公开(公告)号：WO2014119810A1

公开(公告)日：2014-08-07

申请号：PCT/KR2013/000832

申请日：2013-02-01

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 임성규 ,  김영수 ,  김희연 ,  강민호 ,  오재섭 ,  이귀로

IPC: B81B1/00

CPC classification number: B81C1/00595 ,  B81B2203/0109 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0133

Abstract: 비정질 탄소막을 희생층으로 이용한 MEMS 디바이스 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 하부 구조물을 형성한다. 상기 하부 구조물 상에 희생층으로서 비정질 탄소막을 형성한다. 상기 비정질 탄소막 상에 센서 구조를 포함하는 상부 구조물을 형성한다. 상기 하부 구조물과 상기 상부 구조물이 서로 이격되어 배치되도록 상기 비정질 탄소막을 제거한다.

Abstract translation: 提供了使用非晶碳膜作为牺牲层的MEMS器件制造方法。 根据本发明的实施例，形成下部结构。 在下部结构上形成无定形碳膜作为牺牲层。 在非晶碳膜上形成包括传感器结构的上部结构。 去除非晶碳膜，使得下部结构和上部结构彼此间隔开。

公开(公告)号：WO2017200199A1

公开(公告)日：2017-11-23

申请号：PCT/KR2017/003406

申请日：2017-03-29

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 오재섭 ,  이완규 ,  강민호

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00

Abstract: 본 발명은 멤스 디바이스 제조 방법 및 이에 의해 제조되는 멤스 디바이스에 관한 것으로, 보다 상세하게는 구조물 절연막을 이용한 보이드 패턴의 형성 후, 희생층을 증착함으로써, CMOS 호환성 있는 공정에 의해 종래와 같은 하부 전극의 박리 현상이 전혀 발생되지 않으며, 스핀 온 절연막(SOD) 또는 스핀 온 글래스(SOG)를 통한 스핀 증착에 따라 하부 패턴에 영향을 받지 않으면서 평탄화가 가능하며, 비아홀의 형성시, 클리닝(cleaning) 공정을 더 수행하여 후속 증착 공정에서의 오염을 원천적으로 방지할 수 있는 멤스 디바이스 제조 방법 및 이에 의해 제조되는 멤스 디바이스에 관한 것이다.

Abstract translation:

本发明的MEMS器件的制造方法，并且，这涉及到由制造的MEMS装置，更具体地后，使用该绝缘膜的结构的空隙图案的形成中，通过沉积牺牲层，CMOS兼容工艺，其 根据通过旋涂绝缘膜（SOD）或旋涂玻璃（SOG）的旋涂沉积，下电极可以被平面化而不受下层图案的影响， 本发明涉及一种制造MEMS器件的方法和通过该方法制造的MEMS器件，其可以通过进一步执行清洁工艺来防止后续沉积工艺中的污染。

公开(公告)号：WO2022145701A1

公开(公告)日：2022-07-07

申请号：PCT/KR2021/016343

申请日：2021-11-10

Applicant: 에스케이머티리얼즈 주식회사 ,  한국과학기술원

Inventor： 곽정훈 ,  권병향 ,  조용준 ,  강민호

IPC: C23C16/44

Abstract: 실리콘 부산물이 부착되어 있는 반도체 및 디스플레이 화학기상 증착 챔버를 건식으로 세정하는 방법이 개시된다. 일 실시예에 따른 세정 방법은, 상기 화학기상 증착 챔버의 외부에 위치한 원격 플라즈마 발생기에서 F3NO를 포함하는 적어도 하나의 세정 가스를 플라즈마화하는 단계, 상기 화학기상 증착 챔버를 소정의 공정 조건으로 설정하는 단계 및 상기 원격 플라즈마 발생기에서 생성된 상기 세정 가스의 활성종을 상기 소정의 공정 조건으로 설정된 화학기상 증착 챔버로 공급하여, 상기 화학기상 증착 챔버로부터 상기 실리콘 부산물을 제거하는 단계를 포함하고, 상기 소정의 공정 조건은, 상기 화학기상 증착 챔버의 내부 압력을 2.0 ~ 4.0 토르(Torr) 범위 내로 설정한다.

公开(公告)号：WO2018221753A1

公开(公告)日：2018-12-06

申请号：PCT/KR2017/005569

申请日：2017-05-29

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 오재섭 ,  강민호 ,  이완규 ,  임성규 ,  김영수 ,  황욱중

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 비정질탄소막을 희생층으로 이용한 멤스 디바이스 및 그 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 하부 구조체; 상기 하부 구조체의 상부로 이격되어 배치된 멤스 구조체; 상기 하부 구조체와 상기 멤스 구조체를 전기적으로 연결하는 전기적 연결 구조체; 및 상기 멤스 구조체의 상부로 이격되어 배치되는 플레이트부와 상기 플레이트부로부터 상기 멤스 구조체로 연장되는 비어 연결부를 구비하는 광흡수 구조체;를 포함하는, 멤스 디바이스를 제공한다.

