公开(公告)号：DE112018003217B4

公开(公告)日：2021-04-08

申请号：DE112018003217

申请日：2018-06-14

Applicant: IBM

Inventor： BREW KEVIN WAYNE ,  NEWNS DENNIS ,  GERSHON TALIA SIMCHA ,  TODOROV TEODOR KRASSIMIROV ,  MARTYNA GLENN JOHN ,  KIM SEYOUNG

IPC: H01L45/00

Abstract: Memristives Bauelement, aufweisend:einen ersten Inertmetallkontakt;eine Schicht eines phasengetrennten Materials, das auf dem ersten Inertmetallkontakt angeordnet ist, wobei das phasengetrennte Material interstitielle Ionen aufweist; undeinen zweiten Inertmetallkontakt, der auf der Schicht des phasengetrennten Materials angeordnet ist,wobei das phasengetrennte Material ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus: Lithiumtitanoxid und Lithiumkobaltoxid.

公开(公告)号：GB2496956A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：GB201219636

申请日：2012-11-01

Applicant: IBM

Inventor： CHANDRA BHUPESH ,  MAAROUF AHMED ,  KASRY AMAL ,  MARTYNA GLENN JOHN ,  TULEVSKI GEORGE STOJAN ,  BOL AGEETH ANKE

IPC: H01B1/04 ,  H01L21/02 ,  H01L29/10 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786 ,  H01L31/0224 ,  H01L33/42 ,  H01L51/00 ,  H01L51/05

Abstract: The transparent hybrid film comprises a layer of graphene deposited atop a layer of nanotubes, preferably carbon nanotubes. Two different production methods are disclosed. The film may be used as a transparent electrode with a variety of applications. Alternatively the film may be used as a channel material in a field effect transistor.

公开(公告)号：DE112011102090B4

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：DE112011102090

申请日：2011-06-15

Applicant: IBM

Inventor： LUAN BINQUAN ,  NEWNS DENNIS ,  POLONSKY STANISLAV ,  PENG HONGBO ,  ROSSNAGEL STEPHEN ,  MARTYNA GLENN JOHN ,  STOLOVITZKY GUSTAVO ALEJANDRO ,  HARRER STEFAN ,  AFZALIARDAKANI ALI

IPC: B01L3/00 ,  B03C5/02 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  C12Q1/68 ,  G01N33/487

Abstract: Nanofluidische Feldeffekteinheit, aufweisend: einen nanofluidischen Kanal, der eine erste Seite und eine zweite Seite aufweist; einen ersten Satz von Elektroden angrenzend an die erste Seite des nanofluidischen Kanals; einen zweiten Satz von Elektroden angrenzend an die zweite gegenüberliegende Seite des nanofluidischen Kanals; und eine Steuereinheit zum Anlegen eines elektrischen Potentials an eine Elektrode; wobei die Elektroden des ersten Satzes von Elektroden so angeordnet sind, dass, wenn sich ein Fluid mit einem geladenen Molekül in dem nanofluidischen Kanal befindet, durch das Anlegen des elektrischen Potentials an den ersten Satz von Elektroden ein sich räumlich veränderndes elektrisches Feld erzeugt wird, das das geladene Molekül in einem festgelegten Bereich des Kanals einschließt; und wobei die Elektroden des zweiten Satzes von Elektroden so gegenüber dem ersten Satz von Elektroden angeordnet sind, dass durch Anlegen des elektrischen Potentials an den zweiten Satz von Elektroden relativ zu dem an den ersten Satz von Elektroden angelegten elektrischen ...

