-
公开(公告)号：KR1019980037011A
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：KR1019960055693
申请日：1996-11-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 금속배선용 박막의 형성방법에 관한 것으로, 특히, 반도체 소자의 금속배선용 박막으로 사용되는 알루미늄(Al)과 알루미늄/구리(AlCu) 박막의 건식식각시 부식을 방지할 수 있는 금속배선용 박막을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 금속배선용 박막의 형성방법은, 반도체 제조공정중 금속배선공정에 있어서, 유기금속화학기상증착(Metal Organic Chemical Vapor Deposition: MOCVD)법에 의해 반도체 기판(1) 상에 알루미늄 또는 알루미늄/구리의 단결정 금속박막을 증착하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따르면, 금속배선용 박막의 건식식각후, 금속배선(5a)의 단면 형상이 종래기술과 달리 미끈하며, 건식식각후에도 금속배선(5a)이 전혀 부식되지 않으므로, 금속박막의 일렉트로마이그레이션(electro-migration) 현상을 억제하는 효과를 가져와, 배선의 전기적 신뢰성에 매우 좋은 효과가 있다.
-
-
公开(公告)号：KR1019930011219A
公开(公告)日：1993-06-24
申请号：KR1019910021079
申请日：1991-11-25
IPC: H01L27/108
Abstract: 본 발명은 반도체 집적회로의 제조방법에 관한 것으로, 특히 반응성 이온 건식식각에 의해 형성된 잔류막의 표면에 형성되는 SiC 막을 이용하여 캐패시티(capactor)를 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 방법은, 실리콘 기판상에 불순물이 주입된 제1다결정 실리콘을 증착하는 단계와, 상기 제1다결정 실리콘을 소정의 두께로 식각하여 잔류막을 형성하는 단계와, 급속 열처리 방법으로 하여 열처리하여 소정 두께의 SiC박막을 형성하는 단계와, 상기 급속열처리 방법에 의해 생성된 흑연(graphite)탄소층을 제거하는 단계와, 상기 SiC 박막 상에 절연막을 증착하는 단계와, 상부 전극을 형성하기 위하여 상기 절연막 상에 제2다절정 실리콘을 증착하는 단계와, 감광막을 사용하여 캐패시터 영역을 정의하는 단계 및, 반응성 이온 건식시각 방법으로 유전물까지 상기 캐패시터 영역이외의 부분을 식각한 후 상기 감광막을 제거하는 단계를 포함한다.-
公开(公告)号：KR1019930008997A
公开(公告)日：1993-05-22
申请号：KR1019910018986
申请日：1991-10-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/324
Abstract: 본 발명은 미세패턴 형성 등과 같은 반도체장치의 제조시 사용되는 반응성 건식 이온식각 공정후 실리콘 기판(1)의 표면에 생성되는 잔류막(3)을 제거하고 손상층(2)을 회복시키는 방법에 관한 것으로 상기 실리콘 기판(1)의 진공 또는 O
2 , N
2 및 불활성 기체 또는 상기 기체들의 혼합가스 분위기 하에서 약 700℃내지 1100℃의 온도에서 1분 내지 5분 동안 급속 열처리(Rapid Thermal Alloy)함으로써 잔류막(3)을 효과적으로 제고하고 손상층(2)을 회복시킬 수 있어 실리콘 기판의 특성을 향상시킬 수 있다.-
5.发明授权O₂/He 플라즈마를 이용한 실리레이티드 포토레지스트(silylated photoresist)의 RIE 건식현상공정 失效使用O2 / He等离子体的RIE干式显影工艺制备甲硅烷基化光刻胶
公开(公告)号：KR1019920005782B1
公开(公告)日：1992-07-18
申请号：KR1019900008258
申请日：1990-06-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G03F7/26
Abstract: RIE dry developing process for silylated photoresist using O2/H2 plasma comprises (A) depositing 1.6-1.8 m plasmask light- sensitive film (2) containing a pigment on substrate (1) at 4100 rpm, (B) soft baking the film (2) at 110 deg.C for 60 secs, followed by partially exposing, (C) presilylation baking exposed part (3) and non-exposed part (4) at 160 deg.C for 60 secs, (D) forming silylation agent diffusion layer (5) on exposed part (3) by silylating at 143 deg.C for 7 mins under the atmosphere of diluted silylation agent by air or N2, and (E) removing non-exposed part (4) by dry etching to form a mask layer of light-sensitive film.
