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公开(公告)号：KR101471425B1
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：KR1020130054465
申请日：2013-05-14
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본발명은사파이어등의기판위에형성되는질화물반도체층사이에양자섬(Quantum Island)을삽입한후 저결함밀도를갖는질화물반도체층이재성장되도록한 템플레이트층을이용하여, 내부양자효율이향상된고품질반도체소자가제조될수 있는, 고품질반도체소자용기판의제조방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020140089987A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：KR1020130002150
申请日：2013-01-08
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단 , 김진완 , 이경재 , 엄대용 , 전민환
IPC: H01L21/301
CPC classification number: H01L21/67092 , H01L21/68 , H01L21/68757
Abstract: The present invention relates to a wafer cutting device. The present invention comprises a loading stage including a body part with a wafer mounting part in which a wafer is mounted and a first position setting part formed on the body part; a handling cap including a coupling part with a second position setting part setting a position by being coupled to the first position setting part and a guide body part connected to the coupling part and has the penetrated inside; and a cutter moving along the guide body part and cutting the wafer put on the wafer seating part of the loading stage. The present invention has a simple configuration, cheap production costs, and a small size so as to require less installation space. Further, according to the present invention, the wafer can be precisely cut in a predetermined size and be easily cut.
Abstract translation: 晶片切割装置技术领域本发明涉及一种晶片切割装置。 本发明包括装载台，其包括：主体部，其具有安装有晶片的晶片安装部;形成在主体部上的第一位置设定部; 操作帽，其具有与第二位置设定部的联接部，所述第二位置设定部通过联接到所述第一位置设定部而设置位置;以及引导体部，连接到所述联接部，并且具有被穿透的内部; 以及沿着引导体部分移动的切割器，并且切割放置在装载台的晶片座部分上的晶片。 本发明具有简单的结构，廉价的生产成本和小尺寸，从而需要较少的安装空间。 此外，根据本发明，可以将晶片精确地切割成预定尺寸并且易于切割。
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公开(公告)号：KR1020170105326A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：KR1020160028411
申请日：2016-03-09
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L29/06 , H01L33/22 , H01L33/12 , H01L31/0392 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은질화물반도체나노막대발광장치및 그제조방법에관한것이다. 또한, 본발명에따르면, 기판; 상기기판에형성된지지층; 상기지지층에형성된버퍼층; 상기버퍼층에형성된나노막대층; 및상기나도막대층에형성된발광층을포함하는질화물반도체나노막대발광장치및 그제조방법을제공하여사파이어기판전체에나노막대가제작될수 있어소자제작이용이하여종래기술에서제기된국소부위에만나노구조가제작되어소자로제작하기에어려운문제점을해결하였다.
Abstract translation: 本发明涉及一种氮化物半导体纳米棒发光器件及其制造方法。 此外，根据本发明， 形成在基板上的支撑层; 形成在支撑层上的缓冲层; 形成在缓冲层上的纳米棒层; 和所述我提供一种氮化物半导体纳米棒发光器件及其制造方法，包括形成它的纳米棒在整个蓝宝石衬底通过使用小区域在现有技术中只有纳米结构升高产生的装置产生的棒层上的发光层 并且很难将其制作成设备。
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公开(公告)号：KR1020110082886A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：KR1020100002818
申请日：2010-01-12
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0008 , H01L33/145 , H01L2924/12041 , H01L2933/0058
Abstract: PURPOSE: A high efficient semiconductor optical device formed by an epitaxial structure and a manufacturing method thereof are provided to insert diffusion preventing layers into the upper/lower parts of each barrier layer of an MWQ(Multi-Quantum Well) structure, thereby increasing quantum efficiency. CONSTITUTION: An active layer(30) is formed on an N type nitride semiconductor layer(20). An electron blocking layer(40) is formed on the active layer. A P type nitride semiconductor layer(50) is formed on the electron blocking layer. The transparent conductive film(52) is formed on the P-type nitride semiconductor layer. The P-type contact metal electrode(54) is formed on the transparent conductive film.