公开(公告)号：DE112011102090T5

公开(公告)日：2013-07-18

申请号：DE112011102090

申请日：2011-06-15

Applicant: IBM

Inventor： LUAN BINQUAN ,  NEWNS DENNIS ,  POLONSKY STANISLAV ,  PENG HONGBO ,  ROSSNAGEL STEPHEN ,  MARTYNA GLENN JOHN ,  STOLOVITZKY GUSTAVO ALEJANDRO ,  HARRER STEFAN ,  AFZALIARDAKANI ALI

IPC: B01L3/00 ,  B03C5/02 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  C12Q1/68 ,  G01N33/487

Abstract: Eine nanofluidische Feldeffekteinheit weist einen Kanal, der eine erste Seite und eine zweite Seite, einen ersten Satz von Elektroden angrenzend an die erste Seite, einen zweiten Satz von Elektroden angrenzend an die zweite Seite, eine Steuereinheit zum Anlegen elektrischer Potentiale an die Elektroden und ein Fluid in dem Kanal auf, das ein geladenes Molekül enthält. Der erste Satz von Elektroden ist so angeordnet, dass durch das Anlegen des elektrischen Potentials ein sich räumlich veränderndes elektrisches Feld erzeugt wird, das ein geladenes Molekül in einem festgelegten Bereich des Kanals einschließt. Der zweite Satz von Elektroden ist so angeordnet, dass durch das Anlegen von elektrischen Potentialen relativ zu dem an den ersten Satz von Elektroden angelegten elektrischen Potentialen ein elektrisches Feld erzeugt wird, das das geladene Molekül in einem Bereich einschließt, der von der zweiten Seite des Kanals entfernt ist.

公开(公告)号：GB2494021A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：GB201212327

申请日：2011-06-15

Applicant: IBM

Inventor： LUAN BINQUAN ,  MARTYNA GLENN JOHN ,  NEWNS DENNIS ,  POLONSKY STANISLAV ,  STOLOVITZKY GUSTAVO ALEJANDRO ,  PENG HONGBO ,  ROSSNAGEL STEPHEN ,  HARRER STEFAN ,  AFZALI-ARDAKANI ALI

IPC: B82Y15/00 ,  G01N33/487

Abstract: Nano-fluidic field effective device includes a channel having a first side and a second side, a first set of electrodes adjacent to the first side, a second set of electrodes adjacent to the second side, a control unit for applying electric potentials to the electrodes and a fluid within the channel containing a charge molecule. The first set of electrodes is disposed such that application of electric potentials produces a spatially varying electric field that confines a charged molecule within a predetermined area of said channel. The second set of electrodes is disposed such that application of electric potentials relative to the electric potentials applied to the first set of electrodes creates an electric field that confines the charged molecule to an area away from the second side of the channel.

公开(公告)号：GB2485749B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：GB201205373

申请日：2010-12-03

Applicant: IBM

Inventor： LIU XIAO HU ,  KRUSIN-ELBAUM LIA ,  ELMEGREEN BRUCE GORDON ,  NEWNS DENNIS ,  MARTYNA GLENN JOHN ,  CHEN KUAN-NENG

IPC: H01L41/08

Abstract: A coupling structure for coupling piezoelectric material generated stresses to an actuated device of an integrated circuit includes a rigid stiffener structure formed around a piezoelectric (PE) material and the actuated device, the actuated device comprising a piezoresistive (PR) material that has an electrical resistance dependent upon an applied pressure thereto; and a soft buffer structure formed around the PE material and PR material, the buffer structure disposed between the PE and PR materials and the stiffener structure, wherein the stiffener structure clamps both the PE and PR materials to a substrate over which the PE and PR materials are formed, and wherein the soft buffer structure permits the PE material freedom to move relative to the PR material, thereby coupling stress generated by an applied voltage to the PE material to the PR material so as change the electrical resistance of the PR material.

