公开(公告)号：EP1680224A4

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：EP04789179

申请日：2004-09-28

Applicant: IBM

Inventor： HUMENIK JAMES N ,  NATARAJAN GOVINDARAJAN ,  BISHNOI SANDRA W ,  YOUNG ALBERT

IPC: B01L3/02 ,  B01L3/00 ,  B01L9/00 ,  B01L99/00

CPC classification number: B01L9/527 ,  B01L3/5025 ,  B01L3/502707 ,  B01L3/50857 ,  B01L2200/025 ,  B01L2300/0887

Abstract: A plate (100) for use in mixing and testing materials in the pharmaceutical industry is formed by a method in which an array of sample cells (110) contain a U -shaped structure having two vertical apertures (121, 123) connected by a horizontal passage (126) in a bottom sheet; reagents are drawn in to the vertical passages by capillary action and react in the horizontal passage. An optional version of the invention includes a relatively large reservoir (680) for containing rinsing fluids.

公开(公告)号：WO2005032448A3

公开(公告)日：2005-12-15

申请号：PCT/US2004031833

申请日：2004-09-28

Applicant: IBM ,  HUMENIK JAMES N ,  NATARAJAN GOVINDARAJAN ,  BISHNOI SANDRA W ,  YOUNG ALBERT

Inventor： HUMENIK JAMES N ,  NATARAJAN GOVINDARAJAN ,  BISHNOI SANDRA W ,  YOUNG ALBERT

IPC: B01L3/00 ,  B01L9/00 ,  B01L99/00 ,  B01L3/02

CPC classification number: B01L9/527 ,  B01L3/5025 ,  B01L3/502707 ,  B01L3/50857 ,  B01L2200/025 ,  B01L2300/0887

Abstract: A plate (100) for use in mixing and testing materials in the pharmaceutical industry is formed by a method in which an array of sample cells (110) contain a U -shaped structure having two vertical apertures (121, 123) connected by a horizontal passage (126) in a bottom sheet; reagents are drawn in to the vertical passages by capillary action and react in the horizontal passage. An optional version of the invention includes a relatively large reservoir (680) for containing rinsing fluids.

Abstract translation: 用于在制药工业中混合和测试材料的板（100）通过以下方法形成，其中，样品池（110）的阵列包含具有两个垂直孔（121,123）的U形结构，所述两个垂直孔通过水平 通道（126）在底部片材中; 试剂通过毛细作用被吸入垂直通道并在水平通道中反应。 本发明的可选形式包括用于容纳冲洗流体的相对较大的容器（680）。

公开(公告)号：DE112022005536B4

公开(公告)日：2025-03-06

申请号：DE112022005536

申请日：2022-11-22

Applicant: IBM

Inventor： XIE RUILONG ,  CHOI KISIK ,  GHOSH SOMNATH ,  MUKESH SAGARIKA ,  CHU ALBERT ,  YOUNG ALBERT ,  PRANATHARTHIHARAN BALASUBRAMANIAN ,  BU HUIMING ,  ZHAO KAI ,  ARNOLD JOHN CHRISTOPHER ,  ANDERSON BRENT ,  GUO DECHAO

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  H10D84/83 ,  H10D84/85

Abstract: Einheit (400), aufweisend:eine erste Verbindungsstruktur (470);eine zweite Verbindungsstruktur (490);eine erste Zelle (C1), welche einen ersten Transistor (420-2; 420-3) aufweist;eine zweite Zelle (C2; C3), welche einen zweiten Transistor (420-1; 420-4) aufweist, wobei der erste und der zweite Transistor (420-2, 420-1; 420-3, 420-4) ein Gabelblatt-Feldeffekttransistor-Paar mit einer dielektrischen Wand (417) umfassen, die zwischen dem ersten und dem zweiten Transistor angeordnet ist, wobei eine Breite der dielektrischen Wand einen Abstand von Zelle zu Zelle zwischen der ersten und der zweiten Zelle definiert;einen ersten Kontakt (460; 461), welcher ein Source/Drain-Element (422; 424) des ersten Transistors mit der ersten Verbindungsstruktur verbindet; undeinen zweiten Kontakt (481; 482), welcher ein Source/Drain-Element (422; 424) des zweiten Transistors mit der zweiten Verbindungsstruktur verbindet;wobei die erste Zelle in Nachbarschaft zu der zweiten Zelle angeordnet ist, wobei der erste Transistor in Nachbarschaft zu dem zweiten Transistor angeordnet ist; undwobei die erste und die zweite Zelle zwischen der ersten und der zweiten Verbindungsstruktur angeordnet sind.