접착제를 감은 후, 열압 처리하는 것을 특징으로 하는 정전 척 장치의 보수 방법, 또한, 해당 보수 방법에 이용하는 장치에 있어서, 정전 척 장치(20)를 회전시키는 회전대(11)와, 접착제 층(22)에 접착제(14)를 공급하는 보빈(12)과, 보빈(12)과 접착제 층(22) 사이에서 접착제(14)의 위치 결정을 행하는 위치 결정 수단(13)을 갖는 보수 장치(10)를 제공한다．

公开(公告)号：KR100540051B1

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：KR1020040008149

申请日：2004-02-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키야스하루 ,  모리야츠요시 ,  나가이케히로시

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/67069

Abstract: 플라즈마를 이용해서 처리를 실행하는 플라즈마 처리 장치에 있어서, 서로 다른 복수의 프로세스를 실행함에 있어서 장치의 공용화를 도모하는 것, 또한 복수의 장치에서 동일한 프로세스를 실행함에 있어서 장치간의 플라즈마의 상태를 용이하게 맞추는 것을 제공한다.
처리 용기내의 피 처리 기판을 절연재로 이루어지는 링부재로 둘러싸고, 이 링부재내에 플라즈마의 시스 영역을 조정하기 위한 전극을 설치하고, 예컨대 피 처리 기판에 대하여 제 1 프로세스를 실행할 때에는 해당 전극에 제 1 직류 전압을 인가하고, 제 2 프로세스를 실행할 때에는 제 2 직류 전압을 인가하는 구성으로 한다. 이 경우, 각 프로세스 또는 동일한 프로세스를 실행하는 각 장치에 따라서 적절한 직류 전압을 인가함으로써 플라즈마의 상태를 맞출 수 있으므로, 장치의 공용화를 도모할 수 있고, 또한 플라즈마의 상태의 조정을 용이하게 할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020040072467A

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：KR1020040008149

申请日：2004-02-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키야스하루 ,  모리야츠요시 ,  나가이케히로시

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/67069

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to adjust a plasma state in every process and commonly use an apparatus with respect to a plurality of different process treatments by applying a predetermined DC voltage to an electrode in a ring member composed of an insulator. CONSTITUTION: The ring member is composed of an insulating material installed to surround a substrate to be processed on a mounting table. The electrode(51) is installed in the ring member. A DC power source applies a DC voltage to the electrode to adjust a plasma sheath region above the ring member.

Abstract translation: 目的：提供一种等离子体处理装置，用于在每个过程中调节等离子体状态，并且通过对由绝缘体组成的环形构件中的电极施加预定的DC电压，通常使用关于多个不同工艺处理的装置。 构成：环形构件由安装成围绕要安装台上要加工的基板的绝缘材料构成。 电极（51）安装在环状部件中。 直流电源向电极施加直流电压，以调整环件上方的等离子体护套区域。