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    2.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE10224956A1

    公开(公告)日：2004-01-08

    申请号：DE10224956

    申请日：2002-06-05

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： ZELSACHER RUDOLF ,  KOTZ DIETMAR

    IPC: G11C16/04 ,  H01L29/792 ,  H01L21/336 ,  H01L27/115

    Abstract: In a field-effect transistor, an electric field is produced above the gate dielectric, and generates a tunneling current through the gate dielectric. The tunneling current, lying below the breakdown charge of the gate dielectric, leads to the formation of stationary charges in the gate dielectric, which can alter the threshold voltage of the field-effect transistor. Thus, customary field-effect transistors can be programmed and, in particular, used for storing data values.

    Halbleiterbauelemente und Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements
    3.
    发明专利
    Halbleiterbauelemente und Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements 未知

    公开(公告)号：DE102016111836A1

    公开(公告)日：2017-12-28

    申请号：DE102016111836

    申请日：2016-06-28

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： FINNEY ADRIAN ,  KROTSCHECK OSTERMANN THOMAS ,  KOTZ DIETMAR ,  CAZIMIROVICI RADU-EUGEN

    IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

    Abstract: Ein Halbleiterbauelement (100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800) weist eine Schutzstruktur auf. Die Schutzstruktur befindet sich lateral zwischen einem ersten aktiven Bereich (110) eines Halbleitersubstrats (102) des Halbleiterbauelements und einem zweiten aktiven Bereich (120) des Halbleitersubstrats (102). Die Schutzstruktur umfasst eine erste Dotierungsregion (132), die sich an einer Vorderseitenoberfläche des Halbleitersubstrats (102) befindet, und eine Verdrahtungsstruktur (134). Die Verdrahtungsstruktur (134) verbindet elektrisch die erste Dotierungsregion (132) der Schutzstruktur mit einem hoch dotierten Abschnitt (152) einer gemeinsamen Dotierungsregion. Die gemeinsame Dotierungsregion erstreckt sich von einer Rückseitenoberfläche des Halbleitersubstrats (102) zu zumindest einem Teil der Vorderseitenoberfläche des Halbleitersubstrats (102) in Kontakt mit der Verdrahtungsstruktur (134) der Schutzstruktur. Ferner umfasst das Halbleiterbauelement eine Randabschlussdotierungsregion (140). Die Randabschlussdotierungsregion (140) umgibt lateral den ersten aktiven Bereich (110) und den zweiten aktiven Bereich (120). Die Randabschlussdotierungsregion (140) und die erste Dotierungsregion (132) der Schutzstruktur weisen einen ersten Leitfähigkeitstyp auf. Die gemeinsame Dotierungsregion weist einen zweiten Leitfähigkeitstyp auf. Eine resistive Verbindung (142) existiert zwischen der Randabschlussdotierungsregion (140) und der ersten Dotierungsregion (132) der Schutzstruktur zumindest während des Auftritts von Rückwärtsbetriebszuständen des Halbleiterbauelements.

    Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
    7.
    发明专利
    Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE10341793B4

    公开(公告)日：2021-09-23

    申请号：DE10341793

    申请日：2003-09-10

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： ZUNDEL MARKUS DR ,  ZELSACHER RUDOLF ,  HIRLER FRANZ DR ,  KOTZ DIETMAR

