직렬 통신 프로토콜을 이용한 RFID 리더, RFID 태그, RFID 통신 방법 및 시스템
    1.
    发明公开
    직렬 통신 프로토콜을 이용한 RFID 리더, RFID 태그, RFID 통신 방법 및 시스템 有权
    无线电频率识别读取器,RIFD标签,使用串行通信协议的RFID通信方法和系统

    公开(公告)号:KR1020120043462A

    公开(公告)日:2012-05-04

    申请号:KR1020100104778

    申请日:2010-10-26

    CPC classification number: H04B5/0062 G06K19/0723

    Abstract: PURPOSE: An RFID(Radio Frequency Identification) reader, RFID tag, RFID communication method, and system thereof are provided to execute wireless communication through a serial communication protocol without using specific wireless communication protocols. CONSTITUTION: An RFID tag(220) includes tag information. The RFID tag provides interfaces by using a serial communication protocol. An RFID reader(210) reads the tag information by using the serial communication protocol from the RFID tag. The RFID tag includes a tag control module. The tag control module provides the RFID reader and the interfaces by using an I2C(Inter-Integrated Circuit) or an UART(Universal Asynchronous Receiver Transmitter).

    Abstract translation: 目的:提供RFID(射频识别)阅读器,RFID标签,RFID通信方法及其系统,以通过串行通信协议执行无线通信,而不使用特定的无线通信协议。 构成:RFID标签(220)包括标签信息。 RFID标签通过使用串行通信协议提供接口。 RFID读取器(210)通过使用来自RFID标签的串行通信协议来读取标签信息。 RFID标签包括标签控制模块。 标签控制模块通过使用I2C(内部集成电路)或UART(通用异步收发器)提供RFID阅读器和接口。

    센서 패키지
    2.
    发明公开
    센서 패키지 审中-实审
    传感器包装

    公开(公告)号:KR1020160025679A

    公开(公告)日:2016-03-09

    申请号:KR1020140112397

    申请日:2014-08-27

    Abstract: 본발명은센서패키지를제공한다. 센서패키지는하우징, 상기하우징내에위치하는회로부및 센서부, 상기하우징상에위치하고상기회로부및 상기센서부와연결되는전극및 상기하우징과결합하여상기센서부를상기하우징내에실장하는공간인탄성부를제공하는덮개를포함하되, 상기센서부를덮도록상기탄성부내에비전도성탄성물질제공된다.

    Abstract translation: 提供传感器封装。 传感器封装包括:壳体; 电路部分和位于壳体内部的传感器部分; 以及盖,其位于所述壳体上并且联接到所述壳体,以及连接到所述电路部分和所述传感器部分的电极,以提供弹性部分,所述弹性部分是将所述传感器部分嵌入所述壳体中的空间,其中, 导电弹性材料覆盖传感器部分。 因此,本发明增加了传递到传感器部分的信号的灵敏度。

    플라즈마 처리 장치의 척킹/디척킹 장치 및 척킹/디척킹 방법
    3.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치의 척킹/디척킹 장치 및 척킹/디척킹 방법 失效
    等离子体加工设备的切割/去除装置和切割/去除方法

    公开(公告)号:KR1020100070869A

    公开(公告)日:2010-06-28

    申请号:KR1020080129603

    申请日:2008-12-18

    CPC classification number: H01L21/6833 H01L21/67242 H01L21/68742

    Abstract: PURPOSE: A chucking/dechucking device and a method thereof are provided to prevent dechucking fault by charging and generating a surface charge of a substrate by using a ground voltage due to the surface charge of the substrate. CONSTITUTION: An electrostatic chuck(91) fixes a substrate(80) during a plasma processing. An electrostatic chuck power supply part(70) applies a constant voltage or a reverse voltage to the electrostatic chuck. A lift pin(90) is lifted from the chuck and separates the substrate from the electrostatic chuck. A charge part(72) is connected between the lift pin and the ground terminal. A controller(73) applies the electric charge charged in the charge part to the electrostatic chuck power supply part.

