SrTiO3계 SMD형 바리스터-캐패시터 복합기능소자제조기술
    2.
    发明公开
    SrTiO3계 SMD형 바리스터-캐패시터 복합기능소자제조기술 失效
    制造SRTIO3 SMD型变压器电容器多功能装置的方法

    公开(公告)号:KR1020020028279A

    公开(公告)日:2002-04-17

    申请号:KR1020000059208

    申请日:2000-10-09

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a varistor-capacitor multifunctional device is provided to simultaneously obtain varistor characteristic and capacitor characteristic of a dielectric index larger than 10000 and dielectric loss less than 5%. CONSTITUTION: A SrTiO3 SMD varistor-capacitor multifunctional device is manufactured by using Sr0.9Ca0.1TiO3 as basic material powder. The basic material powder is subjected to wet milling after Nb2O5 of 0.4-0.6 mol% is added and SiO2 of 0.1-0.3 mol% and MnO of 0.1-0.3 mol% are added. Organic vehicle is added to the basic material powder after wet milling to form slurry. The slurry is molded by a tape caster to form a ceramic sheet. After cutting the ceramic sheet, internal electrodes are printed on the ceramic sheet by Ag/Pd or Ni electrodes. Three to five ceramic sheets are deposited on and on and subjected to pre-sintering at 1100°C for 1 hour. The sintered ceramic is re-oxidized in a furnace with the air at 900-1100°C.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于制造可变电阻电容器多功能元件的方法,以同时获得介电指数大于10000的介电损耗和小于5%的介电损耗的压敏电阻特性和电容器特性。 构成:使用Sr0.9Ca0.1TiO3作为基本材料粉末制造SrTiO3 SMD压敏电阻 - 电容器多功能元件。 在添加0.4-0.6摩尔%的Nb2O5后,将基本材料粉末进行湿磨,并加入0.1-0.3摩尔%的SiO 2和0.1-0.3摩尔%的MnO。 湿法研磨后,将有机载体添加到基础材料粉末中以形成浆料。 浆料通过胶带机成型以形成陶瓷片。 在切割陶瓷片之后,通过Ag / Pd或Ni电极将内部电极印刷在陶瓷片上。 沉积三到五个陶瓷片,并在1100℃下预烧结1小时。 烧结陶瓷在炉中再次氧化,空气在900-1100℃。

    아퀴펙스 파이로필러스의 내열성 글루타메이트 라세메이즈를 코딩하는 유전자, 이로부터 발현되는 내열성 글루타메이트 라세메이즈 및 그의 제조 방법
    3.
    发明授权
    아퀴펙스 파이로필러스의 내열성 글루타메이트 라세메이즈를 코딩하는 유전자, 이로부터 발현되는 내열성 글루타메이트 라세메이즈 및 그의 제조 방법 失效
    基因编码由其表达的Aquifex pyrophilus耐热谷氨酸消旋酶的耐热谷氨酸消旋酶及其制备方法

    公开(公告)号:KR100311891B1

    公开(公告)日:2001-11-03

    申请号:KR1019990043339

    申请日:1999-10-08

    Abstract: 본발명은초고온미생물중 진정세균인아퀴펙스파이로필러스(Aquifex pyrophilus)로부터단리한강한내열성을갖는글루타메이트라세메이즈효소의유전자, 이로부터발현되는아미노산서열을갖는글루타메이트라세메이즈, 상기유전자를함유하는발현벡터로형질전환된대장균에서상기글루타메이트라세메이즈를제조하는방법에관한것이다. 보다구체적으로, 본발명은서열 3에나타낸염기서열을갖는유전자및 이로부터발현된아미노산서열을갖는내열성글루타메이트라세메이즈에관한것이다. 본발명에서단리된아퀴펙스파이로필러스의글루타메이트라세메이즈의유전자를포함하는발현벡터로형질전환된대장균에서생산된글루타메이트라세메이즈는기존의중온성세균에서단리된효소보다고온, pH 및유기용매등의조건하에서도높은안정성을갖기때문에의약품생산및 식품소재의생산등과같이산업적으로유용하게사용될수 있다.

    저전압용디스크및칩형세라믹바리스터제조방법
    4.
    发明授权
    저전압용디스크및칩형세라믹바리스터제조방법 失效
    低压盘式片式陶瓷压敏电阻的制造方法

    公开(公告)号:KR100295282B1

    公开(公告)日:2001-07-12

    申请号:KR1019980030621

    申请日:1998-07-29

    Abstract: 본 발명은 SrTiO
    3 계 바리스터에 관한 것이며 특히 저 전압용 칩 바리스터 제조를 위한 바리스터 제조설계기술에 관한 것이다. 본 발명은 디스크 형상 및 적층형 칩 바리스터에서 탈피하여 새로운 제조방법을 적용하므로써 본래의 유전율과 비직선계수 값은 유지하면서 제조단가의 감소 및 대랑생산이 가능한 제조방법에 관한 것이다.

