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公开(公告)号：KR100767333B1
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：KR1020060046409
申请日：2006-05-24
Applicant: 한국과학기술연구원 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/1675 , H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1625 , G11C13/0004
Abstract: A non-volatile electrical phase-change memory device and a manufacturing method thereof are provided to make a uniform temperature and phase distribution within a phase-change material layer by reducing contact resistance between phase change material and electrode material. A first interlayer dielectric(21), a bottom electrode layer(22), a second interlayer dielectric(23), a phase-change material layer(24) and a top electrode layer(25) are sequentially formed on a silicon substrate(20). A contact hole(23') penetrates the second interlayer dielectric to connect the phase-change material layer with the bottom electrode layer, and is filled with phase change material or bottom electrode material. An interfacial control layer(23") is formed at an interface between the phase change material and the bottom electrode material.
Abstract translation: 提供了一种非易失性电相变存储器件及其制造方法，通过降低相变材料和电极材料之间的接触电阻，使相变材料层内的温度和相位分布均匀。 在硅衬底（20）上依次形成第一层间电介质（21），底电极层（22），第二层间电介质（23），相变材料层（24）和顶电极层（25） ）。 接触孔（23'）穿透第二层间电介质以将相变材料层与底部电极层连接，并填充有相变材料或底部电极材料。 在相变材料和底部电极材料之间的界面处形成界面控制层（23“）。
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公开(公告)号：KR100651656B1
公开(公告)日：2006-12-01
申请号：KR1020040098796
申请日：2004-11-29
Applicant: 한국과학기술연구원 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/126 , H01L45/144
Abstract: 본 발명은 비휘발성 상변화 메모리 셀에 관한 것으로서, 금속 전극층과 상변화 재료층 사이에 열구속 기능을 갖는 전극접촉 재료로서 전기전도성이 비교적 크나 열전도성은 작으며 열안정성이 우수한 투명전도성 산화물 반도체 재료를 사용한다. 본 발명에 따른 메모리 셀은 비휘발성 상변화 메모리의 데이터 기록 및 소거 동작에 필요한 전력소모의 감소에 효과적으로 적용될 수 있다.
상변화 메모리, 전극 접촉층, 투명전도성 산화물Abstract translation: 非易失性相变存储单元技术领域本发明涉及一种非易失性相变存储单元，更具体地涉及具有导电性较高但导热系数小且热稳定性优异的透明导电氧化物半导体材料的非易失性相变存储单元 使用。 根据本发明的存储单元可以有效地应用于降低非易失性相变存储器的数据写入和擦除操作所需的功耗。
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公开(公告)号：KR1020060059649A
公开(公告)日：2006-06-02
申请号：KR1020040098796
申请日：2004-11-29
Applicant: 한국과학기술연구원 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/126 , H01L45/144
Abstract: 본 발명은 비휘발성 상변화 메모리 셀에 관한 것으로서, 금속 전극층과 상변화 재료층 사이에 열구속 기능을 갖는 전극접촉 재료로서 전기전도성이 비교적 크나 열전도성은 작으며 열안정성이 우수한 투명전도성 산화물 반도체 재료를 사용한다. 본 발명에 따른 메모리 셀은 비휘발성 상변화 메모리의 데이터 기록 및 소거 동작에 필요한 전력소모의 감소에 효과적으로 적용될 수 있다.
