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公开(公告)号：KR102238444B1
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：KR1020170031294A
申请日：2017-03-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/823431 , H01L21/82345 , H01L21/823462
Abstract: 반도체 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 반도체 장치는, 제1 및 제2 영역을 포함하는 기판, 제1 영역의 기판 상에 배치되는 제1 인터페이스막, 제2 영역의 기판 상에 배치되는 제2 인터페이스막, 제1 및 제2 인터페이스막 상에 배치되는 유전막, 제1 영역의 유전막 상에 배치되는 제1 금속막, 및 제2 영역의 유전막 상에 배치되는 제2 금속막을 포함하고, 제1 및 제2 인터페이스막은 기판의 산화물을 포함하고, 제1 및 제2 금속막은 서로 다른 물질을 포함하고, 제1 및 제2 인터페이스막은 서로 다른 두께를 갖는다.
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公开(公告)号：WO2022181959A1
公开(公告)日：2022-09-01
申请号：PCT/KR2021/019952
申请日：2021-12-27
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 개시에 따르는 스크롤 압축기는 토출구와 복수의 릴리스 구멍이 마련된 고정 스크롤과, 고정 스크롤의 상면에 설치되며, 복수의 릴리스 구멍을 개폐하도록 형성된 릴리스 밸브링, 및 릴리스 밸브링의 상부에 설치되며, 릴리스 밸브링의 이동을 제한하도록 형성된 리테이너링을 포함한다. 릴리스 밸브링은 링 형상이며, 복수의 체결구멍을 포함하는 고정부와, 고정부의 내주면에서 중심을 향해 연장되며, 복수의 릴리스 구멍을 개폐하도록 형성되는 복수의 릴리스 밸브, 및 복수의 릴리스 밸브 중 적어도 한 개의 릴리스 밸브와 고정부의 내주면을 연결하는 적어도 한 개의 연결부를 포함한다. 리테이너링은 릴리스 밸브링의 고정부에 대응하는 형상을 갖는 리테이너 고정부와, 릴리스 밸브링의 복수의 릴리스 밸브의 상향 이동을 제한하도록 형성된 복수의 리테이너, 및 릴리스 밸브링의 적어도 한 개의 연결부에 대응하며, 복수의 리테이너 중 적어도 한 개의 리테이터와 리테이너 고정부를 연결하는 적어도 한 개의 리테이너 연결부를 포함한다.
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公开(公告)号：WO2022065654A1
公开(公告)日：2022-03-31
申请号：PCT/KR2021/009499
申请日：2021-07-22
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 시스템 효율이 향상된 냉동 사이클 장치를 개시한다. 냉동 사이클 장치는, 흡입 파이프와 배출 파이프를 포함하고, 냉매를 압축하도록 마련되는 압축기와, 상기 압축기로부터 배출되는 오일이 혼합된 냉매를 냉매와 오일로 분리하도록 마련되는 오일 분리기와, 상기 압축기로부터 배출되는 상기 오일이 혼합된 냉매를 상기 오일 분리기로 안내하는 제1배관과, 상기 오일 분리기에 의해 상기 오일이 혼합된 냉매로부터 분리된 냉매를 상기 압축기로 다시 안내하는 제2배관 및 상기 오일 분리기에 의해 상기 오일이 혼합된 냉매로부터 분리된 오일을 상기 압축기로 다시 안내하는 제3배관을 포함할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2019045454A1
公开(公告)日：2019-03-07
申请号：PCT/KR2018/010004
申请日：2018-08-29
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 체크밸브의 설치위치를 최적화 하여 스크롤 압축기의 정지 시 냉매의 역류를 방지하고, 유동소음을 저감할 수 있고, 스크롤 압축기로 흡입되는 냉매가 압축실과 구동유닛에 효율적으로 분배되어 전달되도록 하는 스크롤 압축기를 제공한다. 스크롤 압축기는 본체, 상기 본체 내부에 고정 설치되는 고정스크롤, 상기 고정스크롤과 맞물려 상대 선회 운동을 하며, 상기 고정스크롤과 압축실을 형성하는 선회스크롤, 상기 고정스크롤의 상부에 위치하며, 상기 본체 내부를 저압부와 고압부로 구분하는 고저압분리판, 상기 고정스크롤의 토출구에 설치되어 상기 토출구를 개폐하는 제1체크밸브 및 상기 고저압분리판의 상부에 설치되며, 상기 저압부와 상기 고압부를 연통시키는 개구를 개폐하는 제2체크밸브를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020170101729A
公开(公告)日：2017-09-06
申请号：KR1020160024710
申请日：2016-02-29
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L29/66742 , B82Y10/00 , H01L29/0653 , H01L29/0673 , H01L29/1037 , H01L29/1079 , H01L29/41725 , H01L29/42392 , H01L29/515 , H01L29/66439 , H01L29/775 , H01L29/78618 , H01L29/78696
Abstract: 소자의성능을향상시킬수 있는구조를가지는반도체소자를제공한다. 본발명에따른반도체소자는기판으로부터돌출되는제1 방향으로연장되는핀형활성영역, 핀형활성영역의상면으로부터이격된위치에서핀형활성영역의상면과평행하게연장되고각각채널영역을가지는복수의나노시트, 핀형활성영역상에서제1 방향과교차하는제2 방향으로연장되고복수의나노시트각각의적어도일부를포위하는게이트, 복수의나노시트에연결된소스/드레인영역, 소스/드레인영역과의사이에에어스페이스를가지도록핀형활성영역및 복수의나노시트의사이의공간에개재되는절연스페이서를포함한다.
