Bildung eines Luftspalt-Abstandhalters für nanoskalige Halbleiterbauelemente

    公开(公告)号:DE112017003172T5

    公开(公告)日:2019-03-28

    申请号:DE112017003172

    申请日:2017-07-21

    Applicant: IBM

    Abstract: Es werden Halbleiterbauelemente mit Luftspalt-Abstandhaltern bereitgestellt, die als Teil von BEOL- oder MOL-Schichten der Halbleiterbauelemente ausgebildet sind, sowie Verfahren zur Herstellung solcher Luftspalt-Abstandhalter. Ein Verfahren umfasst beispielsweise ein Bilden einer ersten Metallstruktur und einer zweiten Metallstruktur auf einem Substrat, wobei die erste und zweite Metallstruktur benachbart zueinander angeordnet sind mit Isoliermaterial, das zwischen der ersten und zweiten Metallstruktur angeordnet ist. Das Isoliermaterial wird geätzt, um eine Aussparung zwischen der ersten und zweiten Metallstruktur zu bilden. Eine Schicht aus dielektrischem Material wird mithilfe eines abschnürenden Abscheideprozesses über der ersten und zweiten Metallstruktur abgeschieden, um einen Luftspalt in der Aussparung zwischen der ersten und zweiten Metallstruktur zu bilden, wobei sich ein Teilbereich des Luftspalts über eine Oberseite von mindestens einer der ersten Metallstruktur und der zweiten Metallstruktur hinaus erstreckt.

    VORHERSAGE VON HALBLEITERPACKUNGS-VERWERFUNG

    公开(公告)号:DE102016205174A1

    公开(公告)日:2016-10-06

    申请号:DE102016205174

    申请日:2016-03-30

    Applicant: IBM

    Abstract: Ein Verfahren zur Vorhersage der elektrischen Funktionsfähigkeit einer Halbleiterpackung, wobei das Verfahren aufweist: Durchführen einer ersten Steifigkeitsprüfung für eine erste Halbleiterpackung, Empfangen von Fehlerdaten für die erste Halbleiterpackung, wobei die Fehlerdaten Ergebnisse einer nach dem Montieren der ersten Halbleiterpackung auf einer Schaltkreisplatine durchgeführten elektrischen Prüfung aufweist, Erzeugen einer Datenbank, die die Ergebnisse der ersten Steifigkeitsprüfung als eine Funktion der Fehlerdaten für die erste Halbleiterpackung enthält, Durchführen einer zweiten Steifigkeitsprüfung für eine zweite Halbleiterpackung, Ermitteln eines eindeutigen Ergebnisses aus den Ergebnissen der ersten Steifigkeitsprüfung in der Datenbank, wobei das eindeutige Ergebnis mit einem Ergebnis der zweiten Steifigkeitsprüfung korreliert, und Vorhersagen eines Fehlerwerts für die zweite Halbleiterpackung auf Grundlage der Fehlerdaten für die erste Halbleiterpackung, der dem in der Datenbank ermittelten eindeutigen Ergebnis der ersten Steifigkeitsprüfung entspricht.

Patent Agency Ranking