公开(公告)号：DE112018003217B4

公开(公告)日：2021-04-08

申请号：DE112018003217

申请日：2018-06-14

Applicant: IBM

Inventor： BREW KEVIN WAYNE ,  NEWNS DENNIS ,  GERSHON TALIA SIMCHA ,  TODOROV TEODOR KRASSIMIROV ,  MARTYNA GLENN JOHN ,  KIM SEYOUNG

IPC: H01L45/00

Abstract: Memristives Bauelement, aufweisend:einen ersten Inertmetallkontakt;eine Schicht eines phasengetrennten Materials, das auf dem ersten Inertmetallkontakt angeordnet ist, wobei das phasengetrennte Material interstitielle Ionen aufweist; undeinen zweiten Inertmetallkontakt, der auf der Schicht des phasengetrennten Materials angeordnet ist,wobei das phasengetrennte Material ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus: Lithiumtitanoxid und Lithiumkobaltoxid.

公开(公告)号：DE112018001828T5

公开(公告)日：2019-12-12

申请号：DE112018001828

申请日：2018-06-01

Applicant: IBM

Inventor： BREW KEVIN ,  NEWNS DENNIS ,  KIM SEYOUNG ,  GERSHON TALIA SIMCHA ,  TODOROV TEODOR KRASSIMIROV

IPC: H01L27/12

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer memristiven Struktur für eine symmetrische Modulation zwischen Widerstandszuständen vorgelegt. Das Verfahren beinhaltet ein Bilden einer ersten Elektrode und einer zweiten Elektrode über einem isolierenden Substrat, ein Bilden einer Anode, die sich in Kontakt mit der ersten und der zweiten Elektrode befindet, ein Bilden eines lonenleiters über der Anode, ein Bilden einer Kathode aus dem gleichen Material wie jenem der Anode über dem lonenleiter, ein Bilden einer dritten Elektrode über der Kathode sowie ein Ermöglichen eines bidirektionalen Transports von Ionen zwischen der Anode und der Kathode, so dass eine Widerstandseinstellung der memristiven Struktur resultiert, wobei die Anode und die Kathode aus metastabilen gemischt-leitenden Materialien mit einer von der lonenkonzentration abhängigen Leitfähigkeit gebildet werden.

公开(公告)号：DE112018000134T5

公开(公告)日：2019-07-04

申请号：DE112018000134

申请日：2018-01-03

Applicant: IBM

Inventor： GERSHON TALIA SIMCHA ,  BREW KEVIN WAYNE ,  SINGH SAURABH ,  NEWNS DENNIS

IPC: H01L45/00

Abstract: Eine memristive Einheit beinhaltet eine erste leitfähige Materialschicht. Eine Oxidmaterialschicht ist auf der ersten leitfähigen Schicht angeordnet. Eine zweite leitfähige Materialschicht ist auf der Oxidmaterialschicht angeordnet, wobei die zweite leitfähige Schicht eine Metall-Alkali-Legierung aufweist.

公开(公告)号：DE112018003217T5

公开(公告)日：2020-03-19

申请号：DE112018003217

申请日：2018-06-14

Applicant: IBM

Inventor： BREW KEVIN WAYNE ,  NEWNS DENNIS ,  GERSHON TALIA SIMCHA ,  TODOROV TEODOR KRASSIMIROV ,  MARTYNA GLENN JOHN ,  KIM SEYOUNG

IPC: H01L21/00

Abstract: Bereitgestellt werden memristive Bauelemente auf Grundlage eines lonentransfers zwischen zwei metastabilen Phasen in einem Material mit interkalierten Ionen. Nach einem Aspekt wird ein memristives Bauelement bereitgestellt. Das memristive Bauelement beinhaltet: einen ersten Inertmetallkontakt; eine Schicht eines phasengetrennten Materials, das auf dem ersten Inertmetallkontakt angeordnet ist, wobei das phasengetrennte Material interstitielle Ionen beinhaltet; und einen zweiten Inertmetallkontakt, der auf der Schicht des phasengetrennten Materials angeordnet ist. Die erste Phase des phasengetrennten Materials kann eine andere Konzentration der interstitiellen Ionen als die zweite Phase des phasengetrennten Materials aufweisen, so dass die erste Phase des phasengetrennten Materials eine andere elektrische Leitfähigkeit als die zweite Phase des phasengetrennten Materials aufweist. Ein Verfahren zum Betreiben des vorliegenden memristiven Bauelements wird ebenfalls bereitgestellt.

