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公开(公告)号：KR101686802B1
公开(公告)日：2016-12-15
申请号：KR1020150033212
申请日：2015-03-10
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C23C14/34
Abstract: 본발명은대향타겟식스퍼터링장치에관한것이다. 보다상세하게, 본발명의일 측면에따른대향타겟식스퍼터링장치는, 소정의공간을에워싸는타겟면과타겟면의후면에배치된자기장발생유닛을포함하는제 1 스퍼터링부, 제 1 스퍼터링부의하부에배치되고, 소정의공간을에워싸는타겟면과타겟면의후면에배치된자기장발생유닛을포함하는제 2 스퍼터링부, 및제 1 스터퍼링부의상부에형성된개구부를덮도록배치된덮개부를포함하되, 제 1 스퍼터링부의타겟면과제 2 스퍼터링부의타겟면의소스물질이상이한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及靶向型溅射装置。 更具体地说，根据本发明的一个方面，目标面对型溅射装置包括：具有围绕预定空间的目标表面的第一溅射单元和布置在目标表面的后表面上的磁场产生单元; 布置在第一溅射单元的底部上的第二溅射单元，其具有围绕预定空间的目标表面;以及磁场产生单元，布置在目标表面的后表面上; 以及覆盖单元，被布置成覆盖形成在第一溅射单元的上部上的开口，其中第一溅射单元的目标表面的源材料和第二溅射单元的目标表面不同。
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公开(公告)号：KR1020160109204A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：KR1020150033212
申请日：2015-03-10
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/3471
Abstract: 본발명은대향타겟식스퍼터링장치에관한것이다. 보다상세하게, 본발명의일 측면에따른대향타겟식스퍼터링장치는, 소정의공간을에워싸는타겟면과타겟면의후면에배치된자기장발생유닛을포함하는제 1 스퍼터링부, 제 1 스퍼터링부의하부에배치되고, 소정의공간을에워싸는타겟면과타겟면의후면에배치된자기장발생유닛을포함하는제 2 스퍼터링부, 및제 1 스터퍼링부의상부에형성된개구부를덮도록배치된덮개부를포함하되, 제 1 스퍼터링부의타겟면과제 2 스퍼터링부의타겟면의소스물질이상이한것이다.
Abstract translation: 反靶溅射设备技术领域本发明涉及一种反靶溅射设备。 更特别地，根据本发明的一个方面，对置靶型溅射设备，所述第一溅射单元，第一溅射的下部部分，包括包围所述预定区域设置在所述目标表面的后部和所述目标表面的磁场产生单元 布置，并包括：包围规定的空间在靶表面和所述第2部分溅射包括设置在所述靶的表面的后部的磁场产生单元，mitje 1上的盖的请求者水垢设置成覆盖形成于部件中的开口，所述第一 溅射部分的靶表面问题2以上是溅射部分靶表面的源材料。
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公开(公告)号：KR1020120108261A
公开(公告)日：2012-10-05
申请号：KR1020110025928
申请日：2011-03-23
Applicant: 주식회사 글라소울 , 성균관대학교산학협력단
IPC: G02F1/1333 , C23C14/22 , H01L21/02 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/5253 , C23C16/345 , H01L51/5237
Abstract: PURPOSE: A polymer glass substrate for a display panel and a manufacturing method thereof are provided to deposit plasma at a low temperature by adjusting bias power applied to an electrode mounted on a polymer substrate. CONSTITUTION: A substrate(10) is made of a polymer. The substrate is a polymer glass substrate. A coating film(20) is deposited on an upper side of the substrate. The coating film is deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition. The coating film is made of a silicone compound. The coating film is made of silicon oxide(SiOx), silicon nitride(SiN), or silicon oxynitride(SiON). [Reference numerals] (10) Substrate; (20) Coating layer
Abstract translation: 目的：提供一种用于显示面板的聚合物玻璃基板及其制造方法，用于通过调节施加到安装在聚合物基板上的电极的偏置功率，在低温下沉积等离子体。 构成：基材（10）由聚合物制成。 基板是聚合物玻璃基板。 涂布膜（20）沉积在基板的上侧。 涂膜通过等离子体增强化学气相沉积沉积。 涂膜由硅氧烷化合物制成。 涂膜由氧化硅（SiOx），氮化硅（SiN）或氮氧化硅（SiON）制成。 （附图标记）（10）基板; （20）涂层
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公开(公告)号：KR1020110085588A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：KR1020100005455
申请日：2010-01-21
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A method of forming an anti-fingerprint film is provided to ensure sufficient contact angle of a film since chemical bonding of a precursor is appropriately disassembled through control of plasma density and thus the surface of a SiOx(Silicon Dioxide) film becomes hydrophobic. CONSTITUTION: A method of forming an anti-fingerprint film is as follows. A substrate(310) is prepared for the chamber of a plasma substrate treating device. Injection gas and a precursors are supplied to the chamber. Power is supplied to one of the top and bottom electrodes of the plasma substrate treating device and plasma is created. An anti-fingerprint film(330) is formed on the substrate by the plasma.