公开(公告)号：KR1020170129402A

公开(公告)日：2017-11-27

申请号：KR1020160060050

申请日：2016-05-17

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 오재섭 ,  이완규 ,  강민호

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00 ,  B81C1/00015 ,  B81B2201/02 ,  B81C1/00349 ,  B81C1/00388 ,  B81C1/00436 ,  B81C2201/01

Abstract: 본발명은멤스디바이스제조방법및 이에의해제조되는멤스디바이스에관한것으로, 보다상세하게는구조물절연막을이용한보이드패턴의형성후, 희생층을증착함으로써, CMOS 호환성있는공정에의해종래와같은하부전극의박리현상이전혀발생되지않으며, 스핀온 절연막(SOD) 또는스핀온 글래스(SOG)를통한스핀증착에따라하부패턴에영향을받지않으면서평탄화가가능하며, 비아홀의형성시, 클리닝(cleaning) 공정을더 수행하여후속증착공정에서의오염을원천적으로방지할수 있는멤스디바이스제조방법및 이에의해제조되는멤스디바이스에관한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及一种制造MEMS器件的方法和由此制造的MEMS器件，并且更具体地涉及一种通过使用结构绝缘膜在形成空隙图案之后沉积牺牲层来制造MEMS器件的方法， 根据通过旋涂绝缘膜（SOD）或旋涂玻璃（SOG）的旋转沉积，可以在不受下层图案影响的情况下进行平坦碳化，在形成通孔时， 本发明涉及一种制造MEMS器件的方法和由此制造的MEMS器件。

公开(公告)号：KR101088180B1

公开(公告)日：2011-12-02

申请号：KR1020090012370

申请日：2009-02-16

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김민곤 ,  강민호

IPC: H04B7/26 ,  H04W76/04

CPC classification number: G06F1/3203 ,  G06F1/329 ,  Y02D10/24

Abstract: 본 발명은 IEEE 802.16e 시스템에서, 이동 단말기의 절전 성능을 향상시키는 기술에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 새롭게 슬립 모드로 전환 요청을 받은 해당 서비스 연결이 딜레이에 민감하지 않은 로우 QoS이고, 다른 서비스 연결들 중에서 슬립 모드 상태에 있고 딜레이에 민감한 하이 QoS인 서비스 연결이 하나 이하로 존재하는 동기화 조건이 만족되는지 확인하는 제1과정과; 상기 동기화 조건을 만족하는 경우, 이동 단말기 내에서 다수의 서비스 연결들의 슬립 모드 동기화 동작을 위하여, 상기 해당 서비스 연결의 슬립 모드 시작 시간을 이미 슬립 모드 상태에 있는 서비스 연결의 다음 슬립 간격의 시작 시간과 동일하게 하고, 상기 해당 서비스 연결의 최소 슬립 간격의 길이를 이미 슬립 모드 상태에 있는 서비스 연결들의 다음 슬립 간격의 길이와 일치시키며, 상기 해당 서비스 연결의 최대 슬립 간격의 길이를 이미 슬립 모드 상태에 있는 서비스 연결의 최대 슬립 간격과 일치시키기 위한 슬립 요청 메시지를 기지국으로 전송하는 제2과정과; 상기 슬립 요청 메시지에 대한 슬립 응답 메시지가 기지국으로부터 수신되면 상기 해당 서비스 연결을 상기 슬립 요청 메시지 내용의 슬립 모드로 전환하는 제3과정에 의해 달성된다.
IEEE 802.16e, 서비스 연결, 슬립모드

公开(公告)号：KR1020070050890A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：KR1020070039330

申请日：2007-04-23

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김민곤 ,  강민호

IPC: H04B7/26

CPC classification number: H04W52/0261

Abstract: 본 발명은 잔여 에너지량을 고려하는 효율적인 전력 관리 방법에 관한 것으로, 이동 가입자 단말기가 충분한 에너지를 가지고 있는 경우에는 최소 슬립 윈도우의 크기를 줄여서 에너지 소비가 어느 정도 증가하더라도 응답 지연 시간을 줄이며, 잔여 에너지량이 적은 경우에는 최소 슬립 윈도우의 크기를 증가시켜 응답 지연 시간이 늘어나더라도 에너지 소비를 감소시켜서 잔여 에너지의 상황에 맞게 효율적으로 전력을 관리할 수 있는 이점이 있다.
IEEE 802.16e, 전력 관리, 에너지, 슬립 모드, 프레임 응답 지연

公开(公告)号：KR1020060082516A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：KR1020050002895