公开(公告)号：GB2506556B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：GB201400400

申请日：2012-07-02

Applicant: IBM

Inventor： ELMEGREEN BRUCE GORDON ,  MARTYNA GLENN J ,  NEWNS DENNIS ,  ROSSNAGEL STEPHEN M ,  SOLOMAN PAUL MICHAEL

IPC: H01L41/09 ,  H01L41/08 ,  H01L49/00

Abstract: A 4-terminal piezoelectronic transistor (PET) which includes a piezoelectric (PE) material disposed between first and second electrodes; an insulator material disposed on the second electrode; a third electrode disposed on the insulator material and a piezoresistive (PR) material disposed between the third electrode and a fourth electrode. An applied voltage across the first and second electrodes causing a pressure from the PE material to be applied to the PR material through the insulator material, the electrical resistance of the PR material being dependent upon the pressure applied by the PE material. The first and second electrodes are electrically isolated from the third and fourth electrodes. Also disclosed are logic devices fabricated from 4-terminal PETs and a method of fabricating a 4-terminal PET.

公开(公告)号：DE112010004700T5

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：DE112010004700

申请日：2010-12-03

Applicant: IBM

Inventor： LIU XIAO HU ,  NEWNS DENNIS ,  KRUSIN-ELBAUM LIA ,  MARTYNA GIENN JOHN ,  ELMEGREEN BRUCE GORDON ,  CHEN KUAN-NENG

IPC: H01L27/20 ,  H01L41/04 ,  H01L41/107

Abstract: Eine Kopplungsstruktur zur Kopplung von in piezoelektrischem Material erzeugten mechanischen Spannungen mit einer betätigten Einheit eines integrierten Schaltkreises enthält eine starre Versteifungsstruktur, die um ein piezoelektrisches (PE) Material herum ausgebildet ist, und die betätigte Einheit, wobei die betätigte Einheit ein piezoresistives (PR) Material aufweist, die einen elektrischen Widerstand aufweist, der von dem darauf ausgeübten Druck abhängig ist; und eine weiche Pufferstruktur, die um das PE-Material und das PR-Material herum ausgebildet ist, wobei die Pufferstruktur zwischen dem PE- und dem PR-Material und der Versteifungsstruktur angeordnet ist, wobei die Versteifungsstruktur das PE- und das PR-Material an ein Substrat befestigt, über dem das PE- und das PR-Material gebildet werden, und wobei die weiche Pufferstruktur dem PE-Material Bewegungsfreiheit in Bezug auf das PR-Material ermöglicht, wodurch die mechanische Spannung, die durch eine an das PE-Material angelegte elektrische Spannung erzeugt wird, an das PR-Material so gekoppelt wird, dass sich der elektrische Widerstand des PR-Materials ändert.

公开(公告)号：GB2485749A8

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：GB201205373

申请日：2010-12-03

Applicant: IBM

Inventor： LIU XIAO HU ,  KRUSIN-ELBAUM LIA ,  ELMEGREEN BRUCE GORDON ,  NEWNS DENNIS ,  MARTYNA GLENN JOHN ,  CHEN KUAN-NENG

IPC: H01L41/08

Abstract: A coupling structure for coupling piezoelectric material generated stresses to an actuated device of an integrated circuit includes a rigid stiffener structure formed around a piezoelectric (PE) material and the actuated device, the actuated device comprising a piezoresistive (PR) material that has an electrical resistance dependent upon an applied pressure thereto; and a soft buffer structure formed around the PE material and PR material, the buffer structure disposed between the PE and PR materials and the stiffener structure, wherein the stiffener structure clamps both the PE and PR materials to a substrate over which the PE and PR materials are formed, and wherein the soft buffer structure permits the PE material freedom to move relative to the PR material, thereby coupling stress generated by an applied voltage to the PE material to the PR material so as change the electrical resistance of the PR material.

公开(公告)号：GB2485749A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：GB201205373

申请日：2010-12-03

Applicant: IBM

Inventor： LIU XIAO HU ,  KRUSIN-ELBAUM LIA ,  ELMEGREEN BRUCE GORDON ,  NEWNS DENNIS ,  MARTYNA GLENN JOHN ,  CHEN KUAN-NENG

IPC: H01L41/08

Abstract: A coupling structure for coupling piezoelectric material generated stresses to an actuated device of an integrated circuit includes a rigid stiff ener structure formed around a piezoelectric (PE) material and the actuated device, the actuated device comprising a piezoresistive (PR) material that has an electrical resistance dependent upon an applied pressure thereto; and a soft buffer structure formed around the PE material and PR material, the buffer structure disposed between the PE and PR materials and the stiffener structure, wherein the stiffener structure clamps both the PE and PR materials to a substrate over which the PE and PR materials are formed, and wherein the soft buffer structure permits the PE material freedom to move relative to the PR material, thereby coupling stress generated by an applied voltage to the PE material to the PR material so as change the electrical resistance of the PR material.

