公开(公告)号：DE102017117442B3

公开(公告)日：2019-01-24

申请号：DE102017117442

申请日：2017-08-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FINNEY ADRIAN ,  BODEA MARIUS AUREL

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: Ein Transistorbauelement und ein Verfahren werden beschrieben. Das Transistorbauelement umfasst einen Halbleiterkörper mit einer ersten Oberfläche, einem Innengebiet und einem Randgebiet, einem Driftgebiet eines ersten Dotierungstyps in dem Innengebiet und dem Randgebiet, mehrere Transistorzellen in dem Innengebiet und eine Abschlussstruktur in dem Randgebiet. Die Abschlussstruktur umfasst eine Aussparung, die sich von der ersten Oberfläche in dem Randgebiet in den Halbleiterkörper erstreckt, wenigstens ein floatendes Kompensationsgebiet mit Dotierstoffatomen eines zu dem ersten Dotierungstyp komplementären zweiten Dotierungstyps in dem Driftgebiet benachbart der Aussparung.

公开(公告)号：DE102016111836A1

公开(公告)日：2017-12-28

申请号：DE102016111836

申请日：2016-06-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FINNEY ADRIAN ,  KROTSCHECK OSTERMANN THOMAS ,  KOTZ DIETMAR ,  CAZIMIROVICI RADU-EUGEN

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800) weist eine Schutzstruktur auf. Die Schutzstruktur befindet sich lateral zwischen einem ersten aktiven Bereich (110) eines Halbleitersubstrats (102) des Halbleiterbauelements und einem zweiten aktiven Bereich (120) des Halbleitersubstrats (102). Die Schutzstruktur umfasst eine erste Dotierungsregion (132), die sich an einer Vorderseitenoberfläche des Halbleitersubstrats (102) befindet, und eine Verdrahtungsstruktur (134). Die Verdrahtungsstruktur (134) verbindet elektrisch die erste Dotierungsregion (132) der Schutzstruktur mit einem hoch dotierten Abschnitt (152) einer gemeinsamen Dotierungsregion. Die gemeinsame Dotierungsregion erstreckt sich von einer Rückseitenoberfläche des Halbleitersubstrats (102) zu zumindest einem Teil der Vorderseitenoberfläche des Halbleitersubstrats (102) in Kontakt mit der Verdrahtungsstruktur (134) der Schutzstruktur. Ferner umfasst das Halbleiterbauelement eine Randabschlussdotierungsregion (140). Die Randabschlussdotierungsregion (140) umgibt lateral den ersten aktiven Bereich (110) und den zweiten aktiven Bereich (120). Die Randabschlussdotierungsregion (140) und die erste Dotierungsregion (132) der Schutzstruktur weisen einen ersten Leitfähigkeitstyp auf. Die gemeinsame Dotierungsregion weist einen zweiten Leitfähigkeitstyp auf. Eine resistive Verbindung (142) existiert zwischen der Randabschlussdotierungsregion (140) und der ersten Dotierungsregion (132) der Schutzstruktur zumindest während des Auftritts von Rückwärtsbetriebszuständen des Halbleiterbauelements.

公开(公告)号：DE102012014860A1

公开(公告)日：2014-05-15

申请号：DE102012014860

申请日：2012-07-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： COBZARU ANDREI ,  FINNEY ADRIAN ,  GLASER ULRICH ,  GUERRERO GILLES ,  MATEI BOGDAN-EUGEN ,  MAYERHOFER MICHAEL ,  MERGENS MARKUS

IPC: H01L23/60 ,  H01L29/78

Abstract: Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine zweistufige Schutzvorrichtung für ein elektronisches Bauelement gegen Störpulse. Störpulse können elektrische Strom- oder Spannungspulse sein. Beispiel für Störpulse umfassen elektrostatische Entladungs-(ESD)Pulse, Ab- und/oder Anschaltstörungen. Das elektronische Bauelement kann ein Halbleiterbauelement sein und einen oder mehrere Transistoren und/oder ein integrierten Schaltkreis umfassen. Die Schutzvorrichtung ist mit zumindest einem ersten Kontakt und einem zweiten Kontakt eines elektronischen Bauelements verbunden bzw. zwischen dem ersten Kontakt und einem zweiten Kontakt im Wesentlichen parallel zu dem zu schützenden Bauelement angeordnet. Die Schutzvorrichtung umfasst eine erste Stufe mit zumindest einer Diode und eine zweite Stufe, welche von der ersten Stufe über zumindest einen Widerstand getrennt ist. Die zweite Stufe umfasst zumindest eine Diodenanordnung mit zumindest zwei antiseriell angeordneten Dioden, welche mit ihren Kathoden zueinander angeordnet sind.

