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1.发明专利
公开(公告)号：JP2011100972A
公开(公告)日：2011-05-19
申请号：JP2010191883
申请日：2010-08-30
Applicant: Internatl Business Mach Corp
, インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation Inventor： DAMON B FARMER , XIA FENGNIAN , AVOURIS PHAEDON
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/05 , H01L51/30
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L29/66742 , H01L29/78606 , H01L29/78684
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To utilize an organic buffer layer to fabricate a high performance carbon nanoelectronic device.
SOLUTION: A fabrication process for the nanoelectronic device and the device are provided. A channel material is deposited on a substrate to form a channel. A source metal contact and a drain metal contact are deposited on the channel material, and the source metal contact and the drain metal contact are on opposing ends of the channel material. A polyhydroxystyrene derivative is deposited on the channel material. A top gate oxide is deposited on a polymer layer. A top gate metal is deposited on the top gate oxide.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPITAbstract translation: 要解决的问题：利用有机缓冲层制造高性能碳纳米电子器件。 解决方案：提供了一种用于纳米电子器件和器件的制造工艺。 通道材料沉积在衬底上以形成通道。 源极金属触点和漏极金属触点沉积在沟道材料上，源极金属触点和漏极金属触点位于沟道材料的相对端上。 多羟基苯乙烯衍生物沉积在通道材料上。 顶栅氧化物沉积在聚合物层上。 顶栅极金属沉积在顶栅氧化物上。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT
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公开(公告)号：WO2011023603A3
公开(公告)日：2011-11-03
申请号：PCT/EP2010061986
申请日：2010-08-17
Applicant: IBM , XIA FENGNIAN , AVOURIS PHAEDON , MUELLER THOMAS , LIN YU-MING
Inventor： XIA FENGNIAN , AVOURIS PHAEDON , MUELLER THOMAS , LIN YU-MING
CPC classification number: H01L51/428 , H01L29/1606 , H01L31/02327 , H01L31/035209 , H01L31/101 , Y02E10/549
Abstract: A photodetector which uses single or multi-layer graphene on a gate oxide layer (12) as the photon detecting layer (14) is disclosed. Multiple embodiments are disclosed with different configurations of the source (8), drain (6) and gate (10) electrodes. In addition, a photodetector array comprising multiple photodetecting elements is disclosed for applications such as imaging and monitoring. An optical waveguide underlying the graphene layer (14) may be embedded into substrate (10) or gate oxide layer (12) in order to channel photons towards graphene layer (14).
Abstract translation: 公开了一种在栅极氧化物层（12）上使用单层或多层石墨烯作为光子检测层（14）的光电检测器。 公开了具有源（8），漏极（6）和栅极（10）电极的不同配置的多个实施例。 此外，公开了包括多个光电检测元件的光电探测器阵列，用于诸如成像和监视的应用。 石墨烯层（14）下面的光波导可以嵌入衬底（10）或栅极氧化物层（12）中，以将光子传导到石墨烯层（14）。
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公开(公告)号：DE102013210161A1
公开(公告)日：2013-12-19
申请号：DE102013210161
申请日：2013-05-31
Applicant: IBM
Inventor： AVOURIS PHAEDON , GARCIA ALBERTO V , SUNG CHUN-YUNG , XIA FENGNIAN , YAN HUGEN
IPC: H01Q17/00
Abstract: Strukturen und Verfahren zum Verdecken eines Objekts vor elektromagnetischer Strahlung bei den Mikrowellen- und Terahertz-Frequenzen beinhalten das Aufbringen einer Vielzahl von dünnen Lagen aus Graphen um das Objekt herum. Zwischenschichten aus einem transparenten dielektrischen Material können zwischen den dünnen Lagen aus Graphen aufgebracht sein, um die Leistungsfähigkeit zu optimieren. In weiteren Ausführungsformen kann das Graphen in eine Anstrichformulierung oder ein Gewebe formuliert und an dem Objekt angebracht sein. Die Strukturen und Verfahren absorbieren wenigstens einen Anteil der elektromagnetischen Strahlung bei den Mikrowellen- und Terabyte-Frequenzen.