Abstract translation: 使用O 2 / H 2等离子体的硅烷化光刻胶的RIE干式显影工艺包括：（A）以4100rpm沉积在基片（1）上含有颜料的1.6-1.8μm等离子体掩模感光膜（2），（B）软烘烤薄膜 ）在110℃持续60秒，然后在160℃部分暴露（C）预裂化焙烧露出部分（3）和未曝光部分（4）60秒，（D）形成甲硅烷基化剂扩散层 （5）在暴露部分（3）上，通过空气或N 2在稀释的甲硅烷基化剂的气氛下在143℃甲酰化7分钟，和（E）通过干蚀刻除去未曝光的部分（4）以形成掩模 感光层。
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：KR100238438B1
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019960055693
申请日：1996-11-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 금속배선용 박막의 형성방법에 관한 것으로, 특히, 반도체 소자의 금속배선용 박막으로 사용되는 알루미늄(Al)과 알루미늄/구리(AlCu)박막의 건식식각시 부식을 방지할 수 있는 금속배선용 박막을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 금속배선용 박막의 형성방법은, 반도체 제조공정중 금속배선공정에 있어서, 유기금속화학기상증착(Metal Organic Chemical Vapor Deposition : MOCVD)법에 의해 반도체 기판(1)상에 알루미늄 또는 알루미늄/구리의 단결정 금속박막을 증착하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따르면, 금속배선용 박막의 건식식각후, 금속배선(5a)의 단면 형상이 종래기술과 달리 미끈하며, 건식식각후에도 금속배선(5a)이 전혀 부식되지 않으므로, 금속박막의 일렉트로마이그레이션(electro-migration)현상을 억제하는 효과를 가져와, 배선의 전기적 신뢰성에 매우 좋은 효과가 있다.
-
公开(公告)号：KR1019950008853B1
公开(公告)日：1995-08-08
申请号：KR1019910021079
申请日：1991-11-25
IPC: H01L27/108
Abstract: depositing a first polysilicon(9) , in which the impurity ions are implanted, on a silicon substrate(8); forming a residual film(10) by reactive ion etching of the first polysilicon(9); inserting a halide in a reactive chamber and applying RF power to the chamber to form a gas plasma; converting the residual film to a SiCxHyFz film by exposing it to the gas plasma; rapidly heat treating a SiCxHyFz film to form a SiC film(11) on the polysilicon(9); removing a carbon layer(12) remained on the SiC film(11) in the rapid heat treatment process; depositing an insulation film(13) on the SiC film(11); depositing a second polysilicon(14) on the insulation film(13) to form an upper electrode; defining a capacitor region using a photosensitive film(15); and removing the photosensitive film after etching the portion except capacitor region. Formation of the SiC film having a high dielectric efficiency provides a higher capacitance.
Abstract translation: 在硅衬底（8）上沉积其中注入杂质离子的第一多晶硅（9）; 通过所述第一多晶硅（9）的反应离子蚀刻形成残留膜（10）; 在反应室中插入卤化物并向室施加RF功率以形成气体等离子体; 通过将其暴露于气体等离子体将残余膜转化为SiC x H y F z膜; 快速热处理SiCxHyFz膜以在多晶硅（9）上形成SiC膜（11）; 在快速热处理过程中除去残留在SiC膜（11）上的碳层（12）; 在所述SiC膜（11）上沉积绝缘膜（13）; 在所述绝缘膜（13）上沉积第二多晶硅（14）以形成上电极; 使用感光膜（15）限定电容器区域; 并且在蚀刻除了电容器区域之外的部分时去除感光膜。 具有高介电效率的SiC膜的形成提供更高的电容。
-
公开(公告)号：KR1019940010515B1
公开(公告)日：1994-10-24
申请号：KR1019910018986
申请日：1991-10-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/324
Abstract: The removal of remnants formed at RIE (reactive ion etching) process and the restriction of damage on the silicon substrates by the collision of gas atoms are essential for the improvement of reliability of the device. To solve the problem, RTA process is treated during 1 to 5 minutes at 700 to 1100 deg.C under vacuum, O2, N2, inert gas, or their mixed ambience in order to repair the impurity penetration layers damaged by reactive ion etching and to remove the remnants (3) that compose of C-F or Cl polymer as shown in the figure, after RIE process. The property of silicon substrate is restored considerably by this method.
Abstract translation: 在RIE（反应离子蚀刻）工艺中形成的残余物的去除以及气体原子碰撞对硅衬底的损伤的限制对于提高器件的可靠性至关重要。 为了解决这个问题，在真空，O2，N2，惰性气体或其混合环境下，在700〜1100℃，1〜5分钟内对RTA工艺进行处理，以修复由反应离子蚀刻损坏的杂质穿透层， 在RIE过程后，如图所示，移除由CF或Cl聚合物构成的残留物（3）。 通过这种方法，大大地恢复了硅衬底的性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.018 seconds)