申请日：2005-01-12

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  한국과학기술원

Inventor： 강민호 ,  류현석 ,  유명식

IPC: H04L12/28

CPC classification number: H04Q11/0067 ,  H04B10/27 ,  H04L47/70 ,  H04L47/805 ,  H04L47/828 ,  H04Q2011/0064

Abstract: 본 발명은 EPON 시스템의 OLT가 상향 전송을 위한 대역폭을 효율적으로 할당하는 방안을 제안한다. 이를 위해 OLT는 전송할 데이터들을 고정 비트율을 갖는 그룹과 가변 비트율을 갖는 그룹을 포함하는 적어도 두 개의 그룹으로 분리하고, 분리한 그룹별로 필요한 대역폭을 요청받는다. 또한, OLT는 고정 비트율을 갖는 그룹으로 제1대역폭과 제2대역폭으로 구성된 할당대역폭 중 제1대역폭 이내로 요청한 대역폭을 할당한다. ONU는 전송할 데이터들을 고정 비트율을 갖는 그룹과 가변 비트율을 갖는 그룹을 포함하는 적어도 두 개의 그룹으로 분리하고, 분리한 그룹별로 필요한 대역폭을 요청하고, 각 그룹별로 할당받은 대역폭을 이용하여 데이터를 전송한다.
광 가입자 망, EPON, 동적 대역 할당, MAC 프로토콜

公开(公告)号：KR101802055B1

公开(公告)日：2017-11-27

申请号：KR1020160017812

申请日：2016-02-16

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 최양규 ,  이병현 ,  강민호

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  G03F7/20 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/0673 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/324 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/786

Abstract: 수직집적전면-게이트다층나노선(vertically integrated gate-all-around multiple nanowire) 채널기반의무접합트랜지스터제작방법은복수의나노선들이수직으로집적된수직집적다층나노선채널을형성하는단계; 상기수직집적다층나노선채널에층간절연막(interlayer dielectric; ILD)을형성하는단계; 상기수직집적다층나노선채널중 적어도일부가노출되도록상기층간절연막에홀을생성하는단계; 및상기홀이채워지도록상기층간절연막상에게이트유전막을형성하는단계를포함하고, 상기홀이채워지도록상기층간절연막상에게이트유전막을형성하는단계는상기홀을통하여노출된상기수직집적다층나노선채널중 적어도일부를감싸도록상기층간절연막상에게이트유전막을증착하는단계를포함한다.

Abstract translation: 一种用于制造垂直集成的全栅多纳米线沟道型非结晶体管的方法包括：形成多个纳米线的垂直集成的垂直集成多层纳米线沟道; 在垂直集成的多层纳米线沟道上形成层间电介质（ILD）; 在层间电介质中形成孔以暴露垂直集成多层纳米线沟道的至少一部分; 和形成层间绝缘膜和所述孔上的栅极电介质层的步骤是将被填充，并形成层间绝缘膜上形成栅极介电层和要填充的孔的所述垂直集合多层纳米线通过该孔暴露 并且在层间绝缘膜上沉积栅极介电膜以围绕沟道的至少一部分。

公开(公告)号：KR101250447B1

公开(公告)日：2013-04-08

申请号：KR1020110132858

申请日：2011-12-12

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 임성규 ,  김영수 ,  김희연 ,  강민호 ,  오재섭 ,  이귀로

IPC: B81C1/00 ,  H01L29/84

Abstract: PURPOSE: An MEMS device manufacturing method is provided to obtain excellent performance and shape by easily controlling the thickness of a film according to a device and obtain an MEMS device capable of utilizing an existing semiconductor process. CONSTITUTION: An MEMS device manufacturing method comprises; a step for forming a lower structure(12), a step for a chalcogenide carbon layer; a step for forming insulation-supporting layer on the chalcogenide carbon layer; a step for forming via-holes exposing the lower structure by forming an etched protection layer on the insulation-supporting layer and etching the insulation-supporting layer and the chalcogenide carbon layer; a step for forming an upper structure including a sensor(23) on an insulation-supporting layer; a step for forming one or more through-holes penetrating the insulation-supporting layer; a step for removing the chalcogenide carbon layer through the through-holes in order to arrange the upper and lower structure to be spaced.

Abstract translation: 目的：提供一种MEMS器件制造方法，通过根据器件轻松控制膜的厚度来获得优异的性能和形状，并获得能够利用现有半导体工艺的MEMS器件。 构成：MEMS器件制造方法包括： 形成下部结构（12）的步骤，硫族化物碳层的工序; 在硫族化物碳层上形成绝缘支撑层的步骤; 通过在绝缘支撑层上形成蚀刻保护层并蚀刻绝缘层和硫族化物碳层，形成露出下部结构的通孔的步骤; 在绝缘支撑层上形成包括传感器（23）的上部结构的步骤; 形成穿过绝缘支撑层的一个或多个通孔的步骤; 用于通过通孔去除硫族化物碳层以便将上部和下部结构间隔开的步骤。