公开(公告)号：KR101610832B1

公开(公告)日：2016-04-08

申请号：KR1020100019171

申请日：2010-03-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장원문 ,  부재필 ,  김종복 ,  탁수영 ,  안종선 ,  김신

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/04 ,  B24B55/03

CPC classification number: B24B41/06

Abstract: 신뢰성및 내구성이향상된화학적기계적연마설비를제공한다. 상기화학적기계적연마설비는웨이퍼를지지하는제 1 영역및 상기제 1 영역의외측에위치하는제 2 영역을갖추는플래튼을구비한다. 상기플래튼상에위치하는연마패드가제공된다. 상기연마패드가부착되는패드헤드가제공된다. 상기웨이퍼상에슬러리를공급하는슬러리공급부가제공된다. 상기플래튼의제 2 영역에위치하며상기웨이퍼의배면가장자리에상기웨이퍼의외측방향으로일정기체를분사하는분사구가제공된다.

公开(公告)号：KR1020080049313A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：KR1020060119734

申请日：2006-11-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안종선

IPC: H01L21/304 ,  B24B57/02 ,  B24B37/04

Abstract: A slurry supply apparatus is provided to polish uniformly a substrate by forming a mixture having a constant ratio of a polishing agent and an additive. A first supply unit(110) supplies a polishing agent to a polishing pad. A second supply unit(120) is controlled independently from the first supply unit in order to supply an additive of a gas state to the polishing pad. The second supply unit includes a flow rate controller(116) for controlling a flow rate of the additive of the gas state. The second supply unit further includes an injection part(128) for injecting the additive of the gas state onto the polishing pad. The second supply unit includes a receptacle(121) for receiving an additive of a liquid state, an evaporation member(123) for evaporating the additive, and a carrier gas supply part(125) for migrating the evaporated additive onto the polishing pad.

Abstract translation: 提供浆料供给装置以通过形成具有恒定比例的抛光剂和添加剂的混合物来均匀地抛光基底。 第一供应单元（110）将抛光剂提供给抛光垫。 第二供应单元（120）独立于第一供应单元被控制，以将气体状态的添加剂供应到抛光垫。 第二供给单元包括用于控制气体状态的添加剂的流量的流量控制器（116）。 第二供应单元还包括用于将气态添加剂注入抛光垫的注射部分（128）。 第二供应单元包括用于接收液态添加剂的容器（121），用于蒸发添加剂的蒸发构件（123）和用于将蒸发的添加剂迁移到抛光垫上的载气供应部分（125）。

公开(公告)号：KR1020070026929A

公开(公告)日：2007-03-09

申请号：KR1020050079158

申请日：2005-08-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정은국 ,  김준 ,  김진홍 ,  방석철 ,  장경태 ,  양형모 ,  유창연 ,  안종선 ,  강윤승

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L21/2018 ,  H01L29/66772

Abstract: A method for manufacturing a stack type semiconductor device is provided to improve an electrical reliability by preventing the generation of voids using a spacer formed at sidewalls of a second opening of a second insulating pattern. A gate structure(109) is formed on a substrate(100). A first insulating pattern(112) with first openings is formed on the resultant structure. A seed pattern(116) made of single crystal silicon is formed in the first openings. A second insulating pattern(114) with second openings(118) for exposing the first insulating pattern to the outside is formed on the resultant structure. A spacer(122) is formed at sidewalls of each second opening of the second insulating pattern. A single crystal silicon pattern(124) is filled in the second opening.

Abstract translation: 提供一种用于制造叠层型半导体器件的方法，以通过使用形成在第二绝缘图案的第二开口的侧壁处的间隔件来产生空隙来提高电可靠性。 栅极结构（109）形成在衬底（100）上。 在所得结构上形成具有第一开口的第一绝缘图案（112）。 在第一开口中形成由单晶硅制成的种子图案（116）。 具有用于将第一绝缘图案暴露于外部的第二开口（118）的第二绝缘图案（114）形成在所得结构上。 在第二绝缘图案的每个第二开口的侧壁处形成间隔物（122）。 单晶硅图案（124）填充在第二开口中。

公开(公告)号：KR100669108B1

公开(公告)日：2007-01-15

申请号：KR1020050034519

申请日：2005-04-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정은국 ,  김준 ,  김진홍 ,  방석철 ,  강윤승 ,  김효정 ,  양형모 ,  안종선