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423

    Abstract: Halbleiterbauelement,- bei welchem in einem Halbleitermaterialbereich (20) eine Grabenstrukturhalbleiterelementeanordnung (10) mit einem Zellenfeld (Z) einer Mehrzahl in Grabenstrukturen (30) und Mesabereichen (M) des Halbleitermaterialbereichs (20) angeordneter Grabenstrukturhalbleiterelemente (T) vorgesehen ist,- bei welchem Gateelektrodenbereiche (G) der Grabenstrukturhalbleiterelemente (T) im Inneren einer jeweiligen Grabenstruktur (30) und durch eine isolierende Oxidschicht (GOX, FOX) von Wandbereichen (30w) der jeweiligen Grabenstruktur (30) elektrisch isoliert ausgebildet sind,- bei welchem als Grabenstrukturhalbleiterelement (T) jeweils ein Feldplattentrenchtransistor mit einer Feldplatte in der jeweiligen Grabenstruktur (30) vorgesehen ist,- bei welchem Sourcebereiche (S), Bodybereiche (B) und Bodykontaktbereiche (Bk) der Grabenstrukturhalbleiterelemente (T) jeweils in Mesabereichen (M) des Halbleitermaterialbereichs (20) zwischen benachbarten Grabenstrukturen (30) angeordnet sind, wobei die Sourcebereiche (S) jeweils in den zugeordneten Bodybereichen (B) enthalten sind und mit diesen einen gemeinsamen Oberflächenbereich aufweisen,- bei welchem die Sourcebereiche (S) und ein nicht umdotierten Teil des Halbleitermaterialbereichs (20) mit einem ersten Leitfähigkeitstyp (n) und die Bodybereiche (B) und die Bodykontaktbereiche (Bk) mit einem zweiten Leitfähigkeitstyp (p) ausgebildet sind,- bei welchem zumindest in einem Randbereich (R, R') des Zellenfeldes (Z) ein in der Dotierung modifizierter Oberflächenbereich (O), der laterale Endbereiche (30e) der jeweiligen Grabenstruktur (30) einbettet und mindestens einen bezüglich des Randbereichs (R') randständigen Mesabereich (M') neben einer entsprechenden randständigen Grabenstruktur (30') umfasst, vorgesehen ist, welcher als vertikale Abfolge (22, E) eines ersten Epitaxiegebietes (E1) und eines zweiten Epitaxiegebietes (E2) ausgebildet ist und in welchem die Dotierkonzentration abgesenkt ausgebildet ist, indem die Dotierungskonzentration des zweiten Epitaxiegebiets (E2) gegenüber der Dotierungskonzentration des ersten Epitaxiegebiets (E1) abgesenkt ausgebildet ist,und- bei welchem der in der Dotierung modifizierte Oberflächenbereich (O) und die vertikale Abfolge (22, E) der Epitaxiegebiete (E1, E2) über eine Epitaxie mit vertikal gestufter Dotierstoffkonzentration ausgebildet sind, wobei- die Breite DMesades jeweils zwischen zwei benachbarten Grabenstrukturen (30) befindlichen Mesabereichs (M, M') kleiner ist als die Breite DTRENCHder Grabenstruktur (30), wobei DMesa

    HALBLEITERVORRICHTUNG MIT EINER FELDELEKTRODE UND EINER GATEELEKTRODE IN EINER GRABENSTRUKTUR UND HERSTELLUNGSVERFAHREN
    8.
    发明专利
    HALBLEITERVORRICHTUNG MIT EINER FELDELEKTRODE UND EINER GATEELEKTRODE IN EINER GRABENSTRUKTUR UND HERSTELLUNGSVERFAHREN 未知

    公开(公告)号：DE102017107020B3

    公开(公告)日：2018-07-05

    申请号：DE102017107020

    申请日：2017-03-31

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： MEISER ANDREAS ,  BACH KARL-HEINZ ,  KAMPEN CHRISTIAN ,  ZUNDEL MARKUS ,  KOTZ DIETMAR ,  WOOD ANDREW

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/36

    Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen Halbleiterkörper mit einem Halbleitersubstrat eines ersten Leitfähigkeitstyps und einer Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps auf dem Halbleitersubstrat. Von einer ersten Oberfläche aus erstreckt sich eine Grabenstruktur in den Halbleiterkörper. Die Grabenstruktur umfasst eine Gateelektrode und zumindest eine Feldelektrode, die zwischen der Gateelektrode und einer Bodenseite der Grabenstruktur angeordnet ist. Ein Bodygebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps grenzt an die Grabenstruktur. Das Bodygebiet erstreckt sich von einem Transistorzellengebiet lateral in ein Randabschlussgebiet. Ein pn-Übergang ist zwischen dem Bodygebiet und der Halbleiterschicht. Eine Dotierungskonzentration des Bodygebiets und/oder der Halbleiterschicht ist an einem lateralen Ende des pn-Übergangs in dem Randabschlussgebiet verringert verglichen mit einer Dotierungskonzentration des Bodygebiets und/oder der Halbleiterschicht an dem pn-Übergang im Transistorzellengebiet.

    9.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102006062011B4

    公开(公告)日：2008-12-18

    申请号：DE102006062011

    申请日：2006-12-29

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： ZELSACHER RUDOLF ,  KOTZ DIETMAR ,  POELZL MARTIN

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

    Abstract: The field-effect transistor has a substrate that is formed with a surface along a trench. The trench has a trench base and a trench edge. A source area is formed at the trench edge. A gate electrode is formed partly in the trench and is separated from the substrate by an insulating layer. An electrical connection is provided between an additive electrode and a gate electrode. The electrical connection has a pre-determined ohm resistance value. The electrical connection has an endowed polycrystalline material. The gate electrode of polycrystalline silicone. Independent claims are also included for the following: (1) a semiconductor structure with a recess formed within a surface area of a semiconductor substrate (2) a method for producing a field-effect transistor, which involves producing a substrate with a surface.

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