公开(公告)号：DE112010004700B4

公开(公告)日：2015-10-22

申请号：DE112010004700

申请日：2010-12-03

Applicant: IBM

Inventor： LIU XIAO HU ,  NEWNS DENNIS ,  KRUSIN-ELBAUM LIA ,  MARTYNA GIENN JOHN ,  ELMEGREEN BRUCE GORDON ,  CHEN KUAN-NENG

IPC: H01L27/20 ,  H01L41/04 ,  H01L41/107

Abstract: Kopplungsstruktur zur Kopplung von in piezoelektrischem Material erzeugten mechanischen Spannungen mit einer betätigten Einheit eines integrierten Schaltkreises, wobei die Struktur Folgendes aufweist: eine starre Versteifungsstruktur, die um ein piezoelektrisches Material und die betätigte Einheit herum ausgebildet ist, wobei die betätigte Einheit ein piezoresistives Material aufweist, das einen elektrischen Widerstand aufweist, der von dem darauf ausgeübten Druck abhängig ist, wobei die betätigte Einheit durch den auf das piezoresistive Material ausgeübten Druck eine Widerstandsänderung des piezoresistiven Materials vornimmt; und eine weiche Pufferstruktur, die aus einem Material mit niedrigem Elastizitätsmodul besteht und um das piezoelektrische Material und das piezoresistive Material herum ausgebildet ist, wobei die Pufferstruktur zwischen dem piezoelektrischen und piezoresistiven Material und der Versteifungsstruktur angeordnet ist, wobei die Versteifungsstruktur das piezoelektrische und das piezoresistive Material an ein Substrat klemmt, über dem das piezoelektrische und das piezoresistive Material ausgebildet sind, so dass eine Gesamtverformung des piezoelektrischen und des piezoresistiven Materials gering bleibt, und wobei die weiche Pufferstruktur dem piezoelektrischen Material Bewegungsfreiheit in Bezug auf das piezoresistive Material ermöglicht, wodurch die mechanische Spannung, die durch eine an das piezoelektrische Material angelegte elektrische Spannung erzeugt wird, an das piezoresistive Material so gekoppelt wird, dass sich der elektrische Widerstand des piezoresistiven Materials ändert.

公开(公告)号：DE112011102090B4

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：DE112011102090

申请日：2011-06-15

Applicant: IBM

Inventor： LUAN BINQUAN ,  NEWNS DENNIS ,  POLONSKY STANISLAV ,  PENG HONGBO ,  ROSSNAGEL STEPHEN ,  MARTYNA GLENN JOHN ,  STOLOVITZKY GUSTAVO ALEJANDRO ,  HARRER STEFAN ,  AFZALIARDAKANI ALI

IPC: B01L3/00 ,  B03C5/02 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  C12Q1/68 ,  G01N33/487

Abstract: Nanofluidische Feldeffekteinheit, aufweisend: einen nanofluidischen Kanal, der eine erste Seite und eine zweite Seite aufweist; einen ersten Satz von Elektroden angrenzend an die erste Seite des nanofluidischen Kanals; einen zweiten Satz von Elektroden angrenzend an die zweite gegenüberliegende Seite des nanofluidischen Kanals; und eine Steuereinheit zum Anlegen eines elektrischen Potentials an eine Elektrode; wobei die Elektroden des ersten Satzes von Elektroden so angeordnet sind, dass, wenn sich ein Fluid mit einem geladenen Molekül in dem nanofluidischen Kanal befindet, durch das Anlegen des elektrischen Potentials an den ersten Satz von Elektroden ein sich räumlich veränderndes elektrisches Feld erzeugt wird, das das geladene Molekül in einem festgelegten Bereich des Kanals einschließt; und wobei die Elektroden des zweiten Satzes von Elektroden so gegenüber dem ersten Satz von Elektroden angeordnet sind, dass durch Anlegen des elektrischen Potentials an den zweiten Satz von Elektroden relativ zu dem an den ersten Satz von Elektroden angelegten elektrischen ...