IPC: H01L21/8244

Abstract: 단결정 실리콘막 및 상기 단결정 실리콘막과 접속하는 콘택 플러그가 구비된스택형 반도체 장치 및 그 제조에서, 상기 스택형 반도체 장치는 단결정 실리콘 기판 상에 형성되고, 최상부 표면으로부터 상기 기판 표면까지 연통된 콘택홀을 갖는 층간 절연막 패턴들이 적층된 층간 절연 구조물과, 상기 층간 절연막 패턴들 사이에 개재되고, 상기 콘택홀에 의해 일부분이 노출되고, 상부 액티브 영역으로 사용하기 위한 단결정 실리콘막 패턴과, 상기 콘택홀의 측벽, 저면 및 상기 단결정 실리콘막 패턴의 노출된 일부분 상에 연속적으로 형성되고, 실리콘과 베리어 금속의 실리사이드 반응을 통하여 획득한 금속 실리사이드막 패턴 및 금속막 패턴을 포함한다. 상기한 스택형 반도체 장치는 금속 또는 금속 실리사이드막이 단결정 실리콘막 패턴으로 침식되는 것을 최소화할 수 있어서 동작 불량이 감소된다.

公开(公告)号：KR1020060064294A

公开(公告)日：2006-06-13

申请号：KR1020040103099

申请日：2004-12-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안종선 ,  김진홍 ,  방석철 ,  김영준 ,  정은국

IPC: H01L27/11

CPC classification number: H01L21/76829 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/1104

Abstract: 본 발명은 제 1 층간 절연막과 제 2 층간 절연막 사이에 식각저지층이 잔류함으로써 상부 금속 배선층과 하부 반도체 기판 활성 영역을 전기적으로 접속시키기 위한 콘택 홀 형성을 위한 식각 공정시 장애물로 작용하는 문제점을 해결하면서 다층 스택 구조의 에스램 셀을 갖는 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관해 개시한다. 이를 위해 본 발명은 반도체 기판상에 제 1 층간 절연막을 증착한 후, 제 1 층간 절연막상에 콘택 플러그를 형성하고, 상기 콘택 플러그를 포함하고 있는 제 1 층간 절연막상에 상기 제 1 층간 절연막 및 후속의 제 2 층간 절연막과 식각선택비를 갖는 식각저지층 패턴을 특정영역에만 국부적으로 형성한다. 그 후, 제 2 층간 절연막을 형성하고, 박막 트랜지스터의 바디층 형성을 위한 트랜치를 상기 콘택 플러그와 접속하도록 형성한다.
에스램, 식각저지층, 트랜치, 콘택홀, 콘택 플러그

公开(公告)号：KR100546390B1

公开(公告)日：2006-01-26

申请号：KR1020030074664

申请日：2003-10-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이상훈 ,  김준 ,  방석철 ,  정은국 ,  장우순 ,  안종선

IPC: H01L21/24

Abstract: MOS 트랜지스터에서 소스/드레인 영역의 상면 및 게이트 전극의 상면에 각각 금속 실리사이드층을 독립적으로 형성하는 데 있어서 소스/드레인 영역의 상면에는 금속 실리사이드층을 500℃ 이상의 고온 열처리를 통하여 형성하고, 게이트 전극의 상면에는 금속 실리사이드층을 500℃ 이하의 저온 열처리를 통하여 형성한다. 이를 위하여, 반도체 기판상에 게이트 전극과 그 위에 형성된 실리사이드화 방지막을 포함하는 적층 패턴을 형성한다. 게이트 전극의 측벽을 덮는 절연 스페이서를 형성하고, 소스/드레인 영역을 형성한다. 500 ∼ 800℃에서 소스/드레인 영역의 상면에만 선택적으로 제1 금속 실리사이드층을 형성한다. 실리사이드화 방지막을 제거하여 게이트 전극의 상면을 노출시킨다. 400 ∼ 500℃에서 게이트 전극의 상면에만 선택적으로 제2 금속 실리사이드층을 형성한다.
실리사이드, 드레인 전류, 게이트 전극, 소스/드레인

公开(公告)号：KR2020000002360U

公开(公告)日：2000-02-07

申请号：KR2019980012157

申请日：1998-07-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤하용 ,  안종선

IPC: F16J15/16

Abstract: 본 고안은 축봉장치에 관한 것으로, 본 고안의 비접촉식 축봉장치는 회전축과, 회전축의 외측면에 마련된 하우징을 구비하고, 하우징의 내측면의 회전축과의 사이에 실을 구비한다. 그리고 실과 하우징 사이에는 실에 대한 충격을 완충시키기 위한 탄성부재가 설치되는데, 이 탄성부재는 오링을 포함한다. 이러한 본 고안에서의 비접촉식 축봉장치는 축과 실의 접촉시 실의 파손방지로 운전 신뢰성 향상됨과 동시에 축의 감쇄성분 증가로 축의 안정성 및 신뢰성 향상 그리고 실과 축간의 동심가공, 축의 진폭 감소를 위한 축의 정밀 가공 및 발란싱, 실의 조립과정에서 요구되는 정밀도를 낮출 수 있어 상대적으로 제작비가 절감되고 양산성을 갖게 되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR200147721Y1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR2019970003201