    Abstract translation: 目的:提供一种卡盘/脱扣装置及其方法,以通过使用由于基板的表面电荷引起的接地电压进行充电和产生基板的表面电荷来防止脱扣故障。 构成:静电吸盘(91)在等离子体处理期间固定基板(80)。 静电卡盘电源部分(70)向静电卡盘施加恒定电压或反向电压。 提升销(90)从卡盘提起并将基板与静电卡盘分离。 充电部分(72)连接在升降销和接地端子之间。 控制器(73)将充电部分中充入的电荷施加到静电卡盘电源部分。

    화학 기계적 연마장치
    4.
    发明授权
    화학 기계적 연마장치 有权
    化学机械抛光设备

    公开(公告)号:KR101168155B1

    公开(公告)日:2012-07-24

    申请号:KR1020080122151

    申请日:2008-12-03

    Abstract: 반도체 웨이퍼(wafer)와 같은 피 가공소재를 화학 기계적 폴리싱(chemical mechanical Polishing, CMP)을 통하여 연마하는 화학 기계적 연마장치가 제공된다.
    상기 화학 기계적 연마장치는 그 구성 일 예로, 장치 베이스 상에 이동 가능하게 제공된 이동형 장치 프레임;과, 피 가공소재를 연마토록 상기 장치 프레임 사이에 회전 구동 가능하게 제공되는 피 가공소재 연마유닛; 및, 상기 장치 베이스 상에 상기 피 가공소재 연마유닛의 하측에 설치되고 상기 피 가공소재가 장착되는 피 가공소재 홀더유닛을 포함하여 구성될 수 있다.
    이와 같은 본 발명에 의하면, 기존 연마장치의 구조를 개선하여 반도체 웨이퍼와 같은 정밀 가공을 요하는 소재의 연마 평탄성과 정밀성을 부가하면서도, 소재 전체면으로 균일한 연마를 가능하게 하는 개선된 효과를 얻을 수 있다.
    화학 기계적 폴리싱(CMP), 드럼형 CMP 장치, 웨이퍼 연마, 연마패드

    플라즈마 처리 장치의 척킹/디척킹 장치 및 척킹/디척킹 방법
    5.
    发明授权
    플라즈마 처리 장치의 척킹/디척킹 장치 및 척킹/디척킹 방법 失效
    等离子体处理设备中的卡盘/打码设备和卡盘/打印方法

    公开(公告)号:KR101087140B1

    公开(公告)日:2011-11-25

    申请号:KR1020080129603

    申请日:2008-12-18

    Abstract: 본 발명은 디척킹 불량을 방지하고 소비전력 손실을 줄일 수 있는 플라즈마 처리 장치의 기판 척킹/디척킹 장치를 제공한다. 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치의 척킹/디척킹 장치는, 플라즈마 처리시 기판을 안착하는 정전척; 상기 정전척에 상기 기판을 착탈하기 위해 전압을 인가하는 정전척 전원 공급부; 플라즈마 처리시 상기 정전척의 내부에 삽입되고, 플라즈마 처리 완료후 상기 정전척으로부터 상승하여 상기 기판을 상기 정전척으로부터 분리하는 리프트 핀; 상기 리프트 핀과 접지단 사이에 연결되고, 플라즈마 처리가 완료되면 상기 기판의 접지 전압으로부터 충전되는 충전부; 및 상기 충전부의 충전 전압이 소정 전압 이상일 경우, 상기 리프트 핀을 기판 접촉면 이상으로 상승시키고 상기 충전부에 충전된 전하를 상기 전원 공급부로 인가하는 제어부를 포함한다.
    플라즈마 식각 장치, 척킹, 디척킹

    플라즈마 처리 장치에서의 기판 디척킹 방법
    6.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치에서의 기판 디척킹 방법 失效
    用于在等离子体处理装置中去除衬底的方法

    公开(公告)号:KR1020100073025A

    公开(公告)日:2010-07-01

    申请号:KR1020080131603

    申请日:2008-12-22

    CPC classification number: H01L21/6833

    Abstract: PURPOSE: A substrate de-chucking method in a plasma processing device is provided to improve de-chucking capability and prevent sticking by effectively removing a remaining charge on a substrate surface according to the control of a de-chucking voltage. CONSTITUTION: A plasma generation is interrupted after completing a plasma processing about a substrate which is maintained on an electro-static chuck with the chucking voltage of electro-static voltage. A first reverse voltage is applied to the electrostatic chuck. A middle turn-off step which stops the first reverse voltage apply in the electrostatic chuck is executed. After the middle turn-off step, a second reverse voltage which is smaller than the first reverse voltage is applied to the electrostatic chuck. The second reverse voltage apply is interrupted in the electrostatic chuck and the substrate is grounded.