公开(公告)号：DE112018003217T5

公开(公告)日：2020-03-19

申请号：DE112018003217

申请日：2018-06-14

Applicant: IBM

Inventor： BREW KEVIN WAYNE ,  NEWNS DENNIS ,  GERSHON TALIA SIMCHA ,  TODOROV TEODOR KRASSIMIROV ,  MARTYNA GLENN JOHN ,  KIM SEYOUNG

IPC: H01L21/00

Abstract: Bereitgestellt werden memristive Bauelemente auf Grundlage eines lonentransfers zwischen zwei metastabilen Phasen in einem Material mit interkalierten Ionen. Nach einem Aspekt wird ein memristives Bauelement bereitgestellt. Das memristive Bauelement beinhaltet: einen ersten Inertmetallkontakt; eine Schicht eines phasengetrennten Materials, das auf dem ersten Inertmetallkontakt angeordnet ist, wobei das phasengetrennte Material interstitielle Ionen beinhaltet; und einen zweiten Inertmetallkontakt, der auf der Schicht des phasengetrennten Materials angeordnet ist. Die erste Phase des phasengetrennten Materials kann eine andere Konzentration der interstitiellen Ionen als die zweite Phase des phasengetrennten Materials aufweisen, so dass die erste Phase des phasengetrennten Materials eine andere elektrische Leitfähigkeit als die zweite Phase des phasengetrennten Materials aufweist. Ein Verfahren zum Betreiben des vorliegenden memristiven Bauelements wird ebenfalls bereitgestellt.

公开(公告)号：GB2496956B

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：GB201219636

申请日：2012-11-01

Applicant: IBM

Inventor： CHANDRA BHUPESH ,  MAAROUF AHMED ,  KASRY AMAL ,  MARTYNA GLENN JOHN ,  TULEVSKI GEORGE STOJAN ,  BOL AGEETH ANKE

IPC: H01B1/04 ,  H01L21/02 ,  H01L29/10 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786 ,  H01L31/0224 ,  H01L33/42 ,  H01L51/00 ,  H01L51/05

公开(公告)号：GB2485749A8

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：GB201205373

申请日：2010-12-03

Applicant: IBM

Inventor： LIU XIAO HU ,  KRUSIN-ELBAUM LIA ,  ELMEGREEN BRUCE GORDON ,  NEWNS DENNIS ,  MARTYNA GLENN JOHN ,  CHEN KUAN-NENG

IPC: H01L41/08

Abstract: A coupling structure for coupling piezoelectric material generated stresses to an actuated device of an integrated circuit includes a rigid stiffener structure formed around a piezoelectric (PE) material and the actuated device, the actuated device comprising a piezoresistive (PR) material that has an electrical resistance dependent upon an applied pressure thereto; and a soft buffer structure formed around the PE material and PR material, the buffer structure disposed between the PE and PR materials and the stiffener structure, wherein the stiffener structure clamps both the PE and PR materials to a substrate over which the PE and PR materials are formed, and wherein the soft buffer structure permits the PE material freedom to move relative to the PR material, thereby coupling stress generated by an applied voltage to the PE material to the PR material so as change the electrical resistance of the PR material.

公开(公告)号：GB2485749A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：GB201205373

申请日：2010-12-03

Applicant: IBM

Inventor： LIU XIAO HU ,  KRUSIN-ELBAUM LIA ,  ELMEGREEN BRUCE GORDON ,  NEWNS DENNIS ,  MARTYNA GLENN JOHN ,  CHEN KUAN-NENG

IPC: H01L41/08

Abstract: A coupling structure for coupling piezoelectric material generated stresses to an actuated device of an integrated circuit includes a rigid stiff ener structure formed around a piezoelectric (PE) material and the actuated device, the actuated device comprising a piezoresistive (PR) material that has an electrical resistance dependent upon an applied pressure thereto; and a soft buffer structure formed around the PE material and PR material, the buffer structure disposed between the PE and PR materials and the stiffener structure, wherein the stiffener structure clamps both the PE and PR materials to a substrate over which the PE and PR materials are formed, and wherein the soft buffer structure permits the PE material freedom to move relative to the PR material, thereby coupling stress generated by an applied voltage to the PE material to the PR material so as change the electrical resistance of the PR material.