公开(公告)号：DE102019135495B3

公开(公告)日：2021-05-12

申请号：DE102019135495

申请日：2019-12-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FINNEY ADRIAN ,  KRISCHKE NORBERT ,  RACKI MATHIAS

IPC: H01L27/07 ,  G01K7/01

Abstract: Eine Halbleiteranordnung ist beschrieben. Die Halbleiteranordnung umfasst: einen Halbleiterkörper (100) und einen in dem Halbleiterkörper (100) integrierten Temperatursensor (TES). Der Temperatursensor (TES) umfasst: ein erstes Halbleitergebiet (11) eines ersten Dotierungstyps, der in einer vertikalen Richtung (z) des Halbleiterkörpers (100) zwischen einem zweiten Halbleitergebiet (21) eines zweiten Dotierungstyps und einem dritten Halbleitergebiet (30) des zweiten Dotierungstyps angeordnet ist, und einen Kontaktstöpsel (4; 41), der das erste Halbleitergebiet (11) und das zweite Halbleitergebiet (21) ohmsch verbindet. Das erste Halbleitergebiet (11) umfasst einen Basisgebietsabschnitt (111), der zu dem Kontaktstöpsel (4; 41) in einer ersten lateralen Richtung (x) des Halbleiterkörpers (100) beabstandet ist, und einen Widerstandsabschnitt (112), der zwischen dem Basisgebietsabschnitt (111) und dem Kontaktstöpsel (4; 41) angeordnet ist, wobei der Widerstandsabschnitt (112) so realisiert ist, dass ein ohmscher Widerstand des Widerstandsabschnitts (112) zwischen dem Basisgebietsabschnitt (111) und dem ersten Halbleitergebiet (21) wenigstens 1 MΩ beträgt.

公开(公告)号：DE102015112305A1

公开(公告)日：2016-02-04

申请号：DE102015112305

申请日：2015-07-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MOHAI DORIN IOAN ,  COBZARU ANDREI ,  CRISTEA ILIE-IONUT ,  FINNEY ADRIAN ,  MATEI BOGDAN-EUGEN

IPC: H01L27/06

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst ein Halbleitersubstrat, das mit Dotierungsstoffen einer ersten Art dotiert ist; und einen Vertikaltransistor, der aus einer oder mehreren Transistorzellen besteht. Jede Transistorzelle weist ein erstes Gebiet, das im Substrat gebildet und mit Dotierungsstoffen einer zweiten Art dotiert ist, auf und die ersten Gebiete bilden erste pn-Übergänge mit dem umgebenden Substrat. Zumindest ein erstes Wannengebiet ist im Substrat gebildet und mit Dotierungsstoffen einer zweiten Art dotiert, um einen zweiten pn-Übergang mit dem Substrat zu bilden. Das erste Wannengebiet ist über einen Halbleiterschalter mit den ersten Gebieten des Vertikaltransistors elektrisch verbunden. Die Halbleitervorrichtung umfasst eine Erfassungsschaltung, die im Substrat integriert ist und dazu ausgestaltet ist, zu erfassen, ob die ersten pn-Übergänge in Sperrrichtung vorgespannt sind. Der Schalter wird geschlossen, wenn die pn-Übergänge in Sperrrichtung vorgespannt sind, und der Schalter wird geöffnet, wenn die ersten pn-Übergänge nicht in Sperrrichtung vorgespannt sind.