    Abstract translation: 目的:提供一种等离子体处理装置中的基板去夹紧方法,以通过根据去夹紧电压的控制有效地去除基板表面上的剩余电荷来改善脱扣能力并防止粘附。 构成:在用静电电压的夹持电压完成对保持在静电卡盘上的基板的等离子体处理之后等离子体产生中断。 向静电吸盘施加第一反向电压。 执行停止施加在静电卡盘中的第一反向电压的中间关断步骤。 在中间断开步骤之后,将小于第一反向电压的第二反向电压施加到静电卡盘。 静电卡盘中的第二反向电压中断,基板接地。

    RFID 태그
    8.
    发明公开
    RFID 태그 无效
    无线电频率识别标签

    公开(公告)号:KR1020120074495A

    公开(公告)日:2012-07-06

    申请号:KR1020100136352

    申请日:2010-12-28

    CPC classification number: G06K19/07345

    Abstract: PURPOSE: An RFID(Radio Frequency ID) tag equipped with a physical switch is provided to increase recognition ratio of an RFID tag by supplying a physical switch. CONSTITUTION: An antenna receives an RF signal from a reader. An AFE(Analog Front End)(110) generates voltage by using the RF signal. The switch is inserted between the antenna and the AFE and controls connection between the antenna and the AFE through switching operation. The switch includes first and third switches, a control module(120), and a rechargeable battery(140).

    Abstract translation: 目的:提供配有物理开关的RFID(射频识别)标签,通过提供物理开关提高RFID标签的识别率。 构成:天线从读取器接收RF信号。 AFE(模拟前端)(110)通过使用RF信号产生电压。 开关插在天线和AFE之间,通过切换操作控制天线与AFE之间的连接。 开关包括第一和第三开关,控制模块(120)和可再充电电池(140)。

    플라즈마 손상 측정장치
    9.
    发明公开
    플라즈마 손상 측정장치 无效
    等离子体损伤测量装置

    公开(公告)号:KR1020110133115A

    公开(公告)日:2011-12-12

    申请号:KR1020100052670

    申请日:2010-06-04

    Inventor: 우종창 김관하

    CPC classification number: H01L45/04 H01L21/28291 H01L45/1233 H01L45/141

    Abstract: PURPOSE: A plasma damage measuring device is provided to use a pattern for inducing plasma charging and a measurement pattern, thereby reducing the costs for manufacturing a test wafer. CONSTITUTION: A test wafer(100) comprises a device isolation pattern(210). The device isolation pattern electrically isolates plasma damage measuring devices which are different from at least one plasma damage measuring device(200). Charges induced from plasma are accumulated in an antenna structure. A semiconductor device is connected to the lower part of the antenna structure. The electrical features of the semiconductor device are varied by the accumulated charges.

    Abstract translation: 目的:提供等离子体损伤测量装置以使用用于诱导等离子体充电的图案和测量图案,从而降低制造测试晶片的成本。 构成:测试晶片(100)包括器件隔离图案(210)。 器件隔离图案电隔离不同于至少一个等离子体损伤测量装置(200)的等离子体损伤测量装置。 从等离子体引起的电荷累积在天线结构中。 半导体器件连接到天线结构的下部。 半导体器件的电气特征由累积电荷变化。

    플라즈마 처리 장치에서의 기판 디척킹 방법
    10.
    发明授权
    플라즈마 처리 장치에서의 기판 디척킹 방법 失效
    用于在等离子体处理装置中去除衬底的方法

    公开(公告)号:KR101087141B1

    公开(公告)日:2011-11-25

    申请号:KR1020080131603

    申请日:2008-12-22

    Abstract: 본 발명은 디척킹 능력을 증강시키고 디척킹 불량의 발생을 방지할 수 있는 플라즈마 처리 장치에서의 기판 디척킹 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 기판 디척킹 방법은, 정전압의 척킹 전압에 의해 정전척 상에 유지된 기판에 대한 플라즈마 처리 완료후, 플라즈마 발생을 중단시키고, 상기 정전척에 제1 역전압을 인가하는 단계; 상기 정전척에의 상기 제1 역전압 인가를 중단시키는 중간 턴오프 단계; 상기 중간 턴오프 단계 후, 상기 정전척에 상기 제1 역전압보다 작은 크기의 제2 역전압을 인가하는 단계; 및 상기 정전척에의 상기 제2 역전압 인가를 중단시키고 상기 기판을 접지시키는 접지 단계;를 포함한다.
    플라즈마 식각, 디척킹, 리프트 핀

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