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4.发明专利
公开(公告)号：DE102012220731B4
公开(公告)日：2017-04-13
申请号：DE102012220731
申请日：2012-11-14
Applicant: IBM
Inventor： AFZALI-ARDAKANI ALI , CHANDRA BHUPESH , TULEVSKI GEORGE STOJAN , XIA FENGNIAN
IPC: H01L29/786 , B82Y10/00 , H01L21/28 , H01L21/335 , H01L29/16
Abstract: Verfahren zum Dotieren einer Graphen- oder Kohlenstoff-Nanoröhrchen-Dünnschichttransistor-Feldeffekttransistoreinheit zum Verringern des Kontaktwiderstands mit einer Metallelektrode, aufweisend: selektives Aufbringen eines Dotierstoffs aus Cer(IV)-Salz auf einen Metallkontaktbereich der Graphen- oder Kohlenstoff-Nanoröhrchen-Dünnschichttransistor-Feldeffekttransistoreinheit zum Verringern des Kontaktwiderstands an der Metall-CNT/Graphen-Grenzfläche.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102013210162B4
公开(公告)日：2020-01-23
申请号：DE102013210162
申请日：2013-05-31
Applicant: IBM
Inventor： AVOURIS PHAEDON , GARCIA ALBERTO VALDES , SUNG CHUN-YUNG , XIA FENGNIAN , YAN HUGEN
Abstract: Struktur zum Abschirmen elektromagnetischer Störungen, um elektromagnetische Strahlung abzuschirmen, die bei Frequenzen von einer Quelle emittiert wird, die höher als ein Megahertz sind, wobei diese aufweist:eine oder mehrere dünne Lagen aus Graphen, wobei wenigstens eine der dünnen Lagen aus Graphen mit einem Dotierstoff dotiert ist, der eine Dotierstoffkonzentration in einer Menge aufweist, die dahingehend wirksam ist, dass elektromagnetische Strahlung bei Frequenzen absorbiert wird, die höher als 1 Megahertz sind, wobei die Dotierstoffkonzentration (n) zwischen den Grenzen 10cm> n > 10cmoder 10cm> n > 0 cmliegt.
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公开(公告)号：GB2497175B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：GB201220379
申请日：2012-11-13
Applicant: IBM
Inventor： CHANDRA BHUPESH , AFZALI-ARDAKANI ALI , TULEVSKI GEORGE STOJAN , XIA FENGNIAN
Abstract: A method and an apparatus for doping at least one of a graphene and a nanotube thin-film transistor field-effect transistor device to decrease contact resistance with a metal electrode. The method includes selectively applying a dopant to a metal contact region of at least one of a graphene and a nanotube field-effect transistor device to decrease the contact resistance of the field-effect transistor device.
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公开(公告)号：DE102013210162A1
公开(公告)日：2013-12-19
申请号：DE102013210162
申请日：2013-05-31
Applicant: IBM
Inventor： AVOURIS PHAEDON , GARCIA ALBERTO VALDES , SUNG CHUN-YUNG , XIA FENGNIAN , YAN HUGEN
Abstract: Strukturen zum Abschirmen elektromagnetischer Störungen und Verfahren zum Abschirmen eines Objekts vor elektromagnetischer Strahlung bei Frequenzen, die höher als ein Megahertz sind, beinhalten im Allgemeinen das Bereitstellen hoch dotierter dünner Lagen aus Graphen um das abzuschirmende Objekt herum. Die hoch dotierten dünnen Lagen aus Graphen können eine Dotierstoffkonzentration, die höher als > 1e1013 cm–2 ist, die dahingehend wirksam ist, dass die elektromagnetische Strahlung reflektiert wird, oder eine Dotierstoffkonzentration von 1e1013 cm–2 > n > 0 cm–2 aufweisen, die dahingehend wirksam ist, dass die elektromagnetische Strahlung absorbiert wird.
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公开(公告)号：GB2497175A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：GB201220379
申请日：2012-11-13
Applicant: IBM
Inventor： CHANDRA BHUPESH , AFZALI-ARDAKANI ALI , TULEVSKI GEORGE STOJAN , XIA FENGNIAN
Abstract: A method for doping a graphene and carbon nanotube thin-film transistor field-effect transistor device to decrease contact resistance with a metal electrode, comprising; selectively applying a dopant to a metal contact region of a graphene and nanotube field-effect transistor device. Also disclosed are graphene and nanotube thin-film, field effect transistors: where the dopant is disposed on the graphene/nanotube layer 140 and the metal electrodes formed thereafter; and where the graphene/nanotube layer is formed over the metal electrodes and the dopant is selectively applied to the areas above the dopant, respectively. The dopant may be one of cerium ammonium nitrate, cerium ammonium sulphate, ruthenium bipyridyl complex or triethyloxonium hexachloro antimonate. The dopant may be provided in a solution, where the solvent may be one of dichloroethane, alcohol or dichlorobenzene. The dopant may be applied to the transistor by immersing the transistor in the solution for a predetermined time.
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公开(公告)号：DE102012220731A1
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：DE102012220731
申请日：2012-11-14
Applicant: IBM
Inventor： AFZALI-ARDAKANI ALI , CHANDRA BHUPESH , TULEVSKI GEORGE STOJAN , XIA FENGNIAN
IPC: H01L29/786 , B82Y99/00 , H01L21/335
Abstract: Ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Dotieren einer Graphen-und-Nanoröhrchen-Dünnschichttransistor-Feldeffekttransistoreinheit zum Verringern des Kontaktwiderstands mit einer Metallelektrode. Das Verfahren weist das selektive Aufbringen eines Dotierstoffs auf einen Metallkontaktbereich einer Graphen-und-Nanoröhrchen-Feldeffekttransistoreinheit zum Verringern des Kontaktwiderstands der Feldeffekttransistoreinheit auf.
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