Abstract:
PURPOSE: An RFID(Radio Frequency Identification) reader, RFID tag, RFID communication method, and system thereof are provided to execute wireless communication through a serial communication protocol without using specific wireless communication protocols. CONSTITUTION: An RFID tag(220) includes tag information. The RFID tag provides interfaces by using a serial communication protocol. An RFID reader(210) reads the tag information by using the serial communication protocol from the RFID tag. The RFID tag includes a tag control module. The tag control module provides the RFID reader and the interfaces by using an I2C(Inter-Integrated Circuit) or an UART(Universal Asynchronous Receiver Transmitter).
Abstract:
PURPOSE: A chucking/dechucking device and a method thereof are provided to prevent dechucking fault by charging and generating a surface charge of a substrate by using a ground voltage due to the surface charge of the substrate. CONSTITUTION: An electrostatic chuck(91) fixes a substrate(80) during a plasma processing. An electrostatic chuck power supply part(70) applies a constant voltage or a reverse voltage to the electrostatic chuck. A lift pin(90) is lifted from the chuck and separates the substrate from the electrostatic chuck. A charge part(72) is connected between the lift pin and the ground terminal. A controller(73) applies the electric charge charged in the charge part to the electrostatic chuck power supply part.
Abstract:
반도체 웨이퍼(wafer)와 같은 피 가공소재를 화학 기계적 폴리싱(chemical mechanical Polishing, CMP)을 통하여 연마하는 화학 기계적 연마장치가 제공된다. 상기 화학 기계적 연마장치는 그 구성 일 예로, 장치 베이스 상에 이동 가능하게 제공된 이동형 장치 프레임;과, 피 가공소재를 연마토록 상기 장치 프레임 사이에 회전 구동 가능하게 제공되는 피 가공소재 연마유닛; 및, 상기 장치 베이스 상에 상기 피 가공소재 연마유닛의 하측에 설치되고 상기 피 가공소재가 장착되는 피 가공소재 홀더유닛을 포함하여 구성될 수 있다. 이와 같은 본 발명에 의하면, 기존 연마장치의 구조를 개선하여 반도체 웨이퍼와 같은 정밀 가공을 요하는 소재의 연마 평탄성과 정밀성을 부가하면서도, 소재 전체면으로 균일한 연마를 가능하게 하는 개선된 효과를 얻을 수 있다. 화학 기계적 폴리싱(CMP), 드럼형 CMP 장치, 웨이퍼 연마, 연마패드
Abstract:
본 발명은 디척킹 불량을 방지하고 소비전력 손실을 줄일 수 있는 플라즈마 처리 장치의 기판 척킹/디척킹 장치를 제공한다. 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치의 척킹/디척킹 장치는, 플라즈마 처리시 기판을 안착하는 정전척; 상기 정전척에 상기 기판을 착탈하기 위해 전압을 인가하는 정전척 전원 공급부; 플라즈마 처리시 상기 정전척의 내부에 삽입되고, 플라즈마 처리 완료후 상기 정전척으로부터 상승하여 상기 기판을 상기 정전척으로부터 분리하는 리프트 핀; 상기 리프트 핀과 접지단 사이에 연결되고, 플라즈마 처리가 완료되면 상기 기판의 접지 전압으로부터 충전되는 충전부; 및 상기 충전부의 충전 전압이 소정 전압 이상일 경우, 상기 리프트 핀을 기판 접촉면 이상으로 상승시키고 상기 충전부에 충전된 전하를 상기 전원 공급부로 인가하는 제어부를 포함한다. 플라즈마 식각 장치, 척킹, 디척킹
Abstract:
PURPOSE: A substrate de-chucking method in a plasma processing device is provided to improve de-chucking capability and prevent sticking by effectively removing a remaining charge on a substrate surface according to the control of a de-chucking voltage. CONSTITUTION: A plasma generation is interrupted after completing a plasma processing about a substrate which is maintained on an electro-static chuck with the chucking voltage of electro-static voltage. A first reverse voltage is applied to the electrostatic chuck. A middle turn-off step which stops the first reverse voltage apply in the electrostatic chuck is executed. After the middle turn-off step, a second reverse voltage which is smaller than the first reverse voltage is applied to the electrostatic chuck. The second reverse voltage apply is interrupted in the electrostatic chuck and the substrate is grounded.
Abstract:
PURPOSE: An RFID(Radio Frequency ID) tag equipped with a physical switch is provided to increase recognition ratio of an RFID tag by supplying a physical switch. CONSTITUTION: An antenna receives an RF signal from a reader. An AFE(Analog Front End)(110) generates voltage by using the RF signal. The switch is inserted between the antenna and the AFE and controls connection between the antenna and the AFE through switching operation. The switch includes first and third switches, a control module(120), and a rechargeable battery(140).
Abstract:
PURPOSE: A plasma damage measuring device is provided to use a pattern for inducing plasma charging and a measurement pattern, thereby reducing the costs for manufacturing a test wafer. CONSTITUTION: A test wafer(100) comprises a device isolation pattern(210). The device isolation pattern electrically isolates plasma damage measuring devices which are different from at least one plasma damage measuring device(200). Charges induced from plasma are accumulated in an antenna structure. A semiconductor device is connected to the lower part of the antenna structure. The electrical features of the semiconductor device are varied by the accumulated charges.
Abstract:
본 발명은 디척킹 능력을 증강시키고 디척킹 불량의 발생을 방지할 수 있는 플라즈마 처리 장치에서의 기판 디척킹 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 기판 디척킹 방법은, 정전압의 척킹 전압에 의해 정전척 상에 유지된 기판에 대한 플라즈마 처리 완료후, 플라즈마 발생을 중단시키고, 상기 정전척에 제1 역전압을 인가하는 단계; 상기 정전척에의 상기 제1 역전압 인가를 중단시키는 중간 턴오프 단계; 상기 중간 턴오프 단계 후, 상기 정전척에 상기 제1 역전압보다 작은 크기의 제2 역전압을 인가하는 단계; 및 상기 정전척에의 상기 제2 역전압 인가를 중단시키고 상기 기판을 접지시키는 접지 단계;를 포함한다. 플라즈마 식각, 디척킹, 리프트 핀