Abstract translation: 目的：提供一种通过外延结构形成的高效半导体光学器件及其制造方法，以将扩散防止层插入MWQ（多量子阱）结构的每个势垒层的上/下部分，从而提高量子效率 。 构成：在N型氮化物半导体层（20）上形成有源层（30）。 在有源层上形成电子阻挡层（40）。 在电子阻挡层上形成P型氮化物半导体层（50）。 透明导电膜（52）形成在P型氮化物半导体层上。 P型接触金属电极（54）形成在透明导电膜上。
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公开(公告)号：KR101919360B1
公开(公告)日：2018-11-19
申请号：KR1020160028411
申请日：2016-03-09
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L29/06 , H01L33/22 , H01L33/12 , H01L31/0392 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은질화물반도체나노막대발광장치및 그제조방법에관한것이다. 또한, 본발명에따르면, 기판; 상기기판에형성된지지층; 상기지지층에형성된버퍼층; 상기버퍼층에형성된나노막대층; 및상기나도막대층에형성된발광층을포함하는질화물반도체나노막대발광장치및 그제조방법을제공하여사파이어기판전체에나노막대가제작될수 있어소자제작이용이하여종래기술에서제기된국소부위에만나노구조가제작되어소자로제작하기에어려운문제점을해결하였다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140121637A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：KR1020130038113
申请日：2013-04-08
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/0008 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L2924/12041 , H01L2933/0058
Abstract: 본 발명은 금속 전극과 접촉되는 p-GaN층 없이 그 대신에 밴드 갭 에너지가 큰 AlGaN 등 Al
x In
y Ga
1
-xy N(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0Abstract translation: 本发明涉及一种紫外光发射二极管的外延结构，其能够通过增加透光量而不吸收与金属电极接触的层中的紫外线来提高光提取效率，方法是用金属电极 Al x In y Ga 1-x-y N层（0 <= x <=1,0,0≤y≤1,0<= x + y <= 1）像具有大带隙能量的AlGaN代替p-GaN层 与金属电极接触。
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公开(公告)号：KR1020170105323A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：KR1020160028407
申请日：2016-03-09
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L29/06 , H01L33/22 , H01L33/12 , H01L31/0392 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은질화물반도체나노막대장치및 그제조방법에관한것이다. 또한, 본발명에따르면, 기판; 상기기판에형성된지지층; 상기지지층에형성된버퍼층; 및상기버퍼층에형성된나노막대층을포함하는질화물반도체나노막대장치및 그제조방법을제공하여사파이어기판전체에나노막대가제작될수 있어소자제작이용이하여종래기술에서제기된국소부위에만나노구조가제작되어소자로제작하기에어려운문제점을해결하였다.
Abstract translation: 本发明涉及一种氮化物半导体纳米棒和制造器件的方法。 此外，根据本发明， 形成在基板上的支撑层; 形成在支撑层上的缓冲层; 和小区域仅使在氮化物半导体纳米棒的装置和用于制造它的纳米棒在整个通过使用常规技术，包括形成在缓冲层上的纳米棒层产生的装置在蓝宝石基板制作提供一种方法，所提出的纳米结构化 由此解决作为设备难以制造的问题。
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公开(公告)号：KR1020130076957A
公开(公告)日：2013-07-09
申请号：KR1020110145408
申请日：2011-12-29
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L21/20
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a high quality semiconductor device on a BSFS-free nitride semiconductor is provided to improve the recombination of electrons and holes by using a template layer for restraining a piezoelectric effect. CONSTITUTION: A substrate (110) is prepared. A mask pattern composed of an insulating layer is formed on the substrate. A nitride semiconductor layer is formed. The height of the nitride semiconductor layer is same as the height of the mask pattern. A template layer (120) is formed. A semiconductor device structure is formed on the template layer. [Reference numerals] (110) Substrate; (120) Template layer; (130) LED layer
Abstract translation: 目的：提供一种在无BSFS的氮化物半导体上制造高质量半导体器件的方法，通过使用用于抑制压电效应的模板层来改善电子和空穴的复合。 构成：准备衬底（110）。 在基板上形成由绝缘层构成的掩模图案。 形成氮化物半导体层。 氮化物半导体层的高度与掩模图案的高度相同。 形成模板层（120）。 在模板层上形成半导体器件结构。 （附图标记）（110）基板; （120）模板层; （130）LED层
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公开(公告)号：KR101174331B1
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：KR1020100002818
申请日：2010-01-12
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L33/06
Abstract: 본발명은활성층의다중양자우물(MQW: Multi-Quantum Well) 구조에 P형또는 N형의도펀트를선택적으로도핑한배리어층을갖는구조와각 배리어층의상하에도펀트의확산을방지하기위한확산방지층(DBL: Diffusion Blocking Layer)을삽입한구조를반도체광소자에적용하여양자효율을향상시킬수 있는반도체광소자및 그제조방법에관한것이다. 본발명의일면에따른반도체소자의제조방법은, N형화합물반도체층과 P형화합물반도체층 사이에활성층과전자차단층(EBL)을갖는광소자구조를형성하는반도체소자의제조방법으로서, 상기활성층은다중양자우물(MQW)층구조를포함하고, 상기 MQW층을형성하는과정은, 배리어층을형성하는제1과정, 상기배리어층상부에우물층을형성하는제2과정, 및상기우물층상부의배리어층을형성하는제3과정을포함하며, 상기우물층하부의배리어층또는상기우물층상부의배리어층이소정도펀트로도핑된것을특징으로한다.
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