公开(公告)号：DE102020107747A1

公开(公告)日：2020-09-24

申请号：DE102020107747

申请日：2020-03-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FINNEY ADRIAN ,  BOIANCEANU CRISTIAN MIHAI

IPC: H01L27/085 ,  H01L23/58 ,  H01L27/06

Abstract: Eine Transistoranordnung und eine elektronische Schaltung mit einer Transistoranordnung werden beschrieben. Die Transistoranordnung umfasst: ein Drift- und Draingebiet (10), das in einem Halbleiterkörper (100) angeordnet ist und an einen Drainknoten (D) angeschlossen ist; wenigstens eine Lasttransistorzelle (20), die ein Sourcegebiet (21) aufweist, das in einem ersten aktiven Gebiet (110) des Halbleiterkörpers (100) integriert ist; wenigstens eine Erfassungstransistorzelle (20), die ein Sourcegebiet (21) aufweist, das in einem zweiten aktiven Gebiet (120) des Halbleiterkörpers (100) integriert ist; einen ersten Sourceknoten (S1), der elektrisch an das Sourcegebiet (21) der wenigstens einen Lasttransistorzelle (20) gekoppelt ist; einen zweiten Sourceknoten (S2), der elektrisch an das Sourcegebiet (21) der wenigstens einen Erfassungstransistorzelle (20) gekoppelt ist; und einen Kompensationswiderstand (40), der zwischen das Sourcegebiet (21) der wenigstens einen Erfassungstransistorzelle (20) und den zweiten Sourceknoten (S2 geschaltet ist. Der Kompensationswiderstand (40) ist in dem Halbleiterkörper (100) integriert und weist einen resistiven Leiter (41) auf, und der resistive Leiter (41) weist ein dotiertes Halbleitermaterial auf.

公开(公告)号：DE102016100800A1

公开(公告)日：2016-07-28

申请号：DE102016100800

申请日：2016-01-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FINNEY ADRIAN ,  MATEI BOGDAN-EUGEN

IPC: H03K17/08

Abstract: Eine monolithische integrierte Schaltung weist eine Niederspannungssteuerschaltung, einen vertikalen Leistungstransistor und einen Sourcefolger auf. Der vertikale Leistungstransistor weist mindestens ein Drain auf. Der Sourcefolger umfasst ein Drain, das mit dem Drain des vertikalen Leistungstransistors gekoppelt ist, ein Gate, das mit einem Grenzspannungsknoten gekoppelt ist, und ein Source, das mit einem hochohmigen Knoten gekoppelt ist. Der Sourcefolger ist derart ausgelegt, dass eine Sourcespannung am Source des Sourcefolgers eine spannungsbegrenzte Version der Drainspannung des vertikalen Leistungstransistors ist. Die Niederspannungssteuerschaltung weist eine Treiber- und Schutzschaltung auf, die so ausgelegt ist, dass sie die Sourcespannung erfasst, den vertikalen Leistungstransistor ansteuert und wenigstens teilweise basierend auf der Sourcespannung einstellt, wie der vertikale Leistungstransistor vorgespannt wird.

公开(公告)号：DE102015112306A1

公开(公告)日：2016-02-04

申请号：DE102015112306

申请日：2015-07-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MOHAI DORIN IOAN ,  APOSTOL ADRIAN ,  COBZARU ANDREI ,  DANCHIV ANDREI ,  FINNEY ADRIAN

IPC: H01L27/06

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst ein Substrat, das einen Vertikaltransistor umfasst und Dotierungsstoffe einer ersten Art aufweist. Jede Transistorzelle eines Transistors hat ein Bodygebiet, das im Substrat gebildet und Dotierungsstoffe einer zweiten Art aufweist. Die Bodygebiete bilden erste pn-Übergänge mit dem Substrat. Ein erstes Wannengebiet ist im Substrat gebildet und weist Dotierungsstoffe einer zweiten Art auf, wobei das Wannengebiet einen zweiten pn-Übergang mit dem Substrat bildet. Ein Schalter verbindet dieses erste Wannengebiet mit den Bodygebieten. Ein zweites Wannengebiet wird im Substrat gebildet und weist Dotierungsstoffe einer zweiten Art auf, um einen dritten pn-Übergang mit dem Substrat zu bilden. Eine Erfassungsschaltung ist im zweiten Wannengebiet integriert, um zu erfassen, ob die ersten pn-Übergänge in Sperrrichtung vorgespannt sind. Der Schalter verbindet oder trennt das erste Wannengebiet bzw. die ersten Wannengebiet und die Bodygebiete der Transistorzelle und wird geöffnet, wenn die ersten pn-Übergänge in Sperrrichtung vorgespannt sind, und geschlossen, wenn die ersten pn-Übergänge nicht in Sperrrichtung vorgespannt sind.