Abstract translation: 提供了具有能够改善器件性能的结构的半导体器件。 根据本发明的半导体装置是销形的有效区，所述销状，在与平行于所述销形的有效区的顶面延伸的活性区域的上表面间隔开的位置上的多个具有在第一方向延伸的各自的沟道区纳米片从衬底突出 中，第一方向和之间的空气在第二方向交叉延伸并围绕所述多个纳米片，每个的至少一些栅极，源极/漏极连接到所述多个纳米片，源区/上的销形的有效区漏区 绝缘间隔物插入在鳍状有源区和多个纳米片之间的空间中，以在其间具有空间。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR102238444B1
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：KR1020170031294
申请日：2017-03-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 반도체장치및 그제조방법이제공된다. 반도체장치는, 제1 및제2 영역을포함하는기판, 제1 영역의기판상에배치되는제1 인터페이스막, 제2 영역의기판상에배치되는제2 인터페이스막, 제1 및제2 인터페이스막상에배치되는유전막, 제1 영역의유전막상에배치되는제1 금속막, 및제2 영역의유전막상에배치되는제2 금속막을포함하고, 제1 및제2 인터페이스막은기판의산화물을포함하고, 제1 및제2 금속막은서로다른물질을포함하고, 제1 및제2 인터페이스막은서로다른두께를갖는다.
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公开(公告)号：KR1020170019098A
公开(公告)日：2017-02-21
申请号：KR1020150113023
申请日：2015-08-11
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: F04C18/0215 , F04C23/008 , F04C28/16
Abstract: 본발명의압축기는고정스크롤의토출포트측에서냉매의토출을가이드하는토출가이드를포함하고, 토출가이드와배압커버와고정스크롤에의해형성되는중간압실을포함할수 있다. 토출가이드내측으로는토출포트와바이패스포트가마련되어고압의냉매가토출가능하고토출가이드의외측으로는중간압실이형성되어중간압실을형성하면서효과적으로토출포트와바이패스포트를형성할수 있어, 압축기의효율적은운전이가능하게할 수있다.
Abstract translation: 压缩机包括：排出引导件，用于将排出口和旁通端口连通到排出盖，使从排出口排出的制冷剂和旁通口被排出到排出盖;以及由固定涡旋件形成的中压室， 背压盖和排出引导件。 根据实施例的压缩机通过安装在固定涡旋件的排出部分上的排放导管来确保旁通阀可以安装的空间，同时形成中压部分，从而提高压缩机的效率。 根据实施例的压缩机减少由排出引导件从固定涡旋件的排放部分产生的噪声和振动。
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公开(公告)号：KR1020130126029A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：KR1020120049765
申请日：2012-05-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/6656 , H01L21/28008 , H01L21/31111 , H01L21/762 , H01L21/823456 , H01L21/823468 , H01L21/823481 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L29/6653 , H01L29/66553
Abstract: A semiconductor element is provided. A first gate dielectric layer, a first bottom gate electrode, and a first top gate electrode are stacked on the first region of a substrate in order. A second gate dielectric layer, a second bottom gate electrode, and a second top gate electrode are stacked on the second region of the substrate in order. A fist spacer and a third spacer which cover the side wall of the first top gate electrode in order are provided, and a second spacer and a fourth spacer which cover the side wall of the second top gate electrode in order are provided. The side wall of the first bottom gate electrode is in contact with the third spacer.
Abstract translation: 提供半导体元件。 第一栅极介电层，第一底部栅极电极和第一顶部栅电极依次层叠在基板的第一区域上。 第二栅极电介质层，第二底部栅极电极和第二顶部栅电极依次层叠在基板的第二区域上。 提供了覆盖第一顶栅电极的侧壁的第一间隔件和第三间隔件，并且提供了依次覆盖第二顶栅电极的侧壁的第二间隔件和第四间隔件。 第一底栅极的侧壁与第三间隔物接触。
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公开(公告)号：KR101900042B1
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：KR1020120049765
申请日：2012-05-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/6656 , H01L21/28008 , H01L21/31111 , H01L21/762 , H01L21/823456 , H01L21/823468 , H01L21/823481 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L29/6653 , H01L29/66553
Abstract: 반도체소자가제공된다. 기판의제 1 영역상에차례로적층된제 1 게이트유전층, 제 1 하부게이트전극, 및제 1 상부게이트전극이제공된다. 기판의제 2 영역상에차례로적층된제 2 게이트유전층, 제 2 하부게이트전극, 및제 2 상부게이트전극이제공된다. 제 1 상부게이트전극의측벽을차례로덮는제 1 스페이서및 제 3 스페이서가제공되고, 제 2 상부게이트전극의측벽을차례로덮는제 2 스페이서및 제 4 스페이서가제공된다. 상기제 1 하부게이트전극의측벽은상기제 3 스페이서와접촉한다.
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