상변화 메모리, 전극 접촉층, 투명전도성 산화물-
公开(公告)号：KR1020040079451A
公开(公告)日：2004-09-16
申请号：KR1020030014204
申请日：2003-03-07
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L27/10
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating an electrical phase change memory device is provided to perform a phase change process in low operating current by using a heat generation and isolation layer. CONSTITUTION: An active region as a source and a drain and a cell selection transistor are formed on a silicon substrate(20). An interlayer dielectric(23) is deposited thereon. A contact is formed by performing a photoresist process and an etch process. Conductive contact materials(24) such as tungsten and titanium nitride are deposited thereon. A heat generation and isolation layer(25,25-1) is formed on the contact materials. Phase change materials(26,26-1) are deposited on the heat generation and isolation layer. A unit cell memory structure is formed by patterning the heat generation and isolation layer, the phase change materials, and a metal electrode formed on the phase change materials.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造电相变存储器件的方法，通过使用发热和隔离层来执行低工作电流的相变过程。 构成：在硅衬底（20）上形成作为源极的有源区和漏极以及电池选择晶体管。 在其上沉积层间电介质（23）。 通过进行光致抗蚀剂工艺和蚀刻工艺形成接触。 诸如钨和氮化钛的导电接触材料（24）沉积在其上。 在接触材料上形成发热隔离层（25,25-1）。 相变材料（26,26-1）沉积在发热隔离层上。 通过图案化形成在相变材料上的发热隔离层，相变材料和金属电极来形成单元存储结构。
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公开(公告)号：KR100526672B1
公开(公告)日：2005-11-08
申请号：KR1020030014204
申请日：2003-03-07
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L27/10
Abstract: 본 발명은 전기적 상변화 메모리 (electrical phase change memory) 소자 제조에 관한 것으로서 상변화 물질(phase change material)과 외부와 전기적 접촉을 위한 콘택 물질 (contact material) 사이에서 추가로 주울 열을 발생시킴과 동시에 발생한 열이 외부로 유출되는 것을 차단시키는 층 [일명 : 열 발생 및 차단층, heat generation and isolation layer]을 도입하거나 상변화 물질과 열 발생 및 차단층을 반복적 층상 구조 (laminate structure) 로 형성함으로써 저전력 동작이 가능한 소자 구성을 목적으로 한다. 이를 위하여 외부와의 전기적 접촉을 위한 콘택 물질을 형성하는 단계, 산화 공정(oxidation process), 기상 증착 공정(vapor deposition process), 아크 증착법(arc deposition) 혹은 레이저 펄스 증착법(laser pulse deposition) 등을 통해서 열 발생 및 차단층을 콘택 물질 위에 형성하는 단계, 그리고 상변화 물질을 기상 증착 공정으로 단일 층으로 혹은 열 발생 및 차단층과 층상 구조로 형성함으로써 저전력 동작이 가능한 전기적 상변화 메모리 소자를 구성한다. 이러한 저전력 전기적 상변화 메모리 소자 (low-power electrical phase change memory device)는 메모리 칩 당 소비 전력을 감소시킴으로써 고밀도로 집적할 수 있기 때문에 생산성을 향상시키는 것이 가능하다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101791154B1
公开(公告)日：2017-10-30
申请号：KR1020160032520
申请日：2016-03-18
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H04N5/369 , H01L27/146 , G02B5/22 , H04N9/73
CPC classification number: H01L31/0324 , H01L27/14645 , H01L27/14647 , H01L31/032 , H01L31/109 , H01L31/1129
Abstract: 실시예들은기판, 기판상에형성된제1 색상을위한제1 칼코지나이드물질층, 상기제1 칼코지나이드물질층상에형성된제2 색상을위한제2 칼코지나이드물질층및 상기제2 칼코지나이드물질층상에형성된제3 색상을위한제3 칼코지나이드물질층을포함하는칼코지나이드물질기반의필터리스컬러이미지센서에관련된다.
Abstract translation: 实例包括第一刀砷化浩二材料层，用于第二颜色的第一第二刀浩二砷化材料层是由剑浩二砷化材料层和所述第二刀曲为形成在基板上的第一颜色，所述衬底形成 并且在非胆碱能材料层上形成用于第三颜色的第三硫属化物材料层。
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公开(公告)号：KR101436924B1
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：KR1020130039961
申请日：2013-04-11
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/141 , H01L45/143 , H01L45/145 , H01L45/1608
Abstract: According to the present invention, provided is a method for manufacturing an ovonic threshold switching device with an N-doped chalcogenide material and the ovonic threshold switching device manufactured thereby. The method for manufacturing the ovonic threshold switching device with the N-doped chalcogenide material includes the steps of forming an insulation layer on a substrate; forming a first electrode on the insulation layer; forming a chalcogenide material including N, Ge, and Se on the first electrode; and forming a second electrode on the chalcogenide material.