申请日：1997-02-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤하용 ,  안종선

IPC: F25B1/00

Abstract: 본 고안은 공기조화기용 냉동사이클에 관한 것으로, 본 고안의 냉동사이클은 흡입구를 통하여 유입된 냉매의 속도를 가변시켜 냉매를 압축할 수 있도록 하는 임펠러를 구비한 원심압축기와 원심압축기에서 압축되어 토출된 냉매를 응축하는 응축기를 구비하고, 응축수단에서 토출된 냉매를 열교환시키는 증발기와 원심압축기와 응축기 사이에는 원심압축기에서 토출된 냉매가 원심압축기로 역류하는 것을 방지할 수 있도록 하는 밸브가 마련된 것이다.

公开(公告)号：KR100200795B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019970006031

申请日：1997-02-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤하용 ,  안종선

IPC: F25B1/00

Abstract: 본 발명은 공기조화기의 냉동싸이클에 관한 것으로, 그 목적은 목적은 냉매를 다단 압축함으로써 냉매의 압축율을 높여 전체 싸이클의 작동 효율을 향상시키는 것이다.
본 발명에 따른 공기조화기의 냉동싸이클은, 냉매를 압축하기 위한 압축기(10), 압축된 냉매를 응축시키기 위한 응축기(20), 그리고 냉매를 증발시켜 냉기를 생성하는 증발기(40)를 포함한다. 압축기(10)는 1차압축부(11)와 2차압축부(12)를 구비하여 냉매를 2단압축하도록 한다. 응축기(20)의 후방에는 응축기(20)의 후방 냉매관(50)에서 분기되어 1차압축부(11)와 2차압축부(12)사이에 연통된 회귀유로(60)가 마련되어 응축된 냉매의 일부를 압축기로 복귀시켜 1차압축된 냉매를 냉각시킨다. 이로써 1차압축된 냉매가 냉각된 후, 2차압축되도록 함으로서 냉매의 압축율을 향상하고 2차압축부(12)의 파손을 방지한다.

公开(公告)号：KR100146842B1

公开(公告)日：1998-08-17

申请号：KR1019950033711

申请日：1995-10-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이승갑 ,  안종선

IPC: F25B15/00

CPC classification number: Y02A30/277 ,  Y02B30/62

Abstract: 본 발명은 리튬브로마이드수용액을 이용하여 냉난방을 출력시키는 흡수식 냉난방기에 관한 것으로써, 특히 희용액을 냉매증기와 농용액으로 분리시키는 발생기와, 상기 발생기에서 분리된 냉매증기를 응축시키는 응축기와, 상기 응축기에서 응축된 냉매가 증발되는 증발기로 이루어져 냉난방을 출력하는 흡수식 냉난방기에 있어서, 상기 발생기에서 분리된 농용액이 충만되며 상기 발생기에서 분리된 농용액의 흐름을 가이드하는 용액배관이 접속된 흡수기와, 상기 흡수기에 충만된 농용액에 직접 접촉되어 희용액을 생성시키도록 상기 증발기에서 증발작용된 냉매증기를 버블화시키며 상기 증발기에서 증발작용된 냉매증기의 흐름을 가이드하는 냉매증기배관에 장착된 에어펌프수단과, 상기 에어펌프수단에 의해 버블화된 냉매증기가 상기 흡수기 의 내부에서 분사되도록 상기 냉매증기배관의 단부에 고착된 분사수단으로 이루어진 흡수식 냉난방기에 관한 것으로 흡수기에 농용액이 충만되도록 하고 농용애이 충만된 흡수기로 버블화된 냉매증기를 공급하여 버블화된 냉매증기가 농용액에 직접 접촉되어서 희용액을 생성시키므로써 흡수 효율을 향상시켜 냉난방 효율을 보다 향상 시킴과 동시에, 흡수기의 냉각수 배관을 제거하여 크기를 콤팩트화 시키고 발생기로 고온의 희용액이 공급되도록 하여 에너지의 소비를 절감시킬 수 있다는 효과가 있다.