公开(公告)号：JP2004363104A

公开(公告)日：2004-12-24

申请号：JP2004163993

申请日：2004-06-02

Applicant: Internatl Business Mach Corp ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation

Inventor： KARG SIEGFRIED F ,  RIEL HEIKE E ,  RIESS WALTER H

IPC: H05B33/10 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  H01L51/50 ,  H01L51/56 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L51/0004 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/56

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing an electronic device having a pattern formed on the surface by deposition materials. SOLUTION: This is related to the method of forming an FET, especially, a high definition color (RGB) display. The forming method of the organic electronic device includes a process in which the deposition materials are heated and pressurized in order to form molten products and a process in which the molten deposition materials are layered on the surface using a phase-change printing technology or spraying technology. The molten deposition materials are coagulated on the surface. COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

公开(公告)号：GB2485495B

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：GB201200880

申请日：2010-08-30

Applicant: IBM

Inventor： BJOERK MIKAEL T ,  KARG SIEGFRIED FRIEDRICH ,  KNOCH JOACHIM ,  RIEL HEIKE E ,  RIESS WALTER H ,  SOLOMON PAUL M

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: An indirectly induced tunnel emitter for a tunneling field effect transistor (TFET) structure includes an outer sheath that at least partially surrounds an elongated core element, the elongated core element formed from a first semiconductor material; an insulator layer disposed between the outer sheath and the core element; the outer sheath disposed at a location corresponding to a source region of the TFET structure; and a source contact that shorts the outer sheath to the core element; wherein the outer sheath is configured to introduce a carrier concentration in the source region of the core element sufficient for tunneling into a channel region of the TFET structure during an on state.

公开(公告)号：DE112010003495T5

公开(公告)日：2012-09-20

申请号：DE112010003495

申请日：2010-08-30

Applicant: IBM

Inventor： KARG SIEGFRIED ,  BJOERK MIKAEL T ,  KNOCH JOACHIM ,  RIEL HEIKE ,  RIESS WALTER H ,  SOLOMON PAUL M

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: Ein indirekt induzierter Tunnelemitter für eine Tunnelfeldeffekttransistor(TFET)-Struktur umfasst einen äußeren Mantel, der zumindest teilweise ein längliches Kernelement umgibt, wobei das längliche Kernelement aus einem ersten Halbleitermaterial gebildet ist; eine Isolatorschicht, die zwischen dem äußeren Mantel und dem Kernelement angeordnet ist; wobei der äußere Mantel an einer Stelle angeordnet ist, die einer Source-Zone der TFET-Struktur entspricht; und einen Source-Kontakt, der den äußeren Mantel mit dem Kernelement kurzschließt; wobei der äußere Mantel so aufgebaut ist, dass er in die Source-Zone des Kernelements eine Ladungsträgerkonzentration einführt, die zum Tunneln in eine Kanalzone der TFET-Struktur während eines EIN-Zustands ausreicht.

公开(公告)号：GB2515217A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：GB201416222

申请日：2013-04-25

Applicant: IBM

Inventor： DUERIG URS T ,  HOLZNER FELIX ,  KNOLL ARMIN W ,  RIESS WALTER H

IPC: C25D13/04 ,  C25D13/02 ,  C25D13/22 ,  H01L21/768

Abstract: The present invention is notably directed to apparatuses and methods for positioning nano- objects (20) on a surface. The method comprises: providing (S10 S50) two surfaces (15, 17) including a first surface (15) and a second surface (17) in vis-Ã -vis, wherein at least one of the two surfaces exhibits one or more positioning structures (16, 16a) having dimensions on the nanoscale; and a ionic liquid suspension (30) of the nano-objects between the two surfaces, wherein each of the surfaces forms an electrical double layer with the ionic liquid suspension, each of the two surfaces having a same electrical charge sign; and letting (S60) nano-objects in the suspension position according to a potential energy (31) resulting from the electrical charge of the two surfaces and depositing (S70) one or more of the nano-objects on the first surface according to the positioning structures, by shifting minima (32) of the potential energy towards the first surface.

公开(公告)号：DE112010003495B4

公开(公告)日：2013-12-12

申请号：DE112010003495

申请日：2010-08-30

Applicant: IBM

Inventor： KARG SIEGFRIED ,  BJOERK MIKAEL T ,  KNOCH JOACHIM ,  RIEL HEIKE ,  RIESS WALTER H ,  SOLOMON PAUL M

IPC: H01L29/68 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: Tunnelfeldeffekttransistor-Struktur mit einem indirekt induzierten Tunnelemitter, welcher das folgende umfasst: einen äußeren Mantel, welcher zumindest teilweise ein längliches Kernelement umgibt, wobei das längliche Kernelement aus einem ersten Halbleitermaterial gebildet ist; eine Isolatorschicht, welche zwischen dem äußeren Mantel und dem Kernelement angeordnet ist; wobei der äußere Mantel an einer Stelle angeordnet ist, die einer Source-Zone der Tunnelfeldeffekttransistor-Struktur entspricht; und einen Source-Kontakt, der den äußeren Mantel mit dem Kernelement kurzschließt; wobei der äußere Mantel so aufgebaut ist, dass er in die Source-Zone des Kernelements eine Ladungsträgerkonzentration einführt, die zum Tunneln in eine Kanalzone der Tunnelfeldeffekttransistor-Struktur während eines EIN-Zustands ausreicht.

公开(公告)号：GB2485495A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：GB201200880

申请日：2010-08-30

Applicant: IBM

Inventor： BJOERK MIKAEL T ,  KARG SIEGFRIED F ,  KNOCH JOACHIM ,  RIEL HEIKE E ,  RIESS WALTER H ,  SOLOMON PAUL M

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: An indirectly induced tunnel emitter for a tunneling field effect transistor (TFET) structure includes an outer sheath that at least partially surrounds an elongated core element, the elongated core element formed from a first semiconductor material; an insulator layer disposed between the outer sheath and the core element; the outer sheath disposed at a location corresponding to a source region of the TFET structure; and a source contact that shorts the outer sheath to the core element; wherein the outer sheath is configured to introduce a carrier concentration in the source region of the core element sufficient for tunneling into a channel region of the TFET structure during an on state.