公开(公告)号：EP2140458A4

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：EP07867608

申请日：2007-12-04

Applicant: IBM

Inventor： GAIDIS MICHAEL C ,  CLEVENGER LAWRENCE A ,  DALTON TIMOTHY J ,  DEBROSSE JOHN K ,  HSU LOUIS L C ,  RADENS CARL ,  WONG KEITH K H ,  YANG CHIH-CHAO

IPC: G11C19/08 ,  G11B5/008

CPC classification number: G11C19/0841 ,  B82Y10/00 ,  G11C5/02 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  Y10T29/53165

公开(公告)号：DE112012003981T5

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：DE112012003981

申请日：2012-09-14

Applicant: IBM

Inventor： CARTIER EDUARD A ,  WANG YANFENG ,  WONG KEITH K H ,  GREENE BRIAN J ,  GUO DECHAO ,  WANG GAN

IPC: H01L21/00

Abstract: Es werden FinFET-Strukturen und Verfahren zum Fertigen der FinFET-Strukturen offenbart. Das Verfahren beinhaltet ein Durchführen eines Sauerstofftemperprozesses an einem Gate-Stapel einer FinFET-Struktur, um eine Vt-Verschiebung hervorzurufen. Der Sauerstofftemperprozess wird nach einem Abtragen der Seitenwand und nach einer Silicidierung durchgeführt. Eine Struktur weist eine Vielzahl von Finnenstrukturen auf, die aus einer Halbleiterdünnschicht strukturiert worden sind. Die Struktur weist des Weiteren einen Gate-Stapel auf, der die Vielzahl von Finnenstrukturen umhüllt. Der Gate-Stapel beinhaltet ein dielektrisches High-k-Material, das einer seitlichen Sauerstoffdiffusion unterzogen wird, um eine Vt-Verschiebung des Gate-Stapels hervorzurufen.