Abstract translation: 根据本发明，提供一种用于制造具有N掺杂的硫族化物材料和由此制造的超声阈值开关器件的超声阈值开关器件的方法。 制造具有N掺杂硫族化物材料的超声阈值开关器件的方法包括在衬底上形成绝缘层的步骤; 在所述绝缘层上形成第一电极; 在所述第一电极上形成包括N，Ge和Se的硫族化物材料; 并在硫族化物材料上形成第二电极。
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公开(公告)号：KR101131008B1
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：KR1020100127450
申请日：2010-12-14
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/0445 , H01L31/18
Abstract: PURPOSE: A Se or S system thin film solar cell and a manufacturing method thereof are provided to improve photoelectric transformation efficiency of a solar battery by controlling preferred orientation of a light absorption layer through the bulk porosity adjustment of a preferred orientation control layer. CONSTITUTION: A back contact electrode(120) is formed on a substrate(110). The back contact electrode is composed of a double layer of a first back contact electrode(121) and a second back contact electrode(122). A preferred orientation control layer(130) is formed on the back contact electrode. A light absorption layer(140) is formed on the preferred orientation control layer. A window layer(150) is formed on the light absorption layer. A transparent electrode layer(160) is formed on the window layer.
Abstract translation: 目的：提供一种Se或S系薄膜太阳能电池及其制造方法，以通过通过优选的取向控制层的体积孔隙率调节来控制光吸收层的优选取向来提高太阳能电池的光电转换效率。 构成：背面接触电极（120）形成在基板（110）上。 背接触电极由第一背接触电极（121）和第二后接触电极（122）的双层构成。 在背面接触电极上形成优选的取向控制层（130）。 在优选的取向控制层上形成光吸收层（140）。 在光吸收层上形成窗口层（150）。 在窗口层上形成透明电极层（160）。
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公开(公告)号：KR1020100097715A
公开(公告)日：2010-09-03
申请号：KR1020107014004
申请日：2007-12-28
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0004 , G11C13/0033 , G11C16/3431 , G11C16/349 , G11C2013/0073
Abstract: PURPOSE: A phase change memory device and a programming method thereof are provided to increase durability by applying a reverse recovery pulse. CONSTITUTION: A phase change memory array(24) comprises a plurality of phase change memory devices. A pulse generator(22) comprises a write current pulse, an erase current pulse, and a reverse recovery current pulse for the phase change memory device of a phase change memory array. The direction of the reverse recovery pulse is opposite to the direction of the write current pulse and the erase current pulse of the phase memory device. The pulse generator includes a bidirectional pulse generator which flows a current in both directions of the phase change memory device.
Abstract translation: 目的：提供相变存储器件及其编程方法，以通过施加反向恢复脉冲来提高耐久性。 构成：相变存储器阵列（24）包括多个相变存储器件。 脉冲发生器（22）包括用于相变存储器阵列的相变存储器件的写入电流脉冲，擦除电流脉冲和反向恢复电流脉冲。 反向恢复脉冲的方向与相位存储器件的写入电流脉冲和擦除电流脉冲的方向相反。 脉冲发生器包括在相变存储器件的两个方向上流过电流的双向脉冲发生器。
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公开(公告)号：KR100961488B1
公开(公告)日：2010-06-08
申请号：KR1020070134376
申请日：2007-12-20
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G02B1/10 , B82Y40/00 , G01N21/552
Abstract: 본 발명은 금속 나노복합체 코팅층 및 이의 형성 방법에 관한 것으로서, 구체적으로 나노미터 크기의 금속 입자가 광학적으로 흡수가 적은 기지상 내에 분산되어 있는 금속 나노복합체 광학 코팅층에 관한 것이다. 본 발명의 광학 코팅층은 금속 나노입자가 주변 기지상과 작용하여 표면 플라즈몬 공진 현상을 일으켜 미려한 색상을 나타낼 수 있으므로 표면 장식 코팅에 유용하다.
표면 플라즈마 공진, 나노복합체 코팅, 표면 장식
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