公开(公告)号：DE102015112728B4

公开(公告)日：2019-12-12

申请号：DE102015112728

申请日：2015-08-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FINNEY ADRIAN ,  DEL CROCE PAOLO ,  PETRUZZI LUCA ,  KRISCHKE NORBERT

IPC: H01L23/58 ,  H01L21/76 ,  H01L21/8248 ,  H01L27/06

Abstract: Halbleitervorrichtung, umfassend:ein Halbleitersubstrat (106), das eine erste Hauptoberfläche (110) und eine entgegengesetzt angeordnete zweite Hauptoberfläche (112) aufweist;eine erste Wanne (114), die sich von der ersten Hauptoberfläche (110) in das Halbleitersubstrat (106) erstreckt;eine vertikale Leistungsvorrichtung (100), die teilweise in der ersten Wanne (114) angeordnet ist und einen vertikalen Strompfad aufweist, der sich in eine Richtung erstreckt, die senkrecht zu der ersten und der zweiten Hauptoberfläche (110, 112) ist;eine zweite Wanne (116), die sich von der ersten Hauptoberfläche (110) in das Halbleitersubstrat (106) erstreckt und durch ein Trennungsgebiet (118) des Halbleitersubstrats (106) von der ersten Wanne (114) beabstandet ist;eine Vielzahl von Logikvorrichtungen, die in der zweiten Wanne (116) angeordnet sind; undeine Minoritätsladungsträger-Umwandlungsstruktur (108) in dem Trennungsgebiet (118), wobei die Minoritätsladungsträger-Umwandlungsstruktur (108) ein erstes dotiertes Gebiet (152) desselben Leitfähigkeitstyps wie die erste und die zweite Wanne (114, 116), das sich von der ersten Hauptoberfläche (110) in das Halbleitersubstrat (106) erstreckt, ein zweites dotiertes Gebiet (154) des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps wie das erste dotierte Gebiet (152), das sich von der ersten Hauptoberfläche (110) in das Halbleitersubstrat (106) erstreckt, und eine leitende Schicht (160), die das erste und das zweite dotierte Gebiet (152, 154) verbindet, umfasst,wobei das erste dotierte Gebiet (152) näher zu der zweiten Wanne (116) als zu der ersten Wanne (114) angeordnet ist, undwobei ein erster Teil (156) des zweiten dotierten Gebiets (154), welcher zwischen dem ersten dotierten Gebiet (152) und der ersten Wanne (114) angeordnet ist, breiter ist als ein zweiter Teil (158) des zweiten dotierten Gebiets (154), welcher zwischen dem ersten dotierten Gebiet (152) und der zweiten Wanne (116) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102013108572B4

公开(公告)日：2019-05-09

申请号：DE102013108572

申请日：2013-08-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FINNEY ADRIAN

IPC: H01L27/082 ,  H01L21/329 ,  H01L29/861

Abstract: Elektrische Schaltung (300, 310), umfassend:eine erste Polysiliziumdiode (106), welche eingerichtet ist, bei alternierenden Stromdichten zu arbeiten, wobei die erste Polysiliziumdiode (106) umfasst:einen ersten Abschnitt (202) mit einer ersten Art von Dotierung,einen zweiten Abschnitt (204) mit einer zweiten Art von Dotierung, wobei der zweite Abschnitt benachbart zu dem ersten Abschnitt ist, undeinen dritten Abschnitt (206) mit der zweiten Art von Dotierung, wobei der dritte Abschnitt (206) benachbart zu dem zweiten Abschnitt (204) und stärker dotiert ist als der zweite Abschnitt (204) undeine oder mehrere Impedanzen (304), wobei eine Referenzspannung über die ein oder mehreren Impedanzen (304) basierend auf einer Bandlückenspannung der ersten Polysiliziumdiode, erzeugt durch das Betreiben bei jeder der alternierenden Stromdichten, ausgebildet wird,wobei die erste Polysiliziumdiodeeinen ersten Abschnitt mit einer ersten Art von Dotierung,einen zweiten Abschnitt mit einer zweiten Art von Dotierung, wobei der zweite Abschnitt (204) benachbart zu dem ersten Abschnitt (202) ist, undeinen dritten Abschnitt (206) mit der zweiten Art von Dotierung, wobei der dritte Abschnitt (206) benachbart zu dem zweiten Abschnitt (204) ist und stärker dotiert als der zweite Abschnitt (204) ist, umfasst.