    아퀴펙스 파이로필러스의 내열성 글루타메이트 라세메이즈를 코딩하는 유전자, 이로부터 발현되는 내열성 글루타메이트 라세메이즈 및 그의 제조 방법

    公开(公告)号:KR1020010036363A

    公开(公告)日:2001-05-07

    申请号:KR1019990043339

    申请日:1999-10-08

    CPC classification number: C12N9/10 C12N15/70 C12Y501/01003

    Abstract: PURPOSE: Provided is a gene of heat-resistant glutamate racemase which show stability against high temperatures, pH, and organic solvent and is useful in manufacturing medicines and food. CONSTITUTION: Heat resistant glutamate racemase is manufactured by the steps of: isolating gene of glutamate racemase consisting of 762 bases from which 254 amino acids are synthesized, from Aquifex pyrophilus; transforming E.coli is with an expression vector pGR1 that contains the gene; culturing E.coli transformant and destroying transformant cell; and recovering heat resistant glutamate racemase from cell lysat by chromatography. The base sequence of glutamate racemase shows 26.6%, 36.1%, and 35.5% of similarity with E. coli, Bacillus subtilus, and Lactobacillus, respectively.

    Abstract translation: 目的:提供耐高温,pH和有机溶剂稳定性的耐热谷氨酸消旋酶基因,可用于制造药物和食品。 构成:通过以下步骤制备耐热谷氨酸消旋酶:从Aquifex pyrophilus分离由合成了254个氨基酸的762个碱基组成的谷氨酸消旋酶基因; 转化大肠杆菌含有该基因的表达载体pGR1; 培养大肠杆菌转化体并破坏转化细胞; 并通过色谱从细胞裂解液回收耐热谷氨酸消旋酶。 谷氨酸消旋酶的碱基序列分别与大肠杆菌,枯草芽孢杆菌和乳杆菌分别具有26.6%,36.1%和35.5%的相似性。

    면역 검출법을 이용한 HIV의 감염 억제 활성 물질의 검색방법 및 그에 사용되는 변이단백질
    6.
    发明授权
    면역 검출법을 이용한 HIV의 감염 억제 활성 물질의 검색방법 및 그에 사용되는 변이단백질 失效
    用于检测具有活动的物质的方法,以使用免疫测定法和用于所述方法的变体蛋白抑制HIV感染

    公开(公告)号:KR100269671B1

    公开(公告)日:2000-10-16

    申请号:KR1019980009858

    申请日:1998-03-21

    Abstract: PURPOSE: A method for detecting HIV infection inhibiting-material using ELISA is provided, thereby HIV infection inhibiting-material can be rapidly, cheaply and safely detected, so that it can facilitate the development of HIV therapeutic agents. CONSTITUTION: The method for detecting HIV infection inhibiting-material which, in particular, inhibits the activity of gp41 of HIV, comprises the steps of: adsorbing a mutant protein, Trx-N, on the surface of a plastic cell culturing vessel and adding GST-C proteins and testing materials in the vessel; removing free GST-C proteins which are not bound with Trx-N proteins and adding the first antibody(anti-GST Ab) having GST specificity; removing free first antibody and adding the second antibody(anti-Goat Ab) which recognizes the first antibody; removing the free second antibody and adding peroxide (H2O2) and OPD(o-phenylenediamine) as substrates of peroxidase; and detecting the coloring of OPD oxidized by that peroxidase binds with the second antibody.

    Abstract translation: 目的:提供使用ELISA检测HIV感染抑制物质的方法,由此可以快速,便宜且安全地检测HIV感染抑制物质,从而可以促进HIV治疗剂的发展。 构成:用于检测特别是抑制HIV的gp41活性的HIV感染抑制物质的方法包括以下步骤:在塑料细胞培养容器的表面上吸附突变蛋白Trx-N并加入GST -C蛋白质和测试材料; 除去不与Trx-N蛋白结合的游离GST-C蛋白,并添加具有GST特异性的第一抗体(抗GST Ab); 去除游离的第一抗体并加入识别第一抗体的第二抗体(抗山羊抗体); 去除游离的第二抗体并加入过氧化物(H 2 O 2)和OPD(邻苯二胺)作为过氧化物酶的底物; 并检测由该过氧化物酶氧化的OPD的着色与第二抗体结合。

    저전압 바리스터-커패시터 복합소자 제조방법
    7.
    发明公开
    저전압 바리스터-커패시터 복합소자 제조방법 失效
    低电压变压器复合器件的制造方法

    公开(公告)号:KR1020000051804A

    公开(公告)日:2000-08-16

    申请号:KR1019990002445

    申请日:1999-01-26

    Abstract: PURPOSE: A fabrication method of a low voltage varistor-capacitor composite device is to allow a SrTiO3 varistor to have a high non-linearity coefficient and a low breakdown voltage. CONSTITUTION: A fabrication method of a low voltage varistor-capacitor composite device comprises the steps of: preparing a SrTiO3 substrate; diffusing Bi2O3 into the SrTiO3 substrate; and forming a silver electrode on both surfaces of the SrTiO3 substrate. The preparing step of the SrTiO3 comprises the steps of: mixing SrCO3, TiO2 and Nb2O5 in a mixing ratio of 1:1.01:0.006; wet-milling the mixed particles; drying the milled mixture; calcining the dried mixture to form an SrTiO3 powder; compacting the SrTiO3 powder; and sintering the resultant medium in a reduction ambient.

    Abstract translation: 目的:低压变阻器 - 电容器复合器件的制造方法是使SrTiO3变阻器具有高非线性系数和低击穿电压。 构成:低压变阻器 - 电容器复合器件的制造方法包括以下步骤:制备SrTiO 3衬底; 将Bi2O3扩散到SrTiO3衬底中; 并在SrTiO3基板的两个表面上形成银电极。 SrTiO3的制备步骤包括以1:1.01:0.006的混合比混合SrCO3,TiO2和Nb2O5; 湿磨混合颗粒; 干燥研磨混合物; 煅烧干燥的混合物以形成SrTiO 3粉末; 压制SrTiO3粉末; 并在还原环境中烧结所得的介质。

    적층형 칩 인덕터 소자 및 그의 제조 방법
    8.
    发明公开
    적층형 칩 인덕터 소자 및 그의 제조 방법 无效
    多层片式电感器装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR1019980067791A

    公开(公告)日:1998-10-15

    申请号:KR1019970004084

    申请日:1997-02-12

    Abstract: 본 발명은 새로운 형식의 내부 전극 형상 및 배열을 가지는 적층형 칩 인덕터를 제공하여 권선 효율을 증대시킴으로써 동일 인덕턴스 값을 얻는데 있어서 종전의 방법보다 적층 횟수를 줄이고 소자의 경량화를 구현하는 것을 목적으로 한다.
    본 발명은 자성체층 위에 외부 전극 단자와 연결되도록 인쇄되는 외부 단자 연결용 내부 전극과, 순차적으로 적층되는 복수매의 자성체층과, 각 층마다 인쇄되는 내부 전극과, 최종 자성체층 위에 외부 전극 단자와 연결되도록 인쇄되는 외부 단자 연결용 내부 전극과, 상기 외부 단자 연결용 내부 전극 위에 적층되는 자성체층과, 상기 인쇄된 내부 전극간의 전기적 연결 수단으로 이루어지는 적층형 칩 인덕터에 있어서, 각각의 복수매의 적층된 자성체층 위에 인쇄되는 상기 내부 전극의 인쇄 궤적은 1/2 회전보다 크고 1회전 보다 작은 궤적을 가지고, 상기 각각의 인쇄 궤적의 끝나는 단부와 상기 자성체층의 적층이 있은 후에 인쇄되는 인쇄 궤적의 시작하는 단부가 겹쳐질 수 있도록 상기 내부 전극의 인쇄되는 적층형 칩 인덕터 및 그의 제조 방법을 � ��공한다.

    저온소결 SrTiO3계 바리스터-캐패시터 복합기능소자유전체 조성물
    10.
    发明公开
    저온소결 SrTiO3계 바리스터-캐패시터 복합기능소자유전체 조성물 无效
    低温烧结SRTIO3变压器电容器双功能器件电介质化合物

    公开(公告)号:KR1020020028281A

    公开(公告)日:2002-04-17

    申请号:KR1020000059210

    申请日:2000-10-09

    Abstract: PURPOSE: A low temperature sintered SrTiO3 varistor-capacitor dual function device dielectric compound is provided to reduce a sintering temperature from 1400°C to 1200°C. CONSTITUTION: A low temperature sintered SrTiO3 varistor-capacitor dual function device dielectric compound is Sr(1-x-y)BaxCayTiO3. The basic material powder is subjected to wet milling for 24 hours after Nb2O5 is added for increasing conductivity of grain. The basic material powder is dried and PVA(poly-vinyl alcohol) of 2 mol% is added, after wet ball milling. Molding is carried out at 100MPa. The molded sample is sintered in a reduction furnace with N2 and H2 gas of 90 to 10 mixture ratio. The sintered sample is re-oxidized at 900°C to oxidize grain boundary and sample surface so as to form a high resist layer. On the re-oxidized sample, outer electrodes are formed by thermally processing Ag electrodes.

    Abstract translation: 目的:提供低温烧结SrTiO3变阻器 - 电容器双功能器件电介质化合物,以将烧结温度从1400℃降低到1200℃。 构成:低温烧结SrTiO3变阻器 - 电容器双功能器件介电化合物为Sr(1-x-y)BaxCayTiO3。 在添加Nb2O5后,将基本材料粉末进行湿磨24小时,以增加晶粒的电导率。 将基本材料粉末干燥,湿球磨后加入2mol%的PVA(聚乙烯醇)。 成型时间为100MPa。 将模制样品在还原炉中烧结,其中N 2和H 2气体的混合比为90至10。 烧结的样品在900℃下再氧化,氧化晶界和样品表面,形成高抗蚀剂层。 在再氧化样品上,通过热处理Ag电极形成外电极。

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