Abstract translation: 目的：提供形成防指纹膜的方法，以确保膜的充分接触角，因为通过等离子体密度的控制适当地分解前体的化学键合，因此SiO x（二氧化硅）膜的表面变得疏水。 构成：形成防指纹膜的方法如下。 准备用于等离子体基板处理装置的室的基板（310）。 将注射气体和前体供应到腔室。 电力被提供给等离子体基板处理装置的顶部和底部电极之一并且产生等离子体。 通过等离子体在基板上形成防指纹膜（330）。
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公开(公告)号：KR101529578B1
公开(公告)日：2015-06-19
申请号：KR1020110004040
申请日：2011-01-14
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H05H1/34 , H05H1/46 , H01L21/205
Abstract: 본발명의일 측면에따른플라즈마기판처리장치는, 상기기판이수납되는챔버; 상기챔버의상부및 하부에서로나란하게각각배치된상부전극및 하부전극을포함하는주 전극; 상기주 전극사이에위치한가상의수평면을따라서서로나란하게배치된일자막대형상의제1 전극및 제2 전극을포함하는보조전극; 및상기주 전극및 상기보조전극에각각연결되어전력을공급하는주 전원및 보조전원을포함하는전력공급부를포함하고, 상기제1 전극과상기제2 전극사이의간격은상기기판의너비와같거나길게구비되고, 상기제1 전극및 상기제2 전극은상기하부전극보다상기상부전극과가까운위치에구비되며, 상기보조전원은상기주 전원에서공급되는전력의주파수보다높은극초단파영역주파수(UHF)의전력을공급한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101306022B1
公开(公告)日：2013-09-12
申请号：KR1020110142117
申请日：2011-12-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 기능성 박막이 개시되며, 상기 기능성 박막은 투명 기판, 상기 투명 기판 상에 형성되고, 가시광선 영역에서 투명 상태를 유지하는 산화물을 포함하는 투명 반도체층, 및 상기 투명 반도체층 상에 형성된 절연보호막을 포함하되, 상기 투명 반도체층의 면저항은 10MΩ/□ ~ 100MΩ/□이다.
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公开(公告)号：KR1020130074195A
公开(公告)日：2013-07-04
申请号：KR1020110142117
申请日：2011-12-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01B5/14 , G06F3/041 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , H01B3/10
Abstract: PURPOSE: A functional film securing the transparency and a laminating method thereof are provided to be able to form a high definition transparent semiconductor layer at a low temperature by forming a transparent semiconductor layer through the sputtering method or the chemical vapor deposition method. CONSTITUTION: A transparent semiconductor layer (20) is formed on a transparent substrate (10) through the sputtering method or the chemical vapor deposition method. The transparent semiconductor layer includes oxides maintaining the transparent state in the visible light region. The resistance is controlled by conducting the n-type doping on the formed transparent semiconductor layer. An insulating protective layer (30) consisting of SiOx is formed on the transparent semiconductor layer. A fingerprint preventing film (40) is formed on the insulating protective layer. [Reference numerals] (10) Transparent substrate; (20) Transparent semiconductor layer; (30) Insulating protective layer; (40) Fingerprint preventing film
Abstract translation: 目的：提供一种确保透明度的功能膜及其层压方法，通过溅射法或化学气相沉积法形成透明半导体层，能够在低温下形成高分辨率透明半导体层。 构成：通过溅射法或化学气相沉积法在透明基板（10）上形成透明半导体层（20）。 透明半导体层包括在可见光区域保持透明状态的氧化物。 通过在形成的透明半导体层上进行n型掺杂来控制电阻。 在透明半导体层上形成由SiOx构成的绝缘保护层（30）。 在绝缘保护层上形成指纹防止膜（40）。 （附图标记）（10）透明基板; （20）透明半导体层; （30）绝缘保护层; （40）指纹防止膜
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公开(公告)号：KR1020120108254A
公开(公告)日：2012-10-05
申请号：KR1020110025918
申请日：2011-03-23
Applicant: 주식회사 글라소울 , 성균관대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A method for forming an anti-fingerprinting film is provided to obtain a high contact angle by using a precursor including one of hexamethyldisilane, hexamethyldisilazane, and perfluorinated polyether. CONSTITUTION: A method for forming an anti-fingerprinting film comprises the steps of: mounting a substrate on a second electrode, supplying a precursor material including methyl group(CH3) or fluoro carbon group(CF3) with reactive gas to the inside of a chamber, applying power to a first electrode or the second electrode to create plasma between the first and second electrodes, and accelerating the plasma to deposit an anti-fingerprinting film on the surface of the substrate. [Reference numerals] (AA,CC,EE) Silicon oxide layer; (BB,DD,FF) Substrate; (GG) Plasma control
Abstract translation: 目的：提供一种形成防指纹膜的方法，通过使用包含六甲基二硅烷，六甲基二硅氮烷和全氟聚醚中的一种的前体来获得高接触角。 构成：形成防指纹膜的方法包括以下步骤：将基板安装在第二电极上，将包含甲基（CH 3）或氟碳基（CF 3））的前体材料与反应气体一起供应到室的内部 向第一电极或第二电极施加电力以在第一和第二电极之间产生等离子体，并且加速等离子体以在基板的表面上沉积防指纹膜。 （标号）（AA，CC，EE）氧化硅层; （BB，DD，FF）基材; （GG）等离子体对照
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公开(公告)号：KR101639378B1
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：KR1020150087296
申请日：2015-06-19
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C23C16/50 , C23C16/513 , C23C16/40 , C23C16/448 , C23C16/22
Abstract: 박테리아방지용소수성박막및 상기박테리아방지용소수성박막의제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种防止细菌的疏水性薄膜，以及疏水性薄膜的防止细菌的制造方法。 根据本发明的一个方面，提供一种疏水性薄膜的制造方法，其通过使用硅前体或氟化碳系气体前体的等离子体化学气相沉积法在基板上形成疏水性薄膜来防止细菌的形成 。
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公开(公告)号：KR101556677B1
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：KR1020140022202
申请日：2014-02-25
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C23C16/44 , C23C16/448
CPC classification number: C23C16/401 , C23C16/509
Abstract: 본원은, 초소수성박막및 상기초소수성박막의제